公开(公告)号：CN104812937B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201380056575.9

申请日：2013-12-02

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 李晟焕 ,  金东烈 ,  黄樯渊

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/458 ,  C23C16/545

Abstract: 本申请涉及一种形成膜层的装置，以及原子层沉积法或形成膜层的方法。根据本申请，提供了一种能够通过连续原子层沉积有效形成所需膜层的形成膜层的装置，以及采用所述形成膜层的装置的原子层沉积法或形成膜层的方法。

公开(公告)号：CN104812936B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201380062324.1

申请日：2013-12-02

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 李晟焕 ,  金东烈 ,  黄樯渊

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205

Abstract: 本申请涉及一种辊子、一种薄膜形成装置以及一种薄膜形成方法。本申请提供了一种用于能够传送基板(例如，柔性基板，诸如塑料膜及纤维或金属网或薄膜)且同时可在基板表面上形成薄膜的装置中的辊子、包括辊子的薄膜形成装置以及利用薄膜形成装置的薄膜形成方法。

公开(公告)号：CN104812937A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380056575.9

申请日：2013-12-02

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 李晟焕 ,  金东烈 ,  黄樯渊

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/458 ,  C23C16/545

Abstract: 本申请涉及一种形成膜层的装置，以及原子层沉积法或形成膜层的方法。根据本申请，提供了一种能够通过连续原子层沉积有效形成所需膜层的形成膜层的装置，以及采用所述形成膜层的装置的原子层沉积法或形成膜层的方法。

公开(公告)号：CN104812936A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380062324.1

申请日：2013-12-02

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 李晟焕 ,  金东烈 ,  黄樯渊

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/458 ,  B65H23/0251 ,  B65H27/00 ,  B65H2404/1317 ,  B65H2404/132 ,  B65H2404/5211 ,  B65H2701/132 ,  B65H2801/61 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/545 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67706

Abstract: 本申请涉及一种辊子、一种薄膜形成装置以及一种薄膜形成方法。本申请提供了一种用于能够传送基板(例如，柔性基板，诸如塑料膜及纤维或金属网或薄膜)且同时可在基板表面上形成薄膜的装置中的辊子、包括辊子的薄膜形成装置以及利用薄膜形成装置的薄膜形成方法。

公开(公告)号：CN104822860A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380062671.4

申请日：2013-11-29

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 金东烈 ,  黄樯渊 ,  李晟焕 ,  柳相旭 ,  金俊衡 ,  孙凡权 ,  李贤智

IPC: C23C26/00

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  C23C28/00

Abstract: 本申请涉及一种减少对阻隔层的损害的涂布方法。在进行用于保护阻隔膜的阻隔层的保护性涂布中，通过不与阻隔层直接接触的涂布方法，本发明的阻隔膜能够通过抑制透水性的劣化而改进气体阻隔性能。