公开(公告)号：CN101215421A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810002129.0

申请日：2001-06-15

Applicant: JSR株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 西村幸生 ,  山原登 ,  山本将史 ,  梶田徹 ,  下川努 ,  伊藤洋

IPC: C08L101/06 ,  C08K5/16 ,  G03F7/004 ,  C08F232/08 ,  C08F222/06 ,  C08F220/12 ,  C08G61/08

Abstract: 公开了含有含酸不稳定基的树脂和光致酸产生剂的辐射敏感树脂组合物。该树脂具有通式(1)的结构，其中R1表示氢原子、一价酸不稳定基、不带有酸不稳定基的1－6碳烷基，或不带有酸不稳定基的2－7碳烷羰基，X1表示带有1－4个碳原子的直链的或支化氟化烷基，R2表示氢原子、带有1－10个碳原子的直链的或支化烷基，或带有1－10个碳原子的直链的或支化氟化烷基。该树脂组合物表现出高辐照穿透率、高敏感度、分辨率和图案形状，可用作高产率半导体制造中的化学增强型抗蚀剂。

公开(公告)号：CN100374506C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN01124927.7

申请日：2001-06-15

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 西村幸生 ,  山原登 ,  山本将史 ,  梶田徹 ,  下川努 ,  伊藤洋

IPC: C08L101/08 ,  C08K5/10

CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

Abstract: 公开了含有含酸不稳定基的树脂和光致酸产生剂的辐射敏感树脂组合物。该树脂具有通式(1)的结构，其中R1表示氢原子、一价酸不稳定基、不带有酸不稳定基的1-6碳烷基，或不带有酸不稳定基的2-7碳烷羰基，X1表示带有1-4个碳原子的直链的或支化氟化烷基，R2表示氢原子、带有1-10个碳原子的直链的或支化烷基，或带有1-10个碳原子的直链的或支化氟化烷基。该树脂组合物表现出高辐照穿透率、高敏感度、分辨率和图案形状，可用作高产率半导体制造中的化学增强型抗蚀剂。

公开(公告)号：CN1886410A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480034903.6

申请日：2004-10-14

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 西村功 ,  山原登 ,  田中正人 ,  下川努

IPC: C07F7/18 ,  C08G77/14 ,  G03F7/075 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供适合作为I－D偏差、焦点会聚范围(DOF)等特别优异的化学放大型抗蚀剂中的树脂成分的新型聚硅氧烷，作为合成该聚硅氧烷的原料等有用的新型硅烷化合物，和含有该聚硅氧烷的放射线敏感性树脂组合物。硅烷化合物用下述式(I)表示。聚硅氧烷具有下述式(1)表示的结构单元(R表示烷基，R1与R2表示氟原子、低级烷基或低级氟代烷基，n是0或1，k是1或2，i是0～10的整数)。放射线敏感性树脂组合物含有该聚硅氧烷和放射线敏感性酸发生剂。

公开(公告)号：CN1332205A

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN01124927.7

申请日：2001-06-15

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 西村幸生 ,  山原登 ,  山本将史 ,  梶田徹 ,  下川努 ,  伊藤洋

IPC: C08L101/08 ,  C08K5/10

CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

Abstract: 公开了含有含酸不稳定基的树脂和光致酸产生剂的辐射敏感树脂组合物。该树脂具有通式(1)的结构,其中R1表示氢原子、一价酸不稳定基、不带有酸不稳定基的1－6碳烷基,或不带有酸不稳定基的2－7碳烷羰基,X1表示带有1－4个碳原子的直链的或支化氟化烷基,R2表示氢原子、带有1－10个碳原子的直链的或支化烷基,或带有1－10个碳原子的直链的或支化氟化烷基、该树脂组合物表现出高辐照穿透率、高敏感度、分辨率和图案形状,可用作高产率半导体制造中的化学增强型抗蚀剂。