公开(公告)号：CN105579406B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201480053031.1

申请日：2014-09-22

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 宫坂聪史 ,  加藤亮祐 ,  白井正信 ,  井川信彰 ,  三浦丈宜 ,  山中一彦 ,  林泰夫 ,  谷井史朗

IPC: C03B18/20 ,  C03C21/00 ,  C03C23/00

Abstract: 本发明涉及一种玻璃板，其为在厚度方向上相对的一个面的氟浓度大于另一个面的氟浓度的玻璃板，其满足下式(1)，并且，在将横轴设为深度且将纵轴设为氟浓度(摩尔％)的由二次离子质谱分析(SIMS)得到的深度方向分布曲线上，玻璃中所含的氟量大于0.23摩尔％·μm且小于等于21摩尔％·μm。在此，氟浓度为由SIMS得到的深度1～24μm范围内的平均氟浓度(摩尔％)。0.1≤△F/△H2O…(1)；(△F及△H2O记载在说明书中)。

公开(公告)号：CN112408781B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010830955.5

申请日：2020-08-18

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 白井正信 ,  今北健二

IPC: C03C3/095 ,  C03C3/087 ,  C03B18/02

Abstract: 本发明涉及锂铝硅玻璃的制造方法和浮法玻璃板。本发明涉及一种锂铝硅玻璃的制造方法，其为使熔融玻璃流入到熔融金属浴上而将其成形为板状的锂铝硅玻璃的制造方法，其中，以氧化物基准的摩尔百分率表示，所述锂铝硅玻璃含有45％～75％的SiO2、1％～30％的Al2O3、以及1％～20％的Li2O，并且将所述熔融玻璃的流动方向上的所述熔融金属浴的长度设为L，距离其上游端0.2L～0.4L的下游区域中的所述熔融玻璃的平均粘度η2(dPa·s)与所述锂铝硅玻璃的锂辉石的晶体生长速度为0时的粘度ηB(dPa·s)满足下述式(1)和(2)，logη2‑logηB＜0.7 (1)，logη2‑logηB＞0 (2)。

公开(公告)号：CN112408781A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010830955.5

申请日：2020-08-18

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 白井正信 ,  今北健二

IPC: C03C3/095 ,  C03C3/087 ,  C03B18/02

Abstract: 本发明涉及锂铝硅玻璃的制造方法和浮法玻璃板。本发明涉及一种锂铝硅玻璃的制造方法，其为使熔融玻璃流入到熔融金属浴上而将其成形为板状的锂铝硅玻璃的制造方法，其中，以氧化物基准的摩尔百分率表示，所述锂铝硅玻璃含有45％～75％的SiO2、1％～30％的Al2O3、以及1％～20％的Li2O，并且将所述熔融玻璃的流动方向上的所述熔融金属浴的长度设为L，距离其上游端0.2L～0.4L的下游区域中的所述熔融玻璃的平均粘度η2(dPa·s)与所述锂铝硅玻璃的锂辉石的晶体生长速度为0时的粘度ηB(dPa·s)满足下述式(1)和(2)，logη2‑logηB＜0.7 (1)；logη2‑logηB＞0 (2)。