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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104045233B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201410245579.8
申请日：2014-03-14
Applicant: OFS菲特尔有限责任公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本发明描述了通过改进的方法制备的多模光纤，该方法降低了制造成本。这些方法在功率损耗方面也可以更高效。在多个具体实施方式之一中，改进的设计具有从管棒法得到的纯二氧化硅大芯体。在该具体实施方式中，使用等温射频等离子体沉积，通过将氟掺杂的二氧化硅沉积于二氧化硅起动管内制备下掺杂包层。插入二氧化硅芯并将二氧化硅起动管熔塌。去除二氧化硅起动管并且从氟掺杂的玻璃包覆的二氧化硅棒中拉制光纤。
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公开(公告)号：CN105829928B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201580003260.7
申请日：2015-01-30
Applicant: OFS菲特尔有限责任公司
CPC classification number: G02B6/0288 , G02B6/03627 , G02B6/03633 , G02B6/03694 , G02B27/0012
Abstract: 描述了一种用于设计和制造MMF的技术。该设计被实施以限制z(r,λ)相对于波长的最大变化，其中z(r,λ)是由波长的平方加权的介电常数。用在CWDM应用中的MMF被具体地描述了。
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公开(公告)号：CN105293891A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510555471.3
申请日：2015-07-24
Applicant: OFS菲特尔有限责任公司
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/0183 , C03B37/01807 , C03B2203/10 , C03B2207/70 , C03B2207/85
Abstract: 本发明涉及一种用于光纤预制体内减少锥体的等温等离子体CVD系统。具体地，该化学气相沉积(CVD)系统配置成减少预制体端部部分的几何和光学锥体的存在，或更一般地控制所制造的光纤预制体的轴向分布。该系统配置成在基管内产生等温等离子体，具有位于等离子体的上游的相对受限的沉积区。试剂输送系统配置成调节引入物质的组成和浓度与基管内等离子体和沉积区的移动同步。通过使等离子体的运动与可调节的试剂输送系统同步，可提供对所产生的光纤预制体的轴向分布的精确控制。
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公开(公告)号：CN105829928A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201580003260.7
申请日：2015-01-30
Applicant: OFS菲特尔有限责任公司
CPC classification number: G02B6/0288 , G02B6/03627 , G02B6/03633 , G02B6/03694 , G02B27/0012
Abstract: 描述了一种用于设计和制造MMF的技术。该设计被实施以限制z(r,λ)相对于波长的最大变化，其中z(r,λ)是由波长的平方加权的介电常数。用在CWDM应用中的MMF被具体地描述了。
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公开(公告)号：CN104045233A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410245579.8
申请日：2014-03-14
Applicant: OFS菲特尔有限责任公司
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/0183 , C03B37/01262 , C03B2201/12 , C03B2203/22 , C03B2203/24 , C03B2203/26 , C03B2207/70
Abstract: 本发明描述了通过改进的方法制备的多模光纤，该方法降低了制造成本。这些方法在功率损耗方面也可以更高效。在多个具体实施方式之一中，改进的设计具有从管棒法得到的纯二氧化硅大芯体。在该具体实施方式中，使用等温射频等离子体沉积，通过将氟掺杂的二氧化硅沉积于二氧化硅起动管内制备下掺杂包层。插入二氧化硅芯并将二氧化硅起动管熔塌。去除二氧化硅起动管并且从氟掺杂的玻璃包覆的二氧化硅棒中拉制光纤。
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