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公开(公告)号：CN111092096B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201911273979.9
申请日：2018-12-05
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 本公开涉及一种发光装置。根据本公开的一实施例的显示装置可以包括：基板；像素，提供于所述基板上，所述像素包括：光通过层，提供于所述基板上，并且具有上表面和侧面；发光元件，提供于所述光通过层的上表面；绝缘膜，覆盖所述发光元件和所述光通过层的上表面和侧面；以及端子部，提供于所述绝缘膜上，并与所述发光元件电连接。
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公开(公告)号：CN110010636A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811480431.7
申请日：2018-12-05
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 本公开涉及一种显示装置。根据本公开的一实施例的显示装置可以包括：面板基板；多个发光元件，排列在所述面板基板上；以及至少一个连接端部(tip)，布置于所述发光元件各自的一面上，其中，所述多个发光元件可以包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述活性层夹设于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，布置于所述发光结构体上。
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公开(公告)号：CN111048544B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201911308820.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H10H29/49 , H10H29/03 , H01L21/683
Abstract: 本公开涉及一种发光装置的制造方法及发光装置。根据本公开的一实施例的发光装置的制造方法包括如下步骤：在第一临时基板上形成氮化镓系半导体层；在所述半导体层上形成电极部而制造发光元件；在所述发光元件上形成保护膜；向所述第一临时基板和所述半导体层之间的界面照射激光；去除所述保护膜；以及利用移送装置而向基板上移送所述发光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110720144A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201880037296.0
申请日：2018-09-27
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 根据一实施例的发光元件包括：第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元，各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；垫，电连接于所述第一发光单元至第三发光单元，从而能够使所述第一发光单元至第三发光单元独立地驱动；第二波长转换器，变换从所述第二发光单元发出的光的波长；以及第三波长转换器，变换从所述第三发光单元发出的光的波长，其中，所述第三波长转换器将光的波长变换为比第二波长转换器变换的波长更长的长波长，所述第二发光单元具有比所述第一发光单元更大的面积，所述第三发光单元具有比所述第二发光单元更大的面积。
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公开(公告)号：CN110010636B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201811480431.7
申请日：2018-12-05
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H10H29/30
Abstract: 本公开涉及一种显示装置。根据本公开的一实施例的显示装置可以包括：面板基板；多个发光元件，排列在所述面板基板上；以及至少一个连接端部(tip)，布置于所述发光元件各自的一面上，其中，所述多个发光元件可以包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述活性层夹设于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，布置于所述发光结构体上。
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公开(公告)号：CN111162099A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911354437.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 根据一实施例的显示装置，包括：基板；第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元，提供于所述基板上，并射出红光、绿光以及蓝光；以及阻隔壁，分别提供于所述第一发光单元至所述第三发光单元之间，并且使所述光不能透过，其中，所述第一发光单元至所述第三发光单元的高度比所述阻隔壁的高度低，所述阻隔壁和所述第一发光单元至所述第三发光单元之间的距离是10μm至20μm。
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公开(公告)号：CN110720144B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201880037296.0
申请日：2018-09-27
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 根据一实施例的发光元件包括：第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元，各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；垫，电连接于所述第一发光单元至第三发光单元，从而能够使所述第一发光单元至第三发光单元独立地驱动；第二波长转换器，变换从所述第二发光单元发出的光的波长；以及第三波长转换器，变换从所述第三发光单元发出的光的波长，其中，所述第三波长转换器将光的波长变换为比第二波长转换器变换的波长更长的长波长，所述第二发光单元具有比所述第一发光单元更大的面积，所述第三发光单元具有比所述第二发光单元更大的面积。
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公开(公告)号：CN111048544A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911308820.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L21/683
Abstract: 本公开涉及一种发光装置的制造方法及发光装置。根据本公开的一实施例的发光装置的制造方法包括如下步骤：在第一临时基板上形成氮化镓系半导体层；在所述半导体层上形成电极部而制造发光元件；在所述发光元件上形成保护膜；向所述第一临时基板和所述半导体层之间的界面照射激光；去除所述保护膜；以及利用移送装置而向基板上移送所述发光元件。
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