公开(公告)号：CN100492658C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510121726.1

申请日：2005-12-15

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 塞缪尔·蒙纳德

IPC: H01L29/66

CPC classification number: H01L29/747 ,  H01L29/7404

Abstract: 一种电压控制的垂直双向单片开关，参考关于开关的后表面，从低掺杂N型半导体基底上形成，其中控制结构包括在前表面侧的第一P型阱，在第一P型阱中形成有一个N型区域，并且还包括形成了MOS晶体管的第二P型阱，第一P型阱和MOS晶体管的栅极连接到控制端，所述N型区域连接到MOS晶体管的主端子，并且MOS晶体管的第二主端子连接到开关的后表面电压。

公开(公告)号：CN1835247A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200510121726.1

申请日：2005-12-15

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 塞缪尔·蒙纳德

IPC: H01L29/66

CPC classification number: H01L29/747 ,  H01L29/7404

Abstract: 一种电压控制的垂直双向单片开关，参考关于开关的后表面，从低掺杂N型半导体基底上形成，其中控制结构包括在前表面侧的第一P型阱，在第一P型阱中形成有一个N型区域，并且还包括形成了MOS晶体管的第二P型阱，第一P型阱和MOS晶体管的栅极连接到控制端，所述N型区域连接到MOS晶体管的主端子，并且MOS晶体管的第二主端子连接到开关的后表面电压。