公开(公告)号：CN1623233A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02828380.5

申请日：2002-02-28

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 塞萨尔·龙西斯瓦莱

IPC: H01L27/07

CPC classification number: H01L27/0825 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0744

Abstract: 本发明涉及一种具有传统的基极(B)、集电极(C)和发射极(E)端子的类型的、可以集成为达林顿结构的改进双极晶体管结构(1)，包括：在集电极(C)和(B)之间的电阻(R)；以及在基极(B)和发射极(E)之间的闸流晶体管器件(3)SCR。所述电阻(R)是使晶体管结构保持为常导通的高电压电阻，而闸流晶体管是在其栅极端子上使能和驱动的截止电路。

公开(公告)号：CN100390996C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN02828380.5

申请日：2002-02-28

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 塞萨尔·龙西斯瓦莱

IPC: H01L27/07

CPC classification number: H01L27/0825 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0744

Abstract: 本发明涉及一种具有传统的基极(B)、集电极(C)和发射极(E)端子的类型的、可以集成为达林顿结构的改进双极晶体管结构(1)，包括：在集电极(C)和(B)之间的电阻(R)；以及在基极(B)和发射极(E)之间的闸流晶体管器件(3)SCR。所述电阻(R)是使晶体管结构保持为常导通的高电压电阻，而闸流晶体管是在其栅极端子上使能和驱动的截止电路。