公开(公告)号：CN1596385A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN02823609.2

申请日：2002-06-04

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 盐田勇树 ,  野泽顺 ,  大久保亮 ,  三井英明

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32

Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，该半色调型相移掩膜坯料用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，在透明基板上具有透过曝光光的透光部和、在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部、和用于形成所述相移部的相移膜，其中，该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度，相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。

公开(公告)号：CN1924697B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200610094622.0

申请日：2002-06-04

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 盐田勇树 ,  野泽顺 ,  大久保亮 ,  三井英明

IPC: G03F1/32

Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。

公开(公告)号：CN1896868B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200610094621.6

申请日：2002-06-04

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 盐田勇树 ,  野泽顺 ,  大久保亮 ,  三井英明

IPC: G03F1/32

Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。

公开(公告)号：CN1924697A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610094622.0

申请日：2002-06-04

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 盐田勇树 ,  野泽顺 ,  大久保亮 ,  三井英明

IPC: G03F1/00

Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阳止膜构成。

公开(公告)号：CN1896868A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610094621.6

申请日：2002-06-04

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 盐田勇树 ,  野泽顺 ,  大久保亮 ,  三井英明

IPC: G03F1/00

Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。

公开(公告)号：CN100440038C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN02823609.2

申请日：2002-06-04

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 盐田勇树 ,  野泽顺 ,  大久保亮 ,  三井英明

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32

Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。