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公开(公告)号：CN111344633A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880072967.7
申请日：2018-11-20
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光用光以规定的透过率透过的功能以及产生规定的相位差的功能，能够抑制与热膨胀相伴的图案的位置偏移。相移膜具有使ArF准分子激光的曝光用光以15％以上的透过率透过的功能以及产生150度以上200度以下的相位差的功能，由含有非金属元素与硅的材料形成，第一层与透光性基板的表面相接地设置，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＜n2以及n2＞n3的关系，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＞k2＞k3的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111902772A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980022136.3
申请日：2019-03-15
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明涉及一种掩模坯料(100)，其在透光性基板(1)上具备相移膜(2)，该相移膜(2)包含依次层叠有下层(21)、中间层(22)及上层(23)的结构，下层(21)由氮化硅类材料形成，中间层(22)由氮氧化硅类材料形成，上层(23)由氧化硅类材料形成，下层(21)的氮的含量比中间层(22)及上层(23)多，上层(23)的氧的含量比中间层(22)及下层(21)多，中间层(22)的膜厚相对于相移膜(2)的整体膜厚的比率为0.15以上，上层(21)的膜厚相对于相移膜(2)的整体膜厚的比率为0.10以下。
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公开(公告)号：CN116841118A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310713382.1
申请日：2019-01-08
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，所述相移膜是在与所述透光性基板相反侧的表面及其附近的区域具有氧的含量增加的组成梯度部的单层膜，所述相移膜由含有选自非金属元素及半金属元素中的1种以上元素、氮及硅的材料形成，对所述相移膜进行X射线光电子能谱分析，获得所述相移膜中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对所述透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得所述透光性基板中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s，此时，用所述相移膜中的最大峰PSi_f除以所述透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。
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公开(公告)号：CN111758071B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201980014769.X
申请日：2019-01-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明涉及一种掩模坯料，在其透光性基板上具备的相移膜至少包含含氮层和含氧层，含氮层由氮化硅类材料形成，含氧层由氧化硅类材料形成，对含氮层进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s时，用含氮层中的最大峰PSi_f除以透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。
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公开(公告)号：CN111344633B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201880072967.7
申请日：2018-11-20
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光用光以规定的透过率透过的功能以及产生规定的相位差的功能，能够抑制与热膨胀相伴的图案的位置偏移。相移膜具有使ArF准分子激光的曝光用光以15％以上的透过率透过的功能以及产生150度以上200度以下的相位差的功能，由含有非金属元素与硅的材料形成，第一层与透光性基板的表面相接地设置，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＜n2以及n2＞n3的关系，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＞k2＞k3的关系。
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公开(公告)号：CN111758071A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201980014769.X
申请日：2019-01-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明涉及一种掩模坯料，在其透光性基板上具备的相移膜至少包含含氮层和含氧层，含氮层由氮化硅类材料形成，含氧层由氧化硅类材料形成，对含氮层进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s时，用含氮层中的最大峰PSi_f除以透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。
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