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公开(公告)号：CN107422415A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710451543.9
申请日：2017-06-15
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明一种超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径01为5.5～7.5μm，相对折射率差△n1为-0.02～0.10％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，内包层半径r2为14～17μm，相对折射率差△n2为-0.40～-0.15％，下陷内包层半径r3为15～19μm，相对折射率差△n3为-0.8～-0.3％，辅助外包层半径r4为35～52μm，相对折射率差△n4范围为-0.6～-0.25％，外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明合理的设计了光纤内部的粘度匹配，降低光纤的衰减参数，使光纤具有等于或大于130μm2的有效面积，光纤剖面采用较深较窄下陷包层结构，不仅使得光纤具有足够小的成缆截止波长，而且具有良好的弯曲性能。
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公开(公告)号：CN106291808A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610829302.9
申请日：2016-09-18
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
CPC classification number: G02B6/0286 , G02B6/036
Abstract: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～8μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为8.5～12μm，相对折射率Δn2小于或等于-0.20％，所述的下陷内包层半径r3为12.5～30μm，相对折射率Δn3小于或等于-0.40％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4小于或等于-0.20％。本发明通过对芯包层波导结构和材料组分的合理设计，优化光纤各个部分粘度匹配和光纤应力，实现单模光纤的超低衰减性能。并使用掺氟二氧化硅外包层结构，改变光纤材料各个部分的材料弛豫时间，从而改变光纤的虚拟温度，并简化光纤剖面，实现光纤参数的稳定控制。
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公开(公告)号：CN109683232A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910133890.6
申请日：2019-02-22
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
CPC classification number: G02B6/02009 , G02B6/03661
Abstract: 本发明涉及一种具有超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径r1为5.5～7.5μm，相对折射率差△n1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层、第一辅助外包层、第二外辅助外包层和外包层，内包层r2为11～17μm，△n2为-0.20～0，下陷内包层r3为15～19μm，△n3为-0.60～-0.20％，第一辅助外包层r4为35～47μm，△n4为-0.4～-0.10％，第二辅助外包层r5为40～52μm，△n5为-0.4～-0.10％，所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明合理的设计了光纤内部的粘度匹配，通过两层辅助外包层的结构设计，使得长波长的光更好的束缚在纤芯中传播，从而减小了长波长的衰减，使得光纤在C+L波段具有更平坦的衰减系数。
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公开(公告)号：CN110456446A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910762943.0
申请日：2019-08-19
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种低弯曲损耗单模光纤，包括有芯层和包层，所述的包层从内至外包括内包层、下陷包层和外包层，其特征在于芯层直径2R1为8.2μm～9.4μm，相对折射率差Δ1为0.360％～0.420％，内包层直径2R2为16.0μm～19.0μm，内包层具有从内边缘到外边缘渐变的相对折射率差，其中最大相对折射率差Δ2max为0.02％～0.10％，外边缘即内包层和下陷包层交界处相对折射率差为0.0％，下陷包层直径2R3为28.0μm～35.0um，相对折射率差Δ3为-0.40％～-0.65％，所述的外包层为纯二氧化硅外包层。本发明通过折射率剖面的合理配置，在保证光纤具有较大的模场直径的条件下，具有较低的弯曲损耗，提高了光纤的弯曲性能；光纤的弯曲性能超过G.657.B3标准，满足接入网和一些小型化光器件的需求。
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公开(公告)号：CN107422415B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710451543.9
申请日：2017-06-15
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明一种超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径01为5.5～7.5μm，相对折射率差△n1为‑0.02～0.10％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，内包层半径r2为14～17μm，相对折射率差△n2为‑0.40～‑0.15％，下陷内包层半径r3为15～19μm，相对折射率差△n3为‑0.8～‑0.3％，辅助外包层半径r4为35～52μm，相对折射率差△n4范围为‑0.6～‑0.25％，外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明合理的设计了光纤内部的粘度匹配，降低光纤的衰减参数，使光纤具有等于或大于130μm2的有效面积，光纤剖面采用较深较窄下陷包层结构，不仅使得光纤具有足够小的成缆截止波长，而且具有良好的弯曲性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105911639B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610347146.2
申请日：2016-05-24
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明涉及一种用于光通信传输系统的低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径R1为4.0μm～7.0μm，相对折射率差Δ1为0.15％～0.35％，所述的包层包括下陷内包层和下陷外包层，所述的下陷内包层半径R2为7.0μm～12.0μm，下陷内包层相对折射率差Δ2为‑0.33％～‑0.05％，所述的下陷外包层相对折射率差Δ3为‑0.29％～‑0.05％。本发明在普通阶跃型剖面的基础上减少芯层掺锗量、增加包层掺氟量，在满足单模传输波导所需的芯包折射率差的基础上，将芯层和包层折射率同时下移，这样可以大大降低芯层掺杂剂浓度波动引起的瑞利散射损耗，而且，掺杂剂的改变使芯层粘度增加、包层粘度下降，芯包层粘度匹配得到进一步改善，这样可以减小拉丝过程产生的内应力，从而也可进一步降低衰减。
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公开(公告)号：CN104765098A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510209898.8
申请日：2015-04-28
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有较低衰减系数的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.9~4.6μm，芯层相对折射率Δ1为0.08%~0.24%，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为8~15μm，相对折射率Δ2为-0.30%~-0.05%，所述的下陷内包层半径r3为14~20μm，相对折射率Δ3为-0.6%~-0.2%，所述的辅助外包层半径r4为35~50μm，相对折射率Δ4范围为-0.35%~-0.05%；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明降低了光纤的衰减系数，并通过对光纤各芯包层剖面的合理设计，使光纤具有等于或大于8.7μm的MFD；本发明光纤剖面采用多层阶梯状下陷包层结构，具有较宽的下陷包层结构用于限制基模泄露，对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用。
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公开(公告)号：CN106291808B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610829302.9
申请日：2016-09-18
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～8μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为8.5～12μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.20％，所述的下陷内包层半径r3为12.5～30μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4小于或等于‑0.20％。本发明通过对芯包层波导结构和材料组分的合理设计，优化光纤各个部分粘度匹配和光纤应力，实现单模光纤的超低衰减性能。并使用掺氟二氧化硅外包层结构，改变光纤材料各个部分的材料弛豫时间，从而改变光纤的虚拟温度，并简化光纤剖面，实现光纤参数的稳定控制。
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公开(公告)号：CN104765098B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201510209898.8
申请日：2015-04-28
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有较低衰减系数的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.9~4.6μm，芯层相对折射率Δ1为0.08%~0.24%，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为8~15μm，相对折射率Δ2为‑0.30%~‑0.05%，所述的下陷内包层半径r3为14~20μm，相对折射率Δ3为‑0.6%~‑0.2%，所述的辅助外包层半径r4为35~50μm，相对折射率Δ4范围为‑0.35%~‑0.05%；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明降低了光纤的衰减系数，并通过对光纤各芯包层剖面的合理设计，使光纤具有等于或大于8.7μm的MFD；本发明光纤剖面采用多层阶梯状下陷包层结构，具有较宽的下陷包层结构用于限制基模泄露，对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用。
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公开(公告)号：CN105911639A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610347146.2
申请日：2016-05-24
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: G02B6/02
CPC classification number: G02B6/02295
Abstract: 本发明涉及一种用于光通信传输系统的低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径R1为4.0μm～7.0μm，相对折射率差Δ1为0.15％～0.35％，所述的包层包括下陷内包层和下陷外包层，所述的下陷内包层半径R2为7.0μm～12.0μm，下陷内包层相对折射率差Δ2为?0.33％～?0.05％，所述的下陷外包层相对折射率差Δ3为?0.29％～?0.05％。本发明在普通阶跃型剖面的基础上减少芯层掺锗量、增加包层掺氟量，在满足单模传输波导所需的芯包折射率差的基础上，将芯层和包层折射率同时下移，这样可以大大降低芯层掺杂剂浓度波动引起的瑞利散射损耗，而且，掺杂剂的改变使芯层粘度增加、包层粘度下降，芯包层粘度匹配得到进一步改善，这样可以减小拉丝过程产生的内应力，从而也可进一步降低衰减。
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