公开(公告)号：CN111566047B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201880083744.0

申请日：2018-12-25

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 神谷广幸 ,  金贤枝 ,  松原俊哉

IPC: C01B33/18 ,  C01B33/187

Abstract: 课题在于，提供一种具有致密的二氧化硅壳层的中空二氧化硅颗粒。一种中空二氧化硅颗粒的制造方法，其中，将包含水相、油相、及表面活性剂的水包油型乳液的pH设为3.0以下，在该水包油型乳液中添加第1二氧化硅原料，在碱金属离子存在下，在添加有第1二氧化硅原料的乳液中以乳液的pH为8以上的方式添加第2二氧化硅原料，得到中空二氧化硅前体分散液，由中空二氧化硅前体分散液得到中空二氧化硅前体，然后由中空二氧化硅前体得到中空二氧化硅颗粒。

公开(公告)号：CN111566047A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880083744.0

申请日：2018-12-25

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 神谷广幸 ,  金贤枝 ,  松原俊哉

IPC: C01B33/18 ,  C01B33/187

Abstract: 课题在于，提供一种具有致密的二氧化硅壳层的中空二氧化硅颗粒。一种中空二氧化硅颗粒的制造方法，其中，将包含水相、油相、及表面活性剂的水包油型乳液的pH设为3.0以下，在该水包油型乳液中添加第1二氧化硅原料，在碱金属离子存在下，在添加有第1二氧化硅原料的乳液中以乳液的pH为8以上的方式添加第2二氧化硅原料，得到中空二氧化硅前体分散液，由中空二氧化硅前体分散液得到中空二氧化硅前体，然后由中空二氧化硅前体得到中空二氧化硅颗粒。

公开(公告)号：CN116924418A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310895158.9

申请日：2018-12-25

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 神谷广幸 ,  金贤枝 ,  松原俊哉

IPC: C01B33/18 ,  C01B33/193 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及中空二氧化硅颗粒的制造方法。课题在于，提供一种具有致密的二氧化硅壳层的中空二氧化硅颗粒。一种中空二氧化硅颗粒的制造方法，其中，将包含水相、油相、及表面活性剂的水包油型乳液的pH设为3.0以下，在该水包油型乳液中添加第1二氧化硅原料，在碱金属离子存在下，在添加有第1二氧化硅原料的乳液中以乳液的pH为8以上的方式添加第2二氧化硅原料，得到中空二氧化硅前体分散液，由中空二氧化硅前体分散液得到中空二氧化硅前体，然后由中空二氧化硅前体得到中空二氧化硅颗粒。

公开(公告)号：CN115210179A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202180017150.1

申请日：2021-02-22

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 松原俊哉 ,  金贤枝 ,  片山肇 ,  荒井雄介

IPC: C01B33/12 ,  C01B33/193

Abstract: 本发明提供壳层致密化的新型的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内侧具有空间部，前述中空二氧化硅颗粒的、通过基于使用了氦气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度为2.00g/cm3以上，并且通过基于使用了氧气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度小于2.00g/cm3。

公开(公告)号：CN118145659A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410266841.0

申请日：2021-02-22

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 松原俊哉 ,  金贤枝 ,  片山肇 ,  荒井雄介

IPC: C01B33/193

Abstract: 本发明提供壳层致密化的新型的中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内侧具有空间部，前述中空二氧化硅颗粒的、通过基于使用了氦气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度为2.00g/cm3以上，并且通过基于使用了氧气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度小于2.00g/cm3。

公开(公告)号：CN115210179B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202180017150.1

申请日：2021-02-22

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 松原俊哉 ,  金贤枝 ,  片山肇 ,  荒井雄介

IPC: C01B33/12 ,  C01B33/193

Abstract: 本发明提供壳层致密化的新型的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内侧具有空间部，前述中空二氧化硅颗粒的、通过基于使用了氦气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度为2.00g/cm3以上，并且通过基于使用了氧气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度小于2.00g/cm3。