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公开(公告)号：CN101816045A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880110509.4
申请日：2008-10-16
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01B1/22 , C03C8/14 , C03C8/18 , H01B1/16 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , H05K1/092 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/31536
Abstract: 本文所述为硅半导体装置以及用于太阳能电池装置正面上的无铅导电银浆。
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公开(公告)号：CN103907198A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052909.0
申请日：2012-11-05
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02245 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于形成n型半导体基板的至少一个p型掺杂铝表面区域的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供n型半导体基板，(2)在所述n型半导体基板的至少一个表面区域上施加并干燥铝浆，(3)焙烧所述干燥过的铝浆，以及(4)用水除去所述焙烧过的铝浆，其中在步骤(2)中使用的所述铝浆包含粒状铝、有机载体和基于总铝浆组合物计3至20重量％的玻璃料。
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公开(公告)号：CN103733349A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039124.X
申请日：2012-08-10
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: H01L31/0224 , H01B1/16 , H01B1/22 , C03C8/18 , C03C8/02
CPC classification number: H01L31/022425 , C03C8/04 , C03C8/06 , C03C8/18 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及不具有烧透能力或仅具有较差烧透能力的铝浆，所述铝浆包含铝颗粒、至少一种包含以下物质的玻璃料：0.5至15重量%SiO2、0.3至10重量%Al2O3、以及67至75重量%Bi2O3（重量百分比以玻璃料的总重量计）、以及有机载体。铝浆用于PERC（钝化发射极和背面触点）硅太阳能电池的铝背面电极的制造中，其中所述浆料施加在硅片背面上的穿孔的介电钝化层上，并且随后干燥并焙烧，或者作为另外一种选择，其中所述浆料施加在硅片背面上的未穿孔的钝化层上，干燥并焙烧，并且随后激光干燥铝层和钝化层，以在钝化层中产生穿孔并形成局部BSF（背表面场）触点。
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公开(公告)号：CN105960682A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201580007029.5
申请日：2015-02-06
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01B3/306 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1067 , C08K2003/382 , C08K2201/001 , C09D179/08 , H01B1/22 , H01B3/004 , H01B3/38 , H05K1/056 , H05K2201/0154 , Y10T428/25 , Y10T428/263 , C08K3/38 , C08L63/00
Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺浆料及其制备方法。所述聚酰亚胺浆料用于制备电介质材料，以及包括含有聚酰亚胺浆料的至少一个层的装置。
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公开(公告)号：CN103907207A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052895.2
申请日：2012-11-05
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L21/22 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/2205 , H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/02245 , H01L31/06 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于形成半导体基板的至少一个p型掺杂铝表面区域的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供半导体基板，(2)在所述半导体基板的至少一个表面区域上施加并干燥铝浆，(3)焙烧所述干燥过的铝浆，以及(4)用水除去所述焙烧过的铝浆，其中在步骤(2)中使用的所述铝浆包含粒状铝、有机载体和基于总铝浆组合物计3至20重量％的玻璃料。
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公开(公告)号：CN102144264A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980135103.6
申请日：2009-09-08
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: H01B1/16
CPC classification number: H01B1/16 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明描述了包含球状和结核状的粒状铝以及有机载体的铝浆，以及它们在形成硅太阳能电池的p型铝背面电极时的用途。
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公开(公告)号：CN105960682B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580007029.5
申请日：2015-02-06
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01B3/306 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1067 , C08K2003/382 , C08K2201/001 , C09D179/08 , H01B1/22 , H01B3/004 , H01B3/38 , H05K1/056 , H05K2201/0154 , Y10T428/25 , Y10T428/263 , C08K3/38 , C08L63/00
Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺浆料及其制备方法。所述聚酰亚胺浆料用于制备电介质材料，以及包括含有聚酰亚胺浆料的至少一个层的装置。
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公开(公告)号：CN103503080A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280009271.2
申请日：2012-03-05
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: H01B1/22 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法，包括以下步骤：(1)提供在其正面上具有n型发射极的p型硅片，所述n型发射极在其上具有ARC层和在其背面上的穿孔的介电钝化层，所述介电钝化层具有在穿孔的位置处的局部BSF触点，(2)施加并干燥银浆以在所述硅片的背面上形成连接局部BSF触点的银背面电极图案，以及(3)焙烧所述干燥的银浆，从而使所述晶片达到700-900℃的峰值温度，其中所述银浆不具有烧透能力或仅具有差的烧透能力，并且包含粒状银和有机载体。
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公开(公告)号：CN101990688A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200980112895.5
申请日：2009-04-08
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/0224
CPC classification number: H01B1/22 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了包含粒状铝、有机锡组分以及有机载体的铝浆及其在形成硅太阳能电池的p型铝背面电极中的用途。
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公开(公告)号：CN103918089A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054039.0
申请日：2012-09-06
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于生产具有铝背面电极的LFC-PERC硅太阳能电池的方法，其中使用了铝浆，所述铝浆不具有或仅具有较差的烧透能力，并且包括粒状铝、玻璃料、有机载体和基于总铝浆组合物计0.01至
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