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公开(公告)号：CN116075735A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180056999.X
申请日：2021-08-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明的磁传感器以将产品间的偏差收敛于一定的范围内的方式，基于集磁体的表面性，控制产生于元件形成面和集磁体之间的间隙的大小。具备以元件形成面(20a)相对于基板(2)垂直的方式搭载的传感器芯片(20)和以表面(31)与基板(2)相对且表面(32)与元件形成面(20a)相对的方式搭载的集磁体(30)。集磁体(30)中，表面(32)的算术平均波度Wa为0.1μm以下。这样，如果与元件形成面(20a)相对的集磁体(30)的表面(32)的算术平均波度Wa被平坦化为0.1μm以下，则能够大幅降低元件形成面(20a)和集磁体(30)的间隙引起的检测灵敏度的降低，并且可以大幅抑制产品间的检测灵敏度的偏差。
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