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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107209323A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580075601.1
申请日：2015-12-15
Applicant: NKT光子学有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/012
CPC classification number: G02B6/03694 , C03B37/02781 , C03B37/0279 , C03B37/10 , C03B2201/02 , C03B2201/12 , C03B2201/21 , C03B2201/22 , C03B2203/14 , C03B2203/23 , C03B2203/42 , C03C13/045 , C03C13/046 , C03C25/1061 , C03C25/1062 , C03C25/1068 , C03C25/607 , C03C2201/02 , C03C2201/21 , C03C2201/22 , G02B6/02347 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02395 , G02B6/14 , G02F1/365 , G02F2001/3528
Abstract: 本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中，PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中，所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层，该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘，其中Th为至少约50℃，优选地，50℃
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公开(公告)号：CN114879300B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210516366.9
申请日：2015-12-15
Applicant: NKT光子学有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/027 , C03C25/1065 , C03C25/54
Abstract: 本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中，PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中，所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层，该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘，其中Th为至少约50℃，优选地，50℃
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公开(公告)号：CN117616315A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280048318.X
申请日：2022-07-01
Applicant: NKT光子学有限公司
Abstract: 一种用于引导光信号的光纤，所述光纤具有纵向光轴(A)和与其垂直的横截面，所述光纤包括：纤芯区域(2)，其能够在光信号波长λ1处以具有有效折射率nc的纤芯基模引导光信号；包围纤芯区域的包层区域，包层区域包括内包层区域(3)和外包层区域(6)，所述内包层区域包括具有折射率nb的背景材料和布置在所述背景材料中的多个内包层部件，其中多个所述多个内包层部件是第一类部件(4)，所述第一类部件包括被高折射率区域包围的气孔，高折射率区域包括具有大于内包层背景材料的折射率的折射率nr的高折射率材料，所述第一类部件支持具有有效折射率n1的光学模式，有效折射率n1在所述光信号波长λ1处低于或等于纤芯基模的有效折射率nc，其中多个所述多个内包层部件是第二类部件(5)，其包括与具有折射率nb的背景材料直接接触的气孔，以及其中所述内包层部件被布置成大致六方点阵，并且包围第一类部件的六个最近邻是所述第二类部件，以及其中没有第一类部件被少于六个第二类部件的最近邻包围。
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公开(公告)号：CN114879301A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210516426.7
申请日：2015-12-15
Applicant: NKT光子学有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/027 , C03C25/1065
Abstract: 本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中，PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中，所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层，该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘，其中Th为至少约50℃，优选地，50℃
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公开(公告)号：CN114879300A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210516366.9
申请日：2015-12-15
Applicant: NKT光子学有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/027 , C03C25/1065 , C03C25/54
Abstract: 本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中，PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中，所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层，该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘，其中Th为至少约50℃，优选地，50℃
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