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发明公开
掩膜基板、转印用掩膜及其制造方法、半导体设备的制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN112147840A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010564772.3

申请日：2020-06-19

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 福井亨 , 桥本雅广 , 打田崇

IPC: G03F1/32 , G03F7/20 , H01L21/027

Abstract: 提供一种掩膜基板，能够在光刻胶膜上形成线宽度比激光描绘装置的激光的波长小的图案。掩膜基板在基板上具备遮光膜。遮光膜由含有金属元素的材料构成。遮光膜是所述金属元素的含量在厚度方向上变化的组分倾斜膜。在遮光膜从接近基板的一方依次被分割为遮光部和防反射部时，防反射部相对于350nm以上且520nm以下的波长区域的光的折射率nA为2.1以下。在波长区域的光透过所述防反射部时波长区域的光所产生的相位差为28度以上。

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