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公开(公告)号：CN210403689U
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201920484634.7
申请日：2019-04-10
Applicant: AGC株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本实用新型提供具有适合FOWLP的制造的形状的玻璃基板。本实用新型的一个方式的玻璃基板是制造半导体封装用的玻璃基板，所述玻璃基板是俯视观察下形成为直径为50mm～450mm的圆形、或者各边为50mm～1000mm的矩形的板状部件，厚度是0.1mm～2.0mm，表面的算术平均粗糙度Ra是0.3nm～2.0nm。
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公开(公告)号：CN114222722B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201980098843.0
申请日：2019-07-29
Applicant: AGC株式会社
IPC: C03C3/091 , C03C3/062 , C03C3/064 , C03C3/068 , C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/089 , C03C3/093 , C03C3/095 , H01L23/15
Abstract: 本发明的支承玻璃基板实现挠曲的抑制和轻量化。支承玻璃基板(10)的杨氏模量(GPa)相3 3对于密度(g/cm)的比率为32.0(GPa·cm/g)以上，且是大于比率算出值的值，该比率算出值是根据组成而算出的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率。比率算出值由下式表示：α＝2·Σ{(Vi·Gi)/Mi)·Xi}。这里，Vi为支承玻璃基板(10)所含的金属氧化物的填充参数，Gi为支承玻璃基板10所含的金属氧化物的解离能，Mi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的分子量，Xi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的摩尔比。
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公开(公告)号：CN116745243A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202180087122.7
申请日：2021-12-22
Applicant: AGC株式会社
IPC: C03B5/18
Abstract: 适当地制造半导体设备。玻璃基板(10)是用于制造半导体设备的玻璃基板，在使一侧表面(10A)朝向垂直方向下方、用支承部件(B)支承一侧表面(10A)的相对于玻璃基板(10)的中心点(O)为径向外侧的第1位置(P1A)、第2位置(P2A)和第3位置(P3A)时，从垂直方向观察，另一侧表面(10B)中在垂直方向上的高度最低的位置即最低点(SB1)位于圆形的中央区域(AR)内，上述圆形的中央区域(AR)相对于第1位置(P1A)、第2位置(P2A)和第3位置(P3A)为径向内侧且中心为玻璃基板(10)的中心点(O)、直径(D1)相对于玻璃基板(10)的直径(W)为1/3的长度。
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公开(公告)号：CN114222722A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201980098843.0
申请日：2019-07-29
Applicant: AGC株式会社
IPC: C03C3/091 , C03C3/062 , C03C3/064 , C03C3/068 , C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/089 , C03C3/093 , C03C3/095 , H01L23/15
Abstract: 本发明的支承玻璃基板实现挠曲的抑制和轻量化。支承玻璃基板(10)的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率为32.0(GPa·cm3/g)以上，且是大于比率算出值的值，该比率算出值是根据组成而算出的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率。比率算出值由下式表示：α＝2·Σ{(Vi·Gi)/Mi)·Xi}。这里，Vi为支承玻璃基板(10)所含的金属氧化物的填充参数，Gi为支承玻璃基板10所含的金属氧化物的解离能，Mi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的分子量，Xi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的摩尔比。
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公开(公告)号：CN119461833A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411472674.1
申请日：2020-06-05
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明实现了挠曲的抑制与轻量化。支承玻璃基板(10)的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率为37.0(GPa·cm3/g)以上，且是大于比率算出值的值，该比率算出值是根据组成而算出的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率。比率算出值由下式表示。α＝2·Σ{(Vi·Gi)/Mi)·Xi}。这里，Vi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的填充参数，Gi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的解离能，Mi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的分子量，Xi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的摩尔比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114206793B8
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202080054588.2
申请日：2020-06-05
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明实现了挠曲的抑制与轻量化。支承玻璃基板(10)的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率为37.0(GPa·cm3/g)以上，且是大于比率算出值的值，该比率算出值是根据组成而算出的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率。比率算出值由下式表示。α＝2·Σ{(Vi·Gi)/Mi)·Xi}。这里，Vi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的填充参数，Gi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的解离能，Mi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的分子量，Xi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的摩尔比。
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公开(公告)号：CN116062991A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211324687.5
申请日：2022-10-27
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明的课题是抑制挠曲。玻璃10以氧化物基准的摩尔％表示含有SiO2：35％～60％、B2O3：0.8％～8％、Al2O3：6％～21％、MgO：17％～44％，并且(MgO/Al2O3)≥1，由式(1A)算出的测定马德隆常数m为1.05以上，线性热膨胀系数的测定值α与由组成算出的线性热膨胀系数的计算值αcal的比率即热膨胀因子为0.7以下。这里，E是玻璃10的杨氏模量的测定值，Vp是玻璃10的平均原子填充率，Gt是玻璃10的平均键离解能。
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公开(公告)号：CN119461834A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411472733.5
申请日：2020-06-05
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明实现了挠曲的抑制与轻量化。支承玻璃基板(10)的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率为37.0(GPa·cm3/g)以上，且是大于比率算出值的值，该比率算出值是根据组成而算出的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率。比率算出值由下式表示。α＝2·Σ{(Vi·Gi)/Mi)·Xi}。这里，Vi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的填充参数，Gi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的解离能，Mi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的分子量，Xi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的摩尔比。
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公开(公告)号：CN115677212A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210841052.6
申请日：2022-07-18
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明提供玻璃基板，课题在于抑制破裂，并且抑制标记的辨识性降低。玻璃基板(10)在表面(10A)设置有标记，该标记由多个点(104)构成，点(104)的深度(H)为0.5μm以上7.0μm以下，点(104)的侧面(104B)的倾斜角度为5°以上56°以下。
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