公开(公告)号：CN108293281B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201680069408.1

申请日：2016-11-21

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  云见日出也 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  宫川直通

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/08 ,  H01L51/48 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

Abstract: 一种制造光电转换元件的方法，具有：在基板上配置第一电极的步骤；在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；利用气体对具有所述第一电极以及所述第一薄膜的所述基板施加压力的步骤；在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤。

公开(公告)号：CN109075205A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780014378.9

申请日：2017-02-23

Applicant: 国立大学法人东京工业大学 ,  AGC株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  云见日出也 ,  金正焕 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  宫川直通

IPC: H01L29/786 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

Abstract: 一种氧化物半导体化合物，其含有镓和氧，光学带隙为3.4eV以上，300K下的通过霍尔(Hall)测定得到的电子的霍尔(Hall)迁移率为3cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN111406324A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880076573.9

申请日：2018-10-30

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 细野秀雄 ,  金正焕 ,  方俊皓 ,  云见日出也 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通 ,  石桥奈央 ,  增茂邦雄 ,  中村伸宏

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L31/0248 ,  H01L51/50

Abstract: 一种氧化物系的半导体化合物，其为包含金属阳离子及氧的氧化物系的半导体化合物，与前述金属阳离子键合的氢负离子H-被氟离子F-置换，所述半导体化合物具有1个～3个与金属阳离子键合的氟离子F-。