平面内开关模式有源矩阵型液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1287207C

    公开(公告)日:2006-11-29

    申请号:CN03109275.6

    申请日:2003-04-04

    CPC classification number: G02F1/134363 G02F2001/136218 G02F2201/40

    Abstract: 平面内开关模式有源矩阵型液晶显示器件(10),包括:第一基片(11),位于第一基片对面的第二基片(12),夹在第一基片和第二基片之间的液晶层(13)。第一基片包括:薄膜晶体管(30),像素电极(25),公共电极(27),数据线(24),扫描线(20),和公共电极线(21)。扫描线(20)和公共电极线(21)相互平行地在公共层中形成。公共电极(27)与数据线(24)和扫描线(20)重叠,在它们之间有层间绝缘膜(26)。在围绕扫描线(20)的每一侧单个地形成公共电极线(21)。公共电极(27)通过穿透层间绝缘膜(26)形成的接触孔(29)电连接到公共电极线(21),并且公共电极遮盖在扫描线和公共电极线之间形成的一个间隙。

    有源矩阵型液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1222813C

    公开(公告)日:2005-10-12

    申请号:CN02131667.8

    申请日:2002-09-12

    Inventor: 松本公一

    Abstract: 在一种有源矩阵型液晶显示装置中,其中公共电极(111)和第二像素电极(112)具有彼此相对的部分,在两个电极(111,112)之间产生平行于基板(101,201)的电场,在数据线(106)上通过第二层间绝缘膜(110)形成公共电极(111)的Y方向延伸部分(111b)。在公共电极(111)的Y方向延伸部分(111b)中沿数据线(106)方向开有狭缝(115)。在与狭缝(115)相对的部分,在对面基板(200)上形成被设置成与公共电极(111)具有相同电势的黑色矩阵(202)的部分(202a)。

    平面开关模式有源矩阵型液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100373246C

    公开(公告)日:2008-03-05

    申请号:CN200410098280.0

    申请日:2002-10-18

    Abstract: 一种平面开关模式有源矩阵型液晶显示器件,包括第一基板(11)、与第一基板对置的第二基板(12)和夹在第一和第二基板之间的液晶层(13)。第一基板包括薄膜晶体管、分别与所要驱动的像素相关的像素电极(27)、公共电极(26)、数据线、扫描线和公共电极线。液晶分子轴在平行于第一基板的平面上、借助大体上平行于第一基板的平面的电场进行旋转,以便显示一定的图象。公共电极(26)由透明材料制成,其形成在比数据线更接近液晶层的位置上。除了在位于扫描线附近的数据线的区域之外,公共电极(26)完全与数据线(24)重叠。该液晶显示器件进一步包括在公共电极完全与数据线重叠的区域中的不透光层(17),该不透光层由黑基底层(17)形成,其宽度小于公共电极的宽度。

    有源矩阵型液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1482494A

    公开(公告)日:2004-03-17

    申请号:CN02131667.8

    申请日:2002-09-12

    Inventor: 松本公一

    Abstract: 在一种有源矩阵型液晶显示装置中,其中公共电极(111)和第二像素电极(112)具有彼此相对的部分,在两个电极(111,112)之间产生平行于基板(101,201)的电场,在数据线(106)上通过第二层间绝缘膜(110)形成公共电极(111)的Y方向延伸部分(111b)。在公共电极(111)的Y方向延伸部分(111b)中沿数据线(106)方向开有狭缝(115)。在与狭缝(115)相对的部分,在对面基板(200)上形成被设置成与公共电极(111)具有相同电势的黑色矩阵(202)的部分(202a)。

    有源矩阵型液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1470907A

    公开(公告)日:2004-01-28

    申请号:CN02126572.0

    申请日:2002-07-24

    Abstract: 在一种面内转换(IPS)模式有源矩阵型液晶显示器件中,在有源元件基片11上提供供应数据信号的数据线24、施加参考电压的公用电极布线部分26a和26b、公用电极26、对应要显示的像素的像素电极、供应扫描信号的扫描线28和TFT 50。公用电极布线部分26a和26b通过采用第一金属层形成,平行于扫描线延伸并在其周边部分连接到公用电极电位。突出部分299a和299b按照突出部分位于后面要形成的数据线24两侧的方式形成在公用电极布线部分26a和26b中的至少一个内。减少了显示器件的显示不均匀性并提高了其孔径比。

    面内开关模式液晶显示器

    公开(公告)号:CN1448762A

    公开(公告)日:2003-10-15

    申请号:CN03108606.3

    申请日:2003-03-31

    CPC classification number: G02F1/134363 G02F1/136286 G02F2001/136218

    Abstract: 一种面内开关模式液晶显示器,包括:基底,在基底上形成的扫描线,基底上形成与扫描线交叉,同时在数据线和扫描线之间插入了绝缘薄膜的数据线,以及放置在比扫描线和数据线距离基底更远,宽度大于扫描线和数据线的宽度的透明公共电极互连线,此外,还在几何上覆盖扫描线和数据线。这种器件的结构使得来自数据线和扫描线的所有电场都在公共电极互连线上终止。用透明导电薄膜形成的公共电极互连线能够保持器件的孔径比。

    有源矩阵型液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1252525C

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN02126572.0

    申请日:2002-07-24

    Abstract: 在一种面内转换(IPS)模式有源矩阵型液晶显示器件中,在有源元件基片11上提供供应数据信号的数据线24、施加参考电压的公用电极布线部分26a和26b、公用电极26、对应要显示的像素的像素电极、供应扫描信号的扫描线28和TFT 50。公用电极布线部分26a和26b通过采用第一金属层形成,平行于扫描线延伸并在其周边部分连接到公用电极电位。突出部分299a和299b按照突出部分位于后面要形成的数据线24两侧的方式形成在公用电极布线部分26a和26b中的至少一个内。减少了显示器件的显示不均匀性并提高了其孔径比。

    采用横向电场的有源矩阵寻址液晶显示装置

    公开(公告)号:CN1221845C

    公开(公告)日:2005-10-05

    申请号:CN03101622.7

    申请日:2003-01-10

    CPC classification number: G02F1/136213 G02F1/134363

    Abstract: 一种采用横向电场的有源矩阵寻址LCD装置,该装置提高了透光性和制造成品率而不必增加制造成本。公共电极线的第一条、像素电位层的第一层以及中间介电层构成了每个像素的第一存储电容器;同时,公共电极线的第二条、像素电位层的第二层以及中间介电层构成同一像素的第二存储电容器。第一像素电位层和第二像素电位层通过相应的透明像素电极彼此被电连接;因此,由所加电场引起的液晶分子的旋转完全对面板透光性起作用,防止了可获得的总面板透光性的降低。这就意味着可获得更高的透光性。为了同样的目的,还可以提供互连电极。

    液晶显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1215361C

    公开(公告)日:2005-08-17

    申请号:CN02127183.6

    申请日:2002-07-30

    Inventor: 松本公一

    Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器和制造该液晶显示器的方法,能够在不引起孔径比下降的情况下甚至只在显示屏上显示相同极性的象素时禁止强闪烁的发生。在此种液晶显示器中,分别经第一和第二薄膜晶体管向第一和第二象素电极施加不同极性的象素电压的第一和第二数据线,以第一数据线被第二数据线覆盖的方式形成,绝缘膜夹在第一和第二数据线之间。

    平面开关模式有源矩阵型液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1207617C

    公开(公告)日:2005-06-22

    申请号:CN02148009.5

    申请日:2002-10-18

    Abstract: 一种平面开关模式有源矩阵型液晶显示器件,包括第一基板(11)、与第一基板对置的第二基板(12)和夹在第一和第二基板之间的液晶层(13)。第一基板包括薄膜晶体管、分别与所要驱动的像素相关的像素电极(27)、公共电极(26)、数据线、扫描线和公共电极线。液晶分子轴在平行于第一基板的平面上、借助大体上平行于第一基板的平面的电场进行旋转,以便显示一定的图象。公共电极(26)由透明材料制成,其形成在比数据线更接近液晶层的位置上。除了在位于扫描线附近的数据线的区域之外,公共电极(26)完全与数据线(24)重叠。该液晶显示器件进一步包括在公共电极完全与数据线重叠的区域中的不透光层(17),该不透光层由黑基底层(17)形成,其宽度小于公共电极的宽度。

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