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公开(公告)号：CN118946856A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202380030987.9
申请日：2023-03-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·P·J·M·迪克斯 , P·J·M·格林 , G·J·J·洛夫 , K·J·G·欣恩
Abstract: 一种设备，所述设备包括多层结构，该多层结构被配置为反射电磁辐射。该设备包括传感器，该传感器被配置为检测电磁辐射在从多层结构反射之后的角分布。该设备包括处理器，该处理器被配置为至少部分地基于传感器所检测到的电磁辐射的角分布来生成第一函数。处理器被配置为将第一函数和与多个已知角反射率曲线相关联的多个已知函数进行比较，以从多个已知函数中识别与第一函数最相似的第二函数。处理器被配置为至少部分地基于与第二函数相关联的已知角反射率曲线来确定多层结构的角反射率曲线。
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公开(公告)号：CN109196420B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201780032851.6
申请日：2017-05-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： G·F·J·沙斯富特 , P·德格罗特 , M·Y·斯德拉科夫 , M·P·J·M·迪克斯 , J·M·芬德尔斯 , 彼得-詹·范兹沃勒 , J·J·M·巴塞曼斯 , S·鲍默 , L·C·德温特 , W·J·恩格伦 , M·A·范德柯克霍夫 , R·J·伍德
Abstract: 一种图案形成装置，包括反射式标识，其中所述标识包括：多个反射区域，被配置为优先反射具有给定波长的辐射；多个吸收区域，被配置为优先吸收具有所述给定波长的辐射；其中所述吸收区域和反射区域被布置成形成在用辐射照射所述标识时从所述标识反射的图案化辐射束，其中所述反射区域包括粗糙化的反射表面，所述粗糙化的反射表面被配置为扩散从所述反射区域反射的辐射，以及其中所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为给定波长的八分之一或更大。
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公开(公告)号：CN109196420A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032851.6
申请日：2017-05-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： G·F·J·沙斯富特 , P·德格罗特 , M·Y·斯德拉科夫 , M·P·J·M·迪克斯 , J·M·芬德尔斯 , 彼得-詹·范兹沃勒 , J·J·M·巴塞曼斯 , S·鲍默 , L·C·德温特 , W·J·恩格伦 , M·A·范德柯克霍夫 , R·J·伍德
CPC classification number: G03F1/24 , G02B5/0278 , G02B5/0284 , G02B5/22 , G02B2005/1804 , G03F1/42 , G03F1/44 , G03F7/706 , G03F7/70683 , G03F9/7076
Abstract: 一种图案形成装置，包括反射式标识，其中所述标识包括：多个反射区域，被配置为优先反射具有给定波长的辐射；多个吸收区域，被配置为优先吸收具有所述给定波长的辐射；其中所述吸收区域和反射区域被布置成形成在用辐射照射所述标识时从所述标识反射的图案化辐射束，其中所述反射区域包括粗糙化的反射表面，所述粗糙化的反射表面被配置为扩散从所述反射区域反射的辐射，以及其中所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为给定波长的八分之一或更大。
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