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公开(公告)号：CN103987660A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201380004099.6
申请日：2013-11-29
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B33/113 , H01M10/05
CPC classification number: H01M4/48 , C01B33/113 , H01M4/0471 , H01M4/049 , H01M4/485 , H01M10/052 , Y02P70/54
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅的制备方法、由该法制备的氧化硅以及包括该氧化硅的二次电池，在所述制备方法中，通过从含有较大量氧的氧化硅中减少氧的量来适当地控制硅和氧的量。根据所述氧化硅的制备方法，在还原性气氛下对含较大量氧的氧化硅(第一氧化硅)进行热处理来减少氧化硅(第一氧化硅)中氧的量，并制备包含合适量的硅和氧的氧化硅(第二氧化硅)(Si：SiO2＝1:0.7～0.98)，从而提高所述二次电池的容量特性和初始效率并确保其稳定性和循环特性(寿命特征)。
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公开(公告)号：CN103974905A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201380004036.0
申请日：2013-10-15
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B33/149 , H01M4/48 , H01M10/05 , C01B33/113
CPC classification number: H01M4/366 , C01B32/05 , C01B33/113 , C01B33/181 , H01M4/0421 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种氧化硅-碳复合物及其制备方法。更具体地，本发明提供一种氧化硅-碳复合物的制备方法以及由该方法制备的氧化硅-碳复合物，所述方法包括：将硅和二氧化硅混合并加入反应室内、降低反应室的压力以获得高真空度同时将反应室内的温度升高到反应温度、在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应、以及在通过所述反应制备的氧化硅的表面覆盖碳。
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公开(公告)号：CN103974905B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201380004036.0
申请日：2013-10-15
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B33/149 , H01M4/48 , H01M10/05 , C01B33/113
CPC classification number: H01M4/366 , C01B32/05 , C01B33/113 , C01B33/181 , H01M4/0421 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种氧化硅-碳复合物及其制备方法。更具体地，本发明提供一种氧化硅-碳复合物的制备方法以及由该方法制备的氧化硅-碳复合物，所述方法包括：将硅和二氧化硅混合并加入反应室内、降低反应室的压力以获得高真空度同时将反应室内的温度升高到反应温度、在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应、以及在通过所述反应制备的氧化硅的表面覆盖碳。
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公开(公告)号：CN103987660B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380004099.6
申请日：2013-11-29
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B33/113 , H01M10/05
CPC classification number: H01M4/48 , C01B33/113 , H01M4/0471 , H01M4/049 , H01M4/485 , H01M10/052 , Y02P70/54
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅的制备方法、由该法制备的氧化硅以及包括该氧化硅的二次电池，在所述制备方法中，通过从含有较大量氧的氧化硅中减少氧的量来适当地控制硅和氧的量。根据所述氧化硅的制备方法，在还原性气氛下对含较大量氧的氧化硅(第一氧化硅)进行热处理来减少氧化硅(第一氧化硅)中氧的量，并制备包含合适量的硅和氧的氧化硅(第二氧化硅)(Si：SiO2＝1:0.7～0.98)，从而提高所述二次电池的容量特性和初始效率并确保其稳定性和和循环特性(寿命特征)。
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