公开(公告)号：CN102986139B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180034204.1

申请日：2011-07-15

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： J·G·杉卡拉那拉亚南 ,  B·S·阿苏里 ,  V·V·帕尼卡什 ,  H·严 ,  H·卡特里 ,  M·巴加特

IPC: H03H7/42 ,  H03H7/46

CPC classification number: H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/165 ,  H03D2200/0023 ,  H03H7/1775 ,  H03H7/422 ,  H03H7/465

Abstract: 能够在宽频率范围上发射的RF发射机包括混频器（96）、宽带高Q平衡-不平衡转换器（97）、第一驱动放大器（87）和第二驱动放大器（91）。该平衡-不平衡转换器具有单个初级绕组（98）和两个次级绕组（99、100）。该混频器的差分输出耦合至该初级绕组。这两个次级绕组中的第一次级绕组（99）耦合成驱动第一驱动放大器（87）。这两个次级绕组中的第二次级绕组（100）耦合成驱动第二驱动放大器（91）。当以较低频率发射时使用一个驱动放大器，而当以较高频率发射时使用另一个驱动放大器。通过恰适地改变这些次级绕组的电感大小并通过在某些时间用开关（104）切断这些次级绕组中的一个，该平衡-不平衡转换器可调谐为在该宽频率范围上操作同时具有高质量因子Q，由此便于降低功耗，同时满足性能要求。

公开(公告)号：CN102986139A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180034204.1

申请日：2011-07-15

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： J·G·杉卡拉那拉亚南 ,  B·S·阿苏里 ,  V·V·帕尼卡什 ,  H·严 ,  H·卡特里 ,  M·巴加特

IPC: H03H7/42 ,  H03H7/46

CPC classification number: H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/165 ,  H03D2200/0023 ,  H03H7/1775 ,  H03H7/422 ,  H03H7/465

Abstract: 能够在宽频率范围上发射的RF发射机包括混频器（96）、宽带高Q平衡-不平衡转换器（97）、第一驱动放大器（87）和第二驱动放大器（91）。该平衡-不平衡转换器具有单个初级绕组（98）和两个次级绕组（99、100）。该混频器的差分输出耦合至该初级绕组。这两个次级绕组中的第一次级绕组（99）耦合成驱动第一驱动放大器（87）。这两个次级绕组中的第二次级绕组（100）耦合成驱动第二驱动放大器（91）。当以较低频率发射时使用一个驱动放大器，而当以较高频率发射时使用另一个驱动放大器。通过恰适地改变这些次级绕组的电感大小并通过在某些时间用开关（104）切断这些次级绕组中的一个，该平衡-不平衡转换器可调谐为在该宽频率范围上操作同时具有高质量因子Q，由此便于降低功耗，同时满足性能要求。

公开(公告)号：CN103026625B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201180036653.X

申请日：2011-07-26

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： H·严 ,  J·G·杉卡拉那拉亚南 ,  B·S·阿苏里 ,  H·卡特里 ,  V·V·帕尼卡什

IPC: H03K17/06 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687 ,  H03H11/32 ,  H03H7/42 ,  H04B1/04 ,  H03H11/24 ,  H04B1/48 ,  H01P1/22

CPC classification number: H03K17/063 ,  H03K17/161 ,  H03K17/687 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0054

Abstract: 一方面，RF开关包括主晶体管和栅-源短路电路。当关断RF开关时，开通栅-源短路电路以使主晶体管的源极和栅极短路在一起，由此防止Vgs发展成将导致主晶体管泄漏。当开通RF开关时，关断栅-源短路电路以将源极和栅极去耦合。向栅极提供数字逻辑高电压以开通主晶体管。第二方面，RF开关包括具有块体端子的主晶体管。当关断RF开关时，该块体通过高电阻接地。当开通RF开关时，源极和块体短路在一起，由此降低主晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN103026625A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036653.X

申请日：2011-07-26

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： H·严 ,  J·G·杉卡拉那拉亚南 ,  B·S·阿苏里 ,  H·卡特里 ,  V·V·帕尼卡什

IPC: H03K17/06 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687 ,  H03H11/32 ,  H03H7/42 ,  H04B1/04 ,  H03H11/24 ,  H04B1/48 ,  H01P1/22

CPC classification number: H03K17/063 ,  H03K17/161 ,  H03K17/687 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0054

Abstract: 一方面，RF开关包括主晶体管和栅-源短路电路。当关断RF开关时，开通栅-源短路电路以使主晶体管的源极和栅极短路在一起，由此防止Vgs发展成将导致主晶体管泄漏。当开通RF开关时，关断栅-源短路电路以将源极和栅极去耦合。向栅极提供数字逻辑高电压以开通主晶体管。第二方面，RF开关包括具有块体端子的主晶体管。当关断RF开关时，该块体通过高电阻接地。当开通RF开关时，源极和块体短路在一起，由此降低主晶体管的阈值电压。