公开(公告)号：CN118922920A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029909.7

申请日：2023-03-20

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 ,  AGC株式会社

Inventor： 堀胜 ,  小田修 ,  阿伦·库玛尔·达响 ,  林笃 ,  青峰信孝

IPC: H01L21/365 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C30B23/08 ,  C30B29/16 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种带有β型氧化镓膜的基板，具有Si单晶基板和设置于上述Si单晶基板上的β型氧化镓膜，上述β型氧化镓膜呈单轴取向。

公开(公告)号：CN111315693B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201880071650.1

申请日：2018-11-01

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 中尾圭介 ,  小高秀文 ,  林泰夫 ,  东诚二 ,  堀胜 ,  石川健治

IPC: C03B18/18

Abstract: 本发明涉及一种浮法玻璃的制造方法，其特征在于，是将熔解玻璃原料而得到的熔融玻璃在浮法浴内的熔融锡上成型为玻璃带，缓慢冷却得到的玻璃带而得到玻璃板的浮法玻璃的制造方法，其中，对在浮法浴内的气氛中露出的熔融金属露出部喷射等离子体气体。

公开(公告)号：CN111315693A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880071650.1

申请日：2018-11-01

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 中尾圭介 ,  小高秀文 ,  林泰夫 ,  东诚二 ,  堀胜 ,  石川健治

IPC: C03B18/18

Abstract: 本发明涉及一种浮法玻璃的制造方法，其特征在于，是将熔解玻璃原料而得到的熔融玻璃在浮法浴内的熔融锡上成型为玻璃带，缓慢冷却得到的玻璃带而得到玻璃板的浮法玻璃的制造方法，其中，对在浮法浴内的气氛中露出的熔融金属露出部喷射等离子体气体。

公开(公告)号：CN118922921A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029994.7

申请日：2023-03-20

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 ,  AGC株式会社

Inventor： 堀胜 ,  小田修 ,  阿伦·库玛尔·达响 ,  林笃 ,  青峰信孝

IPC: H01L21/365 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明提供一种使结晶性优异且平坦性优异的氧化镓外延生长的氧化镓膜的制造装置。制造装置(1000)具有：反应室(1100)、位于反应室(1100)的内部的基板配置部(1200)、向基板配置部(1200)供给Ga的镓元素供给装置(1300)、向基板配置部(1200)供给氧构成粒子的氧元素供给装置(1400)、以及向氧元素供给装置(1400)供给包含氧和臭氧的混合气体的混合气体供给装置(1800)。氧元素供给装置(1400)具有将混合气体等离子体化的等离子体产生部。