公开(公告)号：CN119895588A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380065360.7

申请日：2023-08-23

Applicant: 韩国飞世龙电池有限公司 ,  马克森公司

Inventor： 朴西蒙 ,  朴灿一 ,  赵洪奭 ,  金宗成 ,  朴京洙 ,  姜志勋 ,  M·泽维尔

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  C01B32/963 ,  C01B33/18 ,  H01M4/02

Abstract: 本发明公开一种利用预锂化及光电磁能量照射的锂二次电池用负极材料制造方法以及锂二次电池用负极材料。所述方法包括如下步骤：在溶剂中混合活性物质、高分子以及锂盐来形成液态混合物；对所述液态混合物进行粉末干燥；以及向粉末干燥后的产物施加光电磁能量。

公开(公告)号：CN116982173A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280021191.2

申请日：2022-01-28

Applicant: 韩国飞世龙电池有限公司 ,  马克森公司

Inventor： 朴西蒙 ,  朴灿一 ,  赵洪奭 ,  金宗成 ,  朴京洙 ,  姜志勋

IPC: H01M4/36

Abstract: 本公开涉及一种通过施加能量封装活性材料的锂二次电池的电极制造方法。所述方法有助于尽可能减小电极体积变化或负面副作用，例如高内应力、断裂、粉碎、分层、导电剂电子隔离、不稳定固体电解质界面形成和电池能量容量损失。

公开(公告)号：CN116982171A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280021190.8

申请日：2022-03-02

Applicant: 韩国飞世龙电池有限公司 ,  马克森公司

Inventor： 朴西蒙 ,  朴灿一 ,  赵洪奭 ,  金宗成 ,  朴京洙 ,  姜志勋

IPC: H01M4/139

Abstract: 本发明涉及一种具有增强导电率和离子导电率的锂电池电极的制造方法。所述方法包括使用IPL、激光、等离子体或微波施加光电磁能，从而将能量施加到电极纳米复合材料(包括活性材料、粘合剂和导电碳添加剂)上。

公开(公告)号：CN119866246A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202380065359.4

申请日：2023-08-25

Applicant: 韩国飞世龙电池有限公司 ,  马克森公司

Inventor： 朴西蒙 ,  朴灿一 ,  赵洪奭 ,  金宗成 ,  朴京洙 ,  姜志勋

IPC: B01J19/12 ,  B01J19/00 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  B04C9/00 ,  B03C3/017

Abstract: 本发明公开一种利用强脉冲光(IPL)处理粉末材料的装置及方法。本发明的粉末处理装置包括：腔室；母粉投入线，将具有高分子涂层的母粉投入到所述腔室的内部；气体喷射器，设置在所述腔室的底面，通过向上喷射空气来使所述母粉在腔室内悬浮；强脉冲光照射器，使所述母粉的高分子涂层碳化；以及处理粉末排出线，用于排出所述高分子涂层已被碳化的处理粉末。

公开(公告)号：CN117083730A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280021189.5

申请日：2022-03-15

Applicant: 韩国飞世龙电池有限公司 ,  马克森公司

Inventor： 朴西蒙 ,  朴灿一 ,  赵洪奭 ,  金宗成 ,  朴京洙 ,  姜志勋

IPC: H01M4/139

Abstract: 本公开涉及一种抑制锂枝晶生长的锂金属阳极电极，所述锂枝晶可使电池的电化学性能恶化并对电池结构构成灾难性损坏，本公开尤其涉及一种具有三维高孔隙度结构或金属基或碳基三维网络结构的阳极电极的制造方法，包括光电磁能辐照。