公开(公告)号：CN1122831C

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN98100476.8

申请日：1998-03-03

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金寅式 ,  金泰润 ,  沈映助 ,  李准培

IPC: G01J5/16 ,  G01D3/028

CPC classification number: G01J5/16 ,  G01J5/026 ,  G01J5/06 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0815 ,  G01J5/0846 ,  G01J5/0862 ,  G01J5/0893 ,  G01J2005/068

Abstract: 本发明公开了一种红外传感器，其自身进行温度补偿其包括：衬底；在衬底上所形成的薄膜；在薄膜的区域上所形成的第一热电偶传感器，和第二热电偶传感器，在壳体中的红外滤波器；和反射器。

公开(公告)号：CN1197925A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98100476.8

申请日：1998-03-03

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金寅式 ,  金泰润 ,  沈映助 ,  李准培

IPC: G01D5/26 ,  G01D3/028

CPC classification number: G01J5/16 ,  G01J5/026 ,  G01J5/06 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0815 ,  G01J5/0846 ,  G01J5/0862 ,  G01J5/0893 ,  G01J2005/068

Abstract: 本发明公开了一种红外传感器,其自身进行温度补偿其包括:衬底;在衬底上所形成的薄膜;在薄膜的区域上所形成的第一热电偶传感器,和第二热电偶传感器,在壳体中的红外滤波器;和反射器。

公开(公告)号：CN1155122C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99105587.X

申请日：1999-02-28

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金寅式 ,  金泰润

IPC: H01L35/32 ,  G01N21/27 ,  G01K7/02

CPC classification number: G01J5/12 ,  Y10T29/49002

Abstract: 热电偶检测器及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成隔膜；在隔膜的指定区域上形成热电偶；在热电偶上形成保护膜；在保护膜上形成光致抗蚀剂和从指定区域上除去光致抗蚀剂；在包含光致抗蚀剂的整个表面上形成黑体和除去残余的光致抗蚀剂及光致抗蚀剂上的黑体，该黑体由Ru，Ir，RuOx或IrOx组成；从衬底背面的指定区域上除去部分衬底以便暴露隔膜，由此与已有半导体制造过程兼容，提高了产量，并控制黑体的均匀特性。由于有良好结合力的黑体，故能提高产量和降低热电偶生产成本。

公开(公告)号：CN1233078A

公开(公告)日：1999-10-27

申请号：CN99105587.X

申请日：1999-02-28

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金寅式 ,  金泰润

IPC: H01L35/00

CPC classification number: G01J5/12 ,  Y10T29/49002

Abstract: 热电偶检测器及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成隔膜;在隔膜的指定区域上形成热电偶;在热电偶上形成保护膜;在保护膜上形成光致抗蚀剂和从指定区域上除去光致抗蚀剂;在包含光致抗蚀剂的整个表面上形成黑体和除去残余的光致抗蚀剂及光致抗蚀剂上的黑体;从衬底背面的指定区域上除去部分衬底以便暴露隔膜,由此与已有半导体制造过程兼容,提高了产量,并控制黑体的均匀特性。由于有良好结合力的黑体,故能提高产量和降低热电偶生产成本。