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公开(公告)号:CN103265282A
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201310187208.4
申请日:2013-05-14
Applicant: 齐齐哈尔大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡钙和铌酸钾钠交替旋涂无铅压电厚膜的制备方法,是以溶胶-凝胶法为基础,以乙酸钡(Ba(CH3COO)2)、四水硝酸钙(Ca(NO3)2·4H2O)、钛酸四丁酯(C16H36O4Ti)为原料,乙二醇单甲醚(C3H8O2)、冰乙酸(CH3COOH)为溶剂、乙酰丙酮(C5H8O2)为稳定剂,制备浓度为1mol/L的Bi0.5Ca0.5TiO3(BCT)前驱体溶胶;以氢氧化铌(Nb(OH)5)、乙酸钾(CH3COOK)、乙酸钠(CH3COONa)为原料,以乙二醇(C2H6O2)为酯化剂、柠檬酸为金属配位剂,引入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为改性剂,配制浓度为0.6mol/L的K0.5Na0.5NbO3(KNN)前驱体溶胶,然后先在(Pt/TiO2/Ti/SiO2/Si)基片上镀上KNN溶胶,热处理后再镀上BCT溶胶,重复以上步骤三次,即交替旋涂6层,然后退火处理获得KNN-BCT厚膜。所得到的薄膜晶粒均匀、排列紧密、表面平滑、无开裂。
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公开(公告)号:CN103265289B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201310187209.9
申请日:2013-05-14
Applicant: 齐齐哈尔大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂的铌酸钾钠基无铅压电薄膜的制备方法,该发明是以非醇铌盐溶胶-凝胶法为基础,提供一种简单、易控制的工艺方法,首先制备稳定的锰掺杂KNN溶胶,然后在(Pt/TiO2/Ti/SiO2/Si)基片上旋涂KNN溶胶,转速为3200r/min,时间为30s,将湿膜在150℃烘干水分,然后在马弗炉中600℃保温10min;同样热处理条件,重复上述步骤8次,即旋涂8层。然后在700℃退火处理10min,最终薄膜厚度2~4μm,所得到的薄膜致密性好、漏电流性能得到改善。
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公开(公告)号:CN102848656B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201210367243.X
申请日:2012-09-28
Applicant: 齐齐哈尔大学
Abstract: 本发明公开了钛酸铋钠和铌酸钾钠交替旋涂无铅压电厚膜的制备方法,该发明是以溶胶-凝胶法为基础,提供一种简单、易控制的工艺方法,首先分别制备稳定的BNT和KNN溶胶,然后先在(Pt/TiO2/Ti/SiO2/Si)基片上镀上KNN溶胶,转速为3200r/min,时间为30s,将湿膜在200℃烘干水分,然后在以4℃/min升到500℃的马弗炉中,保温10min,第二层镀BNT膜,同样热处理条件,重复上述步骤三次,即交替旋涂6层,然后在700℃退火处理10min,最终获得厚度~4μm KNN-BNT厚膜,所得到的厚膜晶粒均匀、排列紧密、表面平滑、无开裂。
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公开(公告)号:CN103265289A
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201310187209.9
申请日:2013-05-14
Applicant: 齐齐哈尔大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂的铌酸钾钠基无铅压电薄膜的制备方法,该发明是以非醇铌盐溶胶-凝胶法为基础,提供一种简单、易控制的工艺方法,首先制备稳定的锰掺杂KNN溶胶,然后在(Pt/TiO2/Ti/SiO2/Si)基片上旋涂KNN溶胶,转速为3200r/min,时间为30s,将湿膜在150℃烘干水分,然后在马弗炉中600℃保温10min;同样热处理条件,重复上述步骤8次,即旋涂8层。然后在700℃退火处理10min,最终薄膜厚度2~4μm,所得到的薄膜致密性好、漏电流性能得到改善。
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公开(公告)号:CN102848656A
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201210367243.X
申请日:2012-09-28
Applicant: 齐齐哈尔大学
Abstract: 本发明公开了钛酸铋钠和铌酸钾钠交替旋涂无铅压电厚膜的制备方法,该发明是以溶胶-凝胶法为基础,提供一种简单、易控制的工艺方法,首先分别制备稳定的BNT和KNN溶胶,然后先在(Pt/TiO2/Ti/SiO2/Si)基片上镀上KNN溶胶,转速为3200r/min,时间为30s,将湿膜在200℃烘干水分,然后在以4℃/min 升到500℃的马弗炉中,保温10min,第二层镀BNT膜,同样热处理条件,重复上述步骤三次,即交替旋涂6层,然后在700℃退火处理10min,最终获得厚度~4μm KNN-BNT厚膜,所得到的厚膜晶粒均匀、排列紧密、表面平滑、无开裂。
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