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公开(公告)号：CN101870496B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010183046.3
申请日：2010-05-25
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 一种微波水热-溶剂热制备分等级空心球状CdS晶的方法，取分析纯的一水氯化镉与油酸搅拌均匀后再加入环己胺超声波分散后得溶液A；将分析纯的硫代乙酰胺溶解于蒸馏水中经超声波分散后得溶液B；将A溶液加入到B溶液中经超声分得溶液C；向C溶液中加入分析纯的EDTA搅拌均匀超声分散后得溶液D；将上述D溶液倒入水热反应釜中，将其放入MDS-8型温压双控微波水热反应仪中；选择温控模式或者压控模式进行反应，将反应产物通过离心收集，然后经洗涤、干燥得分等级空心球状CdS晶。
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公开(公告)号：CN101386551B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200810231997.6
申请日：2008-10-29
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C04B41/89
Abstract: 碳/碳复合材料纳米碳化硅—硅化钼复合涂层的制备方法，首先将碳化硅粉体、MoSi2粉体与异丙醇混合超声震荡、磁力搅拌得到悬浮液A；向悬浮液A中加入碘单质，超声震荡、磁力搅拌制得溶液B；将溶液B倒入水热反应釜中，然后将带有SiC内涂层的碳/碳复合材料试样夹在水热釜内的阴极夹上，将水热釜放入烘箱中；水热电泳结束后自然冷却到室温；取出试样，干燥即得最终产物纳米碳化硅外涂层保护的碳/碳复合材料。采用本发明的制备方法能够快速地制备表面均匀无微裂纹产生，厚度均一无贯穿裂纹和微孔的外涂层。由于反应在水热釜中一次完成，不需要后期热处理，且工艺设备简单，所得纳米碳化硅—硅化钼复合外涂层致密均匀，反应周期短，成本低。
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公开(公告)号：CN101853901B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010181991.X
申请日：2010-05-25
Applicant: 陕西科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种自组装制备硫化镉纳米薄膜的方法，将碳酸镉与三甲胺混合得A；向A中加入去离子水得B；向B中加入PVP磁力搅拌得C，向C中加入硫代乙酰胺搅拌均匀得D；调节溶液D的pH值至4.0-10.0得前驱液E；取清洗干净的ITO基板置于CTAB的苯溶液中在室温下浸泡取出后在氩气气氛保护下干燥；将干燥后的ITO基板置于前驱液E中，在室温下沉积5-40h制备硫化镉薄膜，将制备好的薄膜置于真空干燥箱中干燥得硫化镉纳米薄膜。由于本发明采用液相自组装方法，制得的硫化镉纳米薄膜，形貌完整，大小均匀，并且通过控制反应前驱液浓度、pH值以及沉积时间可以控制薄膜厚度和晶粒大小。这种方法制备的硫化镉纳米薄膜重复性高，易于大面积制膜。且操作方便，原料易得，制备成本较低。
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公开(公告)号：CN101386552B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810231998.0
申请日：2008-10-29
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C04B41/89
Abstract: 碳/碳复合材料碳化硅/磷酸铝防氧化复合涂层制备方法，取2D-碳/碳复合材料，对其进行打磨倒角的表面处理，然后用蒸馏水清洗干净烘干；取硅粉、石墨粉及MgO粉配制包埋粉料，然后将碳/碳复合材料放入石墨坩埚，并埋入包埋粉料中，在立式真空炉中加热获得具有碳化硅包埋层的碳/碳复合材料；量取磷酸铝的异丙醇荷电悬浮液，将该悬浮液置于水热釜内，进行水热电泳沉积，沉积完成后取出试样，干燥后即得到碳/碳复合材料碳化硅/磷酸铝防氧化复合涂层。本发明能够制备出抗氧化效果较好的复合涂层，在1500℃进行恒温氧化200h后，氧化失重小于0.5％；而且本发明制备工艺简单，成本低，实施容易，不需要后期的晶化热处理。
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公开(公告)号：CN102260863B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201110112824.4
申请日：2011-05-05
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 碳/碳复合材料含硅羟基磷灰石涂层的制备方法，取低密度的碳/碳复合材料，置于高氯酸钠溶液的水热釜中，进行水热处理，然后用蒸馏水清洗干净并烘干。将处理后的碳/碳复合材料置于含硝酸钙、磷酸二氢氨的流动水溶液中，通过超高频电磁致热法使其表面沉积出磷酸氢钙涂层。然后，将碳/碳复合材料磷酸氢钙涂层置于含氨水水溶液的水热釜中，进行水热处理，得到碳/碳复合材料羟基磷灰石涂层。接着，将碳/碳复合材料羟基磷灰石涂层置于含有硅酸钠水溶液的水热釜中，再进行水热处理，得到碳/碳复合材料含硅羟基磷灰石涂层。本发明能够在低密度碳/碳表面制备出结晶度好、结合强度达临界载荷143N，维氏硬度为203的含硅羟基磷灰石涂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101386550B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810231996.1
申请日：2008-10-29
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 碳/碳复合材料纳米碳化硅外涂层的制备方法，首先将碳化硅粉体与异丙醇混合在超声波发生器中震荡后，磁力搅拌得到悬浮液A；向悬浮液A中加入碘单质，超声波发生器中震荡后，磁力搅拌制得溶液B；将溶液B倒入水热反应釜中，然后将带有SiC内涂层的碳/碳复合材料试样夹在水热釜内的阴极夹上，将水热釜放入烘箱中；水热电泳结束后自然冷却到室温；取出试样，干燥即得最终产物纳米碳化硅外涂层保护的碳/碳复合材料。采用水热电泳沉积法能够制备出厚度均一无贯穿裂纹和微孔的外涂层。由于反应在水热釜中一次完成，不需要后期热处理，且工艺设备简单，操作方便，原料易得，所得纳米碳化硅外涂层致密均匀，反应周期短。
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公开(公告)号：CN101847583B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010181374.X
申请日：2010-05-25
Applicant: 陕西科技大学
IPC: H01L21/368 , C25D9/04
Abstract: 一种球状CdS半导体薄膜的制备方法，取乙酸镉置于烧杯中滴加油酸搅拌均匀后加入蒸馏水得溶液A；向A溶液中加入五水硫代硫酸钠超声分散后得溶液B；向B溶液中加入成膜助剂，超声后形成均匀溶胶C；将基片固定在电沉积装置的阴极，浸于电沉积液C中电沉积得硫化镉薄膜D，取电沉积后的溶液稀释10倍得溶液E；将溶液E倒入水热反应釜中，然后将上述制备的薄膜D放置在水热反应釜中，浸于溶液E中反应结束后自然冷却到室温，取出薄膜D，清洗干燥在基板表面获得CdS光电薄膜。由于本发明的方法反应在液相中完成，不需要后期的晶化热处理，且工艺设备简单，通过控制沉积电压、沉积时间、前驱液pH值和微波水热后处理的工艺来控制薄膜的质量。所得膜纯纯度高、均匀性好。
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公开(公告)号：CN101885623A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010198358.1
申请日：2010-06-11
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 一种脉冲水热电泳沉积法制备碳/碳复合材料外涂层的方法，将莫来石粉体与异丙醇混合后配制成悬浮液，将悬浮液超声振荡、磁力搅拌后再加入碘单质得到反应液；将反应液超声振荡、磁力搅拌后倒入水热反应釜中；将带有SiC涂层的碳/碳复合材料的试样夹在水热反应釜内的阴极夹上，并将水热反应釜的正负极接到恒压电源上，进行电泳反应；电泳结束后将水热反应釜内的试样取出干燥，即制得莫来石外涂层保护的碳/碳复合材料。莫来石外涂层的制备在水热反应釜中一次完成，不需要后期热处理，因此本发明的制备方法具有工艺简单、操作方便、制备成本低而且制备周期短等特点。
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公开(公告)号：CN101885622A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010198366.6
申请日：2010-06-11
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 一种C/C复合材料SiC被覆莫来石复合涂层的制备方法，将正硅酸乙酯、无水乙醇和蒸馏水混合均匀得正硅酸乙酯溶液；将Al(NO3)3水溶液与正硅酸乙酯溶液混合得溶胶；取纳米SiC粉体分散于溶胶中得悬浮溶胶；将悬浮溶胶陈化烘干为干凝胶，再把干凝胶在玛瑙研钵中研磨，然后将研磨好的干凝胶置于坩埚中烧结得SiC被覆莫来石粉体；将被覆莫来石粉体溶于异丙醇中制成悬浮液后加入碘单质后将带有SiC内涂层的碳/碳复合材料试样夹在水热釜内的阴极夹上，将水热釜放入烘箱中进行水热电泳反应后自然冷却到室温；取出试样干燥得C/C复合材料SiC被覆莫来石复合涂层。所制备的C/C复合材料SiC被覆莫来石复合涂层结合力良好、厚度均匀、表面致密，且具良好的物化相容性。
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公开(公告)号：CN101838157A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010181963.8
申请日：2010-05-25
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 碳/碳复合材料纳米碳化硅-莫来石复合外涂层的制备方法，将莫来石粉体和纳米碳化硅粉体加入异丙醇中超声震荡后再加入碘单质再次超声波震荡后置于水热反应釜中，然后将带有SiC内涂层的碳/碳复合材料试样夹在水热釜内的阴极夹上进行水热电泳反应后取出试样经干燥即得碳/碳复合材料纳米碳化硅-莫来石复合外涂层。本发明采用莫来石作为C/C-SiC外涂层具有较高的热稳定性和抗氧化性能，熔点大于1800℃。莫来石的热膨胀系数与SiC非常接近，所以在高温下不会有热应力产生。高温度下莫来石自身能与氧气能生成低氧渗透率和高温稳定性良好的SiO2和Al2O3，加之，纳米碳化硅颗粒可以有效填补SiC内涂层的微裂纹等缺陷，这些可以大大提高涂层的高温抗氧化性能。
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