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公开(公告)号：CN118472072A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410918526.1
申请日：2024-07-10
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开一种背接触电池及其制作方法、光伏组件，电池包括：半导体基底，其第一面具有位于边缘的边缘区和位于非边缘区且交替分布的第一半导体区和第二半导体区；第一半导体层，设于第一半导体区；第二半导体层，设于第二半导体区，与第二半导体层导电类型不同；第三半导体层，设于边缘区；第四半导体层，设于边缘区，与第三半导体层叠层设置，且与第三半导体层导电类型相同，第四半导体层和第一半导体层导电类型相同，第三半导体层和第二半导体层导电连接；第一电极，设于第一半导体层上，且由第一半导体层上延伸至与第四半导体层具有交叠区域，并与第四半导体层电连接；第二电极，设于第二半导体层上。在边缘区形成漏电通道，减小热斑风险。
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公开(公告)号：CN115532551A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211243118.8
申请日：2022-10-11
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种基板涂胶输送装置及其控制方法，涉及硅片生产加工领域，用于减少湿膜基板的湿膜损伤。装置包括位置检测部件、控制器、进料传送机构、涂布机构和出料传送带；涂布机构用于在待涂布基板的上表面、下表面以及侧面涂布湿膜，形成湿膜基板；出料传送带用于输送湿膜基板，出料传送带的上表面设置有多个沿输送方向间隔排布的支撑凸起，支撑凸起用于对应支撑湿膜基板上的可接触点位；位置检测部件用于在湿膜基板由涂布机构向出料传送带传输过程中，获取湿膜基板的位置信息；控制器用于根据位置信息进行控制操作，以使湿膜基板上可接触点位与出料传送带上支撑凸起对应接触，避免了湿膜基板的湿膜损伤。该方法基于该装置。
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公开(公告)号：CN116936676A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310835085.4
申请日：2023-07-07
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/048
Abstract: 本发明提供了太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件，涉及光伏技术领域。方法包括：在太阳能电池本体上形成第一导电图案或第一导电膜层；在压印模板上形成第二导电图案；在第二导电图案与所述第一导电图案之间，通过电镀或化学镀的方式形成第三导电图案，通过第三导电图案将第二导电图案与第一导电图案连接在一起；或，在第二导电图案与第一导电膜层中待形成电极的区域之间，通过电镀或化学镀的方式形成第三导电图案，通过第三导电图案将第二导电图案与第一导电膜层中待形成电极的区域连接在一起；去除压印模板。第二导电图案是在压印模板上制备的，可以减少对太阳能电池本体的影响，且易于实现量产，工艺简单且成熟，可以降低制备成本。
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公开(公告)号：CN116845117A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310670749.6
申请日：2023-06-07
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，以及位于硅基底背光侧的至少一个功能层；硅基底的背光面包括：第一导电区域、第二导电区域以及位于第一导电区域和第二导电区域之间的绝缘区域；功能层在所述绝缘区域对应的位置处具有绝缘开口；至少一个功能层上，所有所述绝缘开口的宽度的差异性小于或等于20％；每个绝缘区域的宽度大于或等于20微米。本发明实施例中，功能层上所有绝缘开口的宽度的均一性较好，进而绝缘区域的宽度可以做的较小，则剩余的第一导电区域和第二导电区域的宽度较大，可以提升背接触太阳能电池的发电效率。
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公开(公告)号：CN115598935A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211281545.5
申请日：2022-10-19
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司(CN)
Abstract: 本发明提供了曝光方法及设备、太阳能电池和光伏组件，涉及光刻技术领域。曝光方法包括：在待曝光件的第一表面和与第一表面具有夹角且相互连接的第二表面设置负性光刻胶；夹角大于0°，小于或等于90°；采用光源，对待曝光件的所述第一表面的至少部分区域，和第二表面的负性光刻胶进行曝光。本发明实施例中，第二表面是第一表面对应的垂直侧立面，甚至第二表面是第一表面对应的向内凹陷的侧立面，专门采用光源对第二表面的负性光刻胶进行曝光，就是在对第一表面的至少部分区域的负性光刻胶、和第一表面的侧立面的负性光刻胶均进行了曝光，对第一表面的侧立面的负性光刻胶曝光较为充分，从很大程度上减少了待曝光件的侧立面曝光不足的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115241323A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210795204.3
申请日：2022-07-07
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/048 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供了太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件，涉及光伏技术领域。方法包括：在太阳能电池本体上形成第一导电图案或第一导电膜层；在压印模板上形成第二导电图案；将所述第二导电图案与所述第一导电图案对准，并将所述第二导电图案与所述第一导电图案共晶键合在一起；或者，将所述第二导电图案与所述第一导电膜层中待形成电极的区域对准，并将所述第二导电图案与所述第一导电膜层中待形成电极的区域共晶键合在一起；去除压印模板。第二导电图案是在压印模板上制备的，可以减少对太阳能电池本体的影响，且易于实现量产，工艺简单且成熟，可以降低制备成本。
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公开(公告)号：CN115207159A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210796261.3
申请日：2022-07-07
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/048 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供了太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件，涉及光伏技术领域。方法包括：在太阳能电池本体上形成第一导电图案或第一导电膜层；在压印模板上形成第二导电图案；将所述第二导电图案与所述第一导电图案对准，并将所述第二导电图案与所述第一导电图案焊接在一起；或者，将所述第二导电图案与所述第一导电膜层中待形成电极的区域对准，并将所述第二导电图案与所述第一导电膜层中待形成电极的区域焊接在一起；去除压印模板。第二导电图案是在压印模板上制备的，可以减少对太阳能电池本体的影响，且易于实现量产，工艺简单且成熟，可以降低制备成本。
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公开(公告)号：CN118658912A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410780833.8
申请日：2024-06-17
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，其中背接触电池包括：半导体基底、第一半导体层、第二半导体层、透明导电层、漏电通道和隔离部。背接触电池包括至少位于第一半导体层和第二半导体层之间的漏电通道。因每个漏电通道具有导电特性，故在漏电通道的第一端与第一半导体层连接，漏电通道的第二端被第二半导体层和透明导电层覆盖的情况下，使得背接触电池被遮挡时，电流可以经漏电通道传输，避免了被遮挡的电池成为负载消耗其他有光照的电池片所产生的能量，进而降低了热斑风险。
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公开(公告)号：CN118472073A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410918517.2
申请日：2024-07-10
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0443 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的热斑风险，且使得背接触电池具有较高的工作性能。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部。半导体基底包括相对的第一面和第二面。第一面包括中部区域、以及设置在中部区域外周的边缘区域。第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部均设置于半导体基底的第一面、且第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部的导电类型相反。第一掺杂半导体部的仅部分区域和第二掺杂半导体部的仅部分区域电性连接，以形成反向漏电区域。反向漏电区域至少设置于边缘区域内，且边缘区域内的反向漏电区域的分布密度大于中部区域内的反向漏电区域的分布密度。
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公开(公告)号：CN115513045B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202211030907.3
申请日：2022-08-25
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L31/0224 , H01L31/042
Abstract: 本发明提供了一种掩膜制备方法和制备系统，太阳能电池和光伏组件，涉及太阳能电池制备技术领域。掩膜制备方法包括：采用曝光光源照射感光干膜的第一表面，以对感光干膜曝光；第一表面和感光干膜中与第一表面相对的第二表面，对曝光光源的反射率均小于或等于5％；将曝光后的感光干膜压合在电池本体的表面，并对曝光后的感光干膜显影。本发明中，曝光过程没有在太阳能本体上进行，曝光过程不会受到太阳能本体上高反射系数的结构的影响，且第一表面和第二表面对于曝光光线的反射较弱，曝光光线基本不会反射至栅线区域，曝光区域基本仅为曝光光源照射区域，显影后掩膜在栅线区域基本没有残留，易于电镀栅线电极。
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