公开(公告)号：CN107004639A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580037075.X

申请日：2015-07-06

Applicant: 麻省理工学院 ,  南洋理工大学

Inventor： 李光雄 ,  陈全胜 ,  尤金·A·菲茨杰拉德 ,  K·李永坚

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L27/00 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了一种衬底(270)制造方法(200)。该方法包括：提供(202)第一半导体衬底(250)，该衬底包括已至少部分处理的CMOS器件层以及第一晶片材料层；将承载衬底键合(204)至所述已部分处理的CMOS器件层，并去除(206)所述第一晶片材料层；提供第二半导体衬底，该衬底具有不同于硅的第二晶片材料层；通过将所述第二晶片材料层键合至所述已部分处理的CMOS器件层而将所述第一和第二半导体衬底键合(208)，以形成结合衬底(268)；以及将所述承载衬底从所述结合衬底移除(210)，以暴露所述已部分处理的CMOS器件层的至少一部分。

公开(公告)号：CN107004639B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201580037075.X

申请日：2015-07-06

Applicant: 麻省理工学院 ,  南洋理工大学

Inventor： 李光雄 ,  陈全胜 ,  尤金·A·菲茨杰拉德 ,  K·李永坚

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L27/00 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了一种衬底(270)制造方法(200)。该方法包括：提供(202)第一半导体衬底(250)，该衬底包括已至少部分处理的CMOS器件层以及第一晶片材料层；将承载衬底键合(204)至所述已部分处理的CMOS器件层，并去除(206)所述第一晶片材料层；提供第二半导体衬底，该衬底具有不同于硅的第二晶片材料层；通过将所述第二晶片材料层键合至所述已部分处理的CMOS器件层而将所述第一和第二半导体衬底键合(208)，以形成结合衬底(268)；以及将所述承载衬底从所述结合衬底移除(210)，以暴露所述已部分处理的CMOS器件层的至少一部分。

公开(公告)号：CN101326646B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200680046672.X

申请日：2006-11-01

Applicant: 麻省理工学院

Inventor： 尤金·A·菲茨杰拉德

IPC: H01L31/113 ,  H01L21/76 ,  H01L21/00 ,  H01L23/02 ,  B32B9/04

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/144 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/143 ,  H01L31/162 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/933 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了用于单片集成单晶硅和单晶的非硅材料以及器件的方法和结构。在一个结构中，一种半导体结构包括硅衬底和布置在所述硅衬底上的第一单晶半导体层，其中所述第一单晶半导体层具有和弛豫硅的晶格常数不同的晶格常数。所述半导体结构还包括不知在第一区域中的所述第一单晶半导体层上的绝缘层、布置在所述第一区域中的绝缘层上的单晶硅层以及布置在第二区域中而不在第一区域中的第一单晶半导体层的至少一部分上的第二单晶半导体层。该第二单晶半导体层具有和弛豫硅的晶格常数不同的晶格常数。

公开(公告)号：CN101326646A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200680046672.X

申请日：2006-11-01

Applicant: 麻省理工学院

Inventor： 尤金·A·菲茨杰拉德

IPC: H01L31/113 ,  H01L21/76 ,  H01L21/00 ,  H01L23/02 ,  B32B9/04

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/144 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/143 ,  H01L31/162 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/933 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了用于单片集成单晶硅和单晶的非硅材料以及器件的方法和结构。在一个结构中，一种半导体结构包括硅衬底和布置在所述硅衬底上的第一单晶半导体层，其中所述第一单晶半导体层具有和弛豫硅的晶格常数不同的晶格常数。所述半导体结构还包括不知在第一区域中的所述第一单晶半导体层上的绝缘层、布置在所述第一区域中的绝缘层上的单晶硅层以及布置在第二区域中而不在第一区域中的第一单晶半导体层的至少一部分上的第二单晶半导体层。该第二单晶半导体层具有和弛豫硅的晶格常数不同的晶格常数。