公开(公告)号：CN111033785B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201880054711.3

申请日：2018-08-23

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人山形大学

Inventor： 阿部岳文 ,  桑名保宏 ,  服部繁树 ,  鹤冈薫 ,  横山大辅

IPC: H10K85/10 ,  H10K50/15

Abstract: 本发明提供外量子效率提高、耗电少、长寿化的有机光电子元件。一种有机光电子元件，其具备：基板、设置在基板上的阳极、与阳极相对的阴极、配置在阳极与阴极之间的发光层、以及在发光层与阳极之间接触发光层而设置的空穴输送层，空穴输送层包含有机半导体材料和含氟聚合物，与发光层接触的空穴输送层的表面存在含氟聚合物。

公开(公告)号：CN111033783B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201880054534.9

申请日：2018-08-23

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人山形大学

Inventor： 服部繁树 ,  阿部岳文 ,  鹤冈薫 ,  桑名保宏 ,  横山大辅

IPC: H10K50/17 ,  H10K85/10 ,  H10K71/16

Abstract: 本发明提供折射率足够低、材料的组成不易产生不均的电荷注入层及其制造方法、以及有机光电子元件及其制造方法。一种电荷注入层，其包含含氟聚合物和半导体材料，该电荷注入层在波长区域450nm～800nm下的折射率为1.60以下。

公开(公告)号：CN110088928A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780077509.8

申请日：2017-12-13

Applicant: 国立大学法人山形大学 ,  AGC株式会社

Inventor： 横山大辅 ,  阿部岳文 ,  桑名保宏

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 提供一种不损害导电性、表面粗糙度地大幅降低折射率的电荷传输层等层及其制造方法。一种蒸镀膜组合物，其是使300℃下的饱和蒸气压为0.001Pa以上的含氟聚合物和有机半导体材料共蒸镀而成的。

公开(公告)号：CN111033784B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201880054687.3

申请日：2018-08-23

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人山形大学

Inventor： 服部繁树 ,  阿部岳文 ,  鹤冈薫 ,  桑名保宏 ,  横山大辅

IPC: H10K85/10 ,  H10K50/15

Abstract: 本发明提供发光特性和长期可靠性优异的有机光电子元件。一种有机光电子元件，其具备：基板、设置在基板上的阳极、与阳极相对的阴极、配置在阳极与阴极之间的发光层、配置在发光层与阳极之间的空穴输送层、以及在发光层与空穴输送层之间接触发光层以及空穴输送层而设置的电子阻挡层，空穴输送层包含含氟聚合物和有机半导体材料，在波长区域450nm～800nm下的折射率为1.60以下，空穴输送层和电子阻挡层以不同的材料作为形成材料，电子阻挡层的LUMO高于发光层的LUMO和空穴输送层的LUMO。

公开(公告)号：CN110088928B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201780077509.8

申请日：2017-12-13

Applicant: 国立大学法人山形大学 ,  AGC株式会社

Inventor： 横山大辅 ,  阿部岳文 ,  桑名保宏

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 提供一种不损害导电性、表面粗糙度地大幅降低折射率的电荷传输层等层及其制造方法。一种蒸镀膜组合物，其是使300℃下的饱和蒸气压为0.001Pa以上的含氟聚合物和有机半导体材料共蒸镀而成的。

公开(公告)号：CN110088927B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201780077369.4

申请日：2017-12-13

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人山形大学

Inventor： 阿部岳文 ,  桑名保宏 ,  服部繁树 ,  鹤冈薫 ,  横山大辅

IPC: H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10

Abstract: 提供外部量子效率优异的电荷传输层、及具备该电荷传输层的有机光电子元件。一种电荷传输层，其由包含含氟聚合物及半导体材料的膜形成，前述膜具有使△Eth达到0.010～0.080MV/cm的范围的材料组成。以及，一种有机光电子元件，其具备该电荷传输层。

公开(公告)号：CN111033784A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880054687.3

申请日：2018-08-23

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人山形大学

Inventor： 服部繁树 ,  阿部岳文 ,  鹤冈薫 ,  桑名保宏 ,  横山大辅

IPC: H01L51/50

Abstract: 本发明提供发光特性和长期可靠性优异的有机光电子元件。一种有机光电子元件，其具备：基板、设置在基板上的阳极、与阳极相对的阴极、配置在阳极与阴极之间的发光层、配置在发光层与阳极之间的空穴输送层、以及在发光层与空穴输送层之间接触发光层以及空穴输送层而设置的电子阻挡层，空穴输送层包含含氟聚合物和有机半导体材料，在波长区域450nm～800nm下的折射率为1.60以下，空穴输送层和电子阻挡层以不同的材料作为形成材料，电子阻挡层的LUMO高于发光层的LUMO和空穴输送层的LUMO。

公开(公告)号：CN110088927A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780077369.4

申请日：2017-12-13

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人山形大学

Inventor： 阿部岳文 ,  桑名保宏 ,  服部繁树 ,  鹤冈薫 ,  横山大辅

IPC: H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10

Abstract: 提供外部量子效率优异的电荷传输层、及具备该电荷传输层的有机光电子元件。一种电荷传输层，其由包含含氟聚合物及半导体材料的膜形成，前述膜具有使△Eth达到0.010～0.080MV/cm的范围的材料组成。以及，一种有机光电子元件，其具备该电荷传输层。

公开(公告)号：CN114600264B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202080074556.9

申请日：2020-10-22

Applicant: 国立大学法人山形大学 ,  AGC株式会社

Inventor： 横山大辅 ,  佐佐木树 ,  阿部岳文 ,  鹤冈薫 ,  中村早希

IPC: H10K50/10 ,  H10K50/11 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16 ,  H10K50/85 ,  H10K50/858 ,  H10K71/00

Abstract: 提供一种将有机半导体作为形成材料、且折射率比有机半导体低的多孔膜。另外，提供具有这样的多孔膜的有机光电子元件。另外，提供能够容易地制造这样的多孔膜的多孔膜的制造方法。一种多孔膜，其将有机半导体作为形成材料，且具有沿膜厚方向延伸的多个连续孔。

公开(公告)号：CN114600264A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080074556.9

申请日：2020-10-22

Applicant: 国立大学法人山形大学 ,  AGC株式会社

Inventor： 横山大辅 ,  佐佐木树 ,  阿部岳文 ,  鹤冈薫 ,  中村早希

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种将有机半导体作为形成材料、且折射率比有机半导体低的多孔膜。另外，提供具有这样的多孔膜的有机光电子元件。另外，提供能够容易地制造这样的多孔膜的多孔膜的制造方法。一种多孔膜，其将有机半导体作为形成材料，且具有沿膜厚方向延伸的多个连续孔。