-
公开(公告)号：CN106537774A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580037560.7
申请日：2015-06-17
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: H03H11/0433 , H03H11/1252 , H04B1/109 , H04B1/525
Abstract: 提供了一种用于最小化发射信号干扰的方法和设备。方法包括步骤：接收信号并放大所接收的信号。接收到信号随后与中间频率信号混频以获得基带调制信号。基带调制信号首先在RC滤波器中滤波。得到的信号由预选择的量划分，并且第一划分部分发送至双二次滤波器的主路径，这产生第一级双二次滤波信号。划分信号的第二部分发送至双二次滤波器的辅助路径，并且产生第二经滤波信号。第一和第二信号随后重组并发送至双二次滤波器的第二级，其中发生进一步滤波。
-
公开(公告)号：CN107251417A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010115.6
申请日：2016-02-10
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: H03D7/145 , H03D7/1433 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1466 , H03D7/165 , H03D2200/0027
Abstract: 提供了一种用于对射频信号进行混频的方法、装置和系统产品。在一个方面中，该装置被配置为基于第一、第二、第三和第四相控半占空比时钟信号执行开关的切换。该装置将差分输入端口上的差分输入信号与第一、第二、第三和第四相控半占空比时钟信号进行卷积，以并发地生成双差分输出端口上的差分同相输出信号和差分正交相位输出信号。第一、第二、第三和第四相控半占空比时钟信号具有相同的频率并且关于彼此异相九十度的倍数。
-
公开(公告)号：CN106133632A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580016902.7
申请日：2015-03-11
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开的某些方面提供了功率高效、低噪声、并且对工艺技术、电源电压和温度上的改变基本上不敏感的电压调节电路。这样电路可以被用来为例如在射频前端(RFFE)中找到的压控振荡器(VCO)提供经调节电压。一种示例电压调节电路一般包括被配置为供应或汇集参考电流的电流源、以及具有偏置支路和主支路的电流镜，其中偏置支路与电流源相连接，其中主支路包括源极跟随器以提供经调节电压，并且其中参考电流在用于经调节电压的节点处可获得。
-
公开(公告)号：CN105934882A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580004784.8
申请日：2015-01-14
Applicant: 高通股份有限公司
Abstract: 一种装置包括被配置成接收输入信号的主放大器。该主放大器还被配置成生成输出信号。该装置还包括辅助路径，其被配置成对输入信号进行相移以生成消去信号以减少或消去输出信号的阻滞分量。
-
公开(公告)号：CN107005230B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201580066418.5
申请日：2015-12-03
Applicant: 高通股份有限公司
Abstract: 提供了一种方法、装置和计算机程序产品。该装置根据第一时钟频率输出正弦信号，基于正弦信号生成具有25％占空比的第一数字信号，基于正弦信号生成具有25％占空比的第二数字信号，组合第一数字信号和第二数字信号以生成具有50％占空比和是第一时钟频率两倍的第二时钟频率的组合数字信号，并且使组合数字信号的第二时钟频率加倍以生成具有是第一时钟频率四倍的第三时钟频率的输出信号。该装置进一步基于输出信号生成用于第一缓冲器的第一控制电压和第二控制电压以及用于第二缓冲器的第三控制电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106133632B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201580016902.7
申请日：2015-03-11
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开的某些方面提供了功率高效、低噪声、并且对工艺技术、电源电压和温度上的改变基本上不敏感的电压调节电路。这样电路可以被用来为例如在射频前端(RFFE)中找到的压控振荡器(VCO)提供经调节电压。一种示例电压调节电路一般包括被配置为供应或汇集参考电流的电流源、以及具有偏置支路和主支路的电流镜，其中偏置支路与电流源相连接，其中主支路包括源极跟随器以提供经调节电压，并且其中参考电流在用于经调节电压的节点处可获得。
-
公开(公告)号：CN106663867B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201580032319.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 高通股份有限公司
Abstract: 提供了一种用于抵消EM耦合的方法和设备。设备包括至少部分地围绕EM电路的环结构。负跨导电路耦合至环结构的端部。负跨导电路配置用于抵消在一频率至EM电路的EM耦合。方法包括产生用于负跨导电路的多个设置，以及调谐负跨导电路至用于负跨导电路的多个设置的一个以抵消在频率至EM电路的EM耦合。
-
公开(公告)号：CN107005230A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066418.5
申请日：2015-12-03
Applicant: 高通股份有限公司
Abstract: 提供了一种方法、装置和计算机程序产品。该装置根据第一时钟频率输出正弦信号，基于正弦信号生成具有25％占空比的第一数字信号，基于正弦信号生成具有25％占空比的第二数字信号，组合第一数字信号和第二数字信号以生成具有50％占空比和是第一时钟频率两倍的第二时钟频率的组合数字信号，并且使组合数字信号的第二时钟频率加倍以生成具有是第一时钟频率四倍的第三时钟频率的输出信号。该装置进一步基于输出信号生成用于第一缓冲器的第一控制电压和第二控制电压以及用于第二缓冲器的第三控制电压。
-
公开(公告)号：CN106664058A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580038394.2
申请日：2015-06-16
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: H03B5/364 , H03B5/06 , H03B5/36 , H03B2200/004 , H03B2200/0094
Abstract: 一种差分晶体振荡器电路，包括：第一输出端子和第二输出端子；包括交叉耦合至第一输出端子和第二输出端子的第一和第二晶体管的交叉耦合的振荡单元；第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)二极管，每个MOSFET二极管包括连接在栅极和漏极端子之间的电阻器，其中第一MOSFET二极管耦合至第一晶体管以向第一晶体管提供在低频时低阻抗负载和在高频时高阻抗负载，其中第二MOSFET二极管耦合至第二晶体管以向第二晶体管提供在低频时低阻抗负载和在高频时高阻抗负载；以及耦合在第一输出端子和第二输出端子之间以建立振荡频率的参考谐振器。
-
公开(公告)号：CN106663867A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580032319.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 高通股份有限公司
Abstract: 提供了一种用于抵消EM耦合的方法和设备。设备包括至少部分地围绕EM电路的环结构。负跨导电路耦合至环结构的端部。负跨导电路配置用于抵消在一频率至EM电路的EM耦合。方法包括产生用于负跨导电路的多个设置，以及调谐负跨导电路至用于负跨导电路的多个设置的一个以抵消在频率至EM电路的EM耦合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.024 seconds)
