公开(公告)号：CN107852805A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201480084528.X

申请日：2014-12-05

Applicant: AGC玻璃欧洲公司 ,  北美AGC平板玻璃公司 ,  旭硝子株式会社

Inventor： T·比凯 ,  P·马诗威茨 ,  J·钱伯斯 ,  H·维亚姆

IPC: H05H1/24

Abstract: 本发明涉及空心阴极等离子体源和用于使用这样的等离子体源进行表面处理或涂覆的方法，空心阴极等离子体源包括第一和第二电极(1、2)，每个电极包括细长腔(4)，其中选择下面的参数中的至少一个的尺度，以便确保高电子密度和/或等离子体源腔表面的低溅射量，那些参数是腔横截面形状、腔横截面面积、腔距离(11)和出口喷嘴宽度(12)。

公开(公告)号：CN107852805B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201480084528.X

申请日：2014-12-05

Applicant: AGC玻璃欧洲公司 ,  北美AGC平板玻璃公司 ,  AGC株式会社

Inventor： T·比凯 ,  P·马诗威茨 ,  J·钱伯斯 ,  H·维亚姆

IPC: H05H1/24

Abstract: 本发明涉及空心阴极等离子体源和用于使用这样的等离子体源进行表面处理或涂覆的方法，空心阴极等离子体源包括第一和第二电极(1、2)，每个电极包括细长腔(4)，其中选择下面的参数中的至少一个的尺度，以便确保高电子密度和/或等离子体源腔表面的低溅射量，那些参数是腔横截面形状、腔横截面面积、腔距离(11)和出口喷嘴宽度(12)。