透明导电体
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109313964A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780036160.3

    申请日:2017-06-09

    Abstract: 本发明提供一种透明导电体(100),其特征在于,依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、含有银合金的金属层(16)以及第二金属氧化物层(14),其中,第一金属氧化物层(12)含有氧化锡和氧化铌中的至少一种,当将氧化锡和氧化铌分别换算为SnO2和Nb2O5时,相对于第一金属氧化物层(12)中所含的金属氧化物的合计的SnO2和Nb2O5的合计摩尔基准含量大于相对于第二金属氧化物层(14)中所含的金属氧化物的合计的SnO2和Nb2O5的合计摩尔基准含量,第一金属氧化物层(12)中的上述含量为45mol%以上。

    衍射光栅、受光元件及光学头以及光记录重放装置

    公开(公告)号:CN1815273A

    公开(公告)日:2006-08-09

    申请号:CN200610009209.X

    申请日:2006-02-05

    CPC classification number: G11B7/1275 G02B5/1866 G11B7/1353 G11B2007/0006

    Abstract: 本发明涉及衍射光栅、受光元件及采用它们的光学头及光记录重放装置,目的是提供可检出高品质信号的衍射光栅、受光元件及采用它们的光学头及光记录重放装置。衍射光栅13具有使2波长半导体激光器射出的第1激光25或第2激光25’衍射分离并生成主光束27及±1次副光束29a、29b或主光束27’及±1次副光束29a’、29b’且仅在光射出面侧形成的衍射区域21。衍射区域21形成的凹部23b的深度d形成为220nm。凹凸部23的1节距的长度p形成为22μm,凸部23a的宽度w形成为17.6μm。凸部23a的宽度w对凹凸部23的1节距的长度p的比率为0.8。

    光学头、光学再生装置和光学记录及再生装置

    公开(公告)号:CN1658300A

    公开(公告)日:2005-08-24

    申请号:CN200510007437.9

    申请日:2005-02-18

    CPC classification number: G11B7/1395 G11B7/1263 G11B7/1356

    Abstract: 从光源1发出的光束入射到偏振器14上。在预先调整偏振器14的透射轴方向、使得偏振器14透射P偏振光的情况下,仅S偏振光被衰减。透过衍射装置2和准直透镜3后入射到分束器4a上的光束基本上仅由P偏振光组成。在分束器4a上反射的部分光束入射到用于对光源1的输出进行反馈控制的光电探测器13上。由于S偏振光被偏振器14所衰减,仅P偏振光入射到光电探测器13上。因此,即使在发出的激光束的量发生变化的情况下,用于记录及再生的光量与用于APC的光量之间的比例基本保持恒定,由此能提高探测激光束强度的精度,从而能够避免在记录和再生过程中产生误差。

    薄膜加热器和带加热器的玻璃
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117178630A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202280029977.9

    申请日:2022-04-25

    Abstract: 本发明提供一种薄膜加热器(100),其包括透明基材(10)和透明发热体(20),在透明基材(10)的与透明发热体(20)侧相反的一侧具有水接触角为55°以下或90°以上的表面(100a)。本发明还提供一种带加热器的玻璃,其包括薄膜加热器(100)、位于与表面(100a)相反的一侧的玻璃板、和在薄膜加热器(100)及玻璃板之间与薄膜加热器(100)的透明发热体(20)接触的电极。

    透明导电体
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109313964B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201780036160.3

    申请日:2017-06-09

    Abstract: 本发明提供一种透明导电体(100),其特征在于,依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、含有银合金的金属层(16)以及第二金属氧化物层(14),其中,第一金属氧化物层(12)含有氧化锡和氧化铌中的至少一种,当将氧化锡和氧化铌分别换算为SnO2和Nb2O5时,相对于第一金属氧化物层(12)中所含的金属氧化物的合计的SnO2和Nb2O5的合计摩尔基准含量大于相对于第二金属氧化物层(14)中所含的金属氧化物的合计的SnO2和Nb2O5的合计摩尔基准含量,第一金属氧化物层(12)中的上述含量为45mol%以上。

    透明导电体
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107735841B

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201680037978.2

    申请日:2016-12-08

    Abstract: 本发明的透明导电体(100)依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、包含银合金的金属层(16)和第二金属氧化物层(14)。第一金属氧化物层(12)含有氧化锌、氧化铟和氧化钛,并且,将氧化锌、氧化铟、氧化钛和氧化锡这4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时,相对于4种成分的合计,SnO2的含量为40mol%以下。第二金属氧化物层(14)含有上述4种成分,并且,将该4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时,相对于4种成分的合计,SnO2的含量为12~40mol%。

    透明导电体
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107735841A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201680037978.2

    申请日:2016-12-08

    Abstract: 本发明的透明导电体(100)依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、包含银合金的金属层(16)和第二金属氧化物层(14)。第一金属氧化物层(12)含有氧化锌、氧化铟和氧化钛,并且,将氧化锌、氧化铟、氧化钛和氧化锡这4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时,相对于4种成分的合计,SnO2的含量为40mol%以下。第二金属氧化物层(14)含有上述4种成分,并且,将该4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时,相对于4种成分的合计,SnO2的含量为12~40mol%。

    光学头、光学再生装置和光学记录及再生装置

    公开(公告)号:CN100401396C

    公开(公告)日:2008-07-09

    申请号:CN200510007437.9

    申请日:2005-02-18

    CPC classification number: G11B7/1395 G11B7/1263 G11B7/1356

    Abstract: 从光源1发出的光束入射到偏振器14上。在预先调整偏振器14的透射轴方向、使得偏振器14透射P偏振光的情况下,仅S偏振光被衰减。透过衍射装置2和准直透镜3后入射到分束器4a上的光束基本上仅由P偏振光组成。在分束器4a上反射的部分光束入射到用于对光源1的输出进行反馈控制的光电探测器13上。由于S偏振光被偏振器14所衰减,仅P偏振光入射到光电探测器13上。因此,即使在发出的激光束的量发生变化的情况下,用于记录及再生的光量与用于APC的光量之间的比例基本保持恒定,由此能提高探测激光束强度的精度,从而能够避免在记录和再生过程中产生误差。

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