公开(公告)号：CN106233468A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580021644.1

申请日：2015-04-17

Applicant: 1366科技公司

Inventor： E.M.萨赫斯 ,  R.荣茨克 ,  A.L.罗伦斯 ,  R.L.华莱士 ,  G.D.S.哈德尔森

IPC: H01L31/0236

Abstract: 带有在受控位置处的更厚区和薄区的半导体晶片可以用于光电。内部可以少于180微米或更薄至50微米，带有在180-250微米处的更厚部分。薄晶片具有更高的效率。更厚的周界提供加工强度。更厚的条带、着陆台、和岛状物用于金属化耦合。晶片可以从模板上的熔化物直接制得，所述模板带有被布置成对应于相对厚度的位置的不同热提取倾向的区。间隙氧少于6x1017 atoms/cc，优选地少于2x1017，总氧少于8.75x1017 atoms/cc，优选地少于5.25x1017。更厚的区邻近具有相对更高热提取倾向的模板区形成；更薄的区邻近带有更少提取倾向的区。更厚的模板区具有更高的提取倾向。在模板上的功能材料也具有不同的提取倾向。

公开(公告)号：CN106233468B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201580021644.1

申请日：2015-04-17

Applicant: 1366科技公司

Inventor： E.M.萨赫斯 ,  R.荣茨克 ,  A.L.罗伦斯 ,  R.L.华莱士 ,  G.D.S.哈德尔森

IPC: H01L31/0236

Abstract: 在受控位置处带有更厚区和薄区的半导体晶片可以用于光电。内部可以少于180微米或更薄至50微米，带有在180‑250微米处的更厚部分。薄晶片具有更高的效率。更厚的周界提供加工强度。更厚的条带、着陆台、和岛状物用于金属化耦合。晶片可以从模板上的熔化物直接制得，所述模板带有被布置成对应于相对厚度的位置的不同热提取倾向的区。间隙氧少于6x1017 atoms/cc，优选地少于2x1017，总氧少于8.75x1017 atoms/cc，优选地少于5.25x1017。更厚的区邻近具有相对更高热提取倾向的模板区形成；更薄的区邻近带有更小提取倾向的区。更厚的模板区具有更高的提取倾向。在模板上的功能材料也具有不同的提取倾向。