公开(公告)号：CN1009873B

公开(公告)日：1990-10-03

申请号：CN87105843

申请日：1987-08-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 ,  矢作正博 ,  板垣秋一 ,  菊地信明

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/46 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1272 ,  C04B35/4682

Abstract: 用于还原再氧化型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷组合物，这组合物能提高电容器的电容，绝缘强度并能改善电容器的温度特性，组合物包括BaTiO3基体组分和包含Nb和Ce的少量组分Nb和Ce的含量分别按Nb2O5和CeO2计算为0.1到3.0%(摩尔)。用添加Co等元素的方法来提高电容器的绝缘电阻和直流击穿电压并进一步改善电容器的温度特性。

公开(公告)号：CN87105843A

公开(公告)日：1988-03-23

申请号：CN87105843

申请日：1987-08-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 ,  矢作正博 ,  板垣秋一 ,  菊地信明

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/46

CPC classification number: H01G4/1272 ,  C04B35/4682

Abstract: 用于还原再氧化型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷组合物，该组合物能提高电容器的电容、绝缘强度并能改善电容器的温度特性。组合物包括BaTiO3基体组分和包含Nb和Ce的少量组分。Nb和Ce的含量分别按Nb2O5和CeO2计算为0.2到3.0％(摩尔)。用添加Co等元素的方法来提高电容器的绝缘电阻和直流击穿电压并进一步改善电容的温度特性。