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公开(公告)号：CN111066100A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880055157.0
申请日：2018-08-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的透明导电体(10)依次具备：透明基材(11)；第一金属氧化物层(12)；包含银合金的金属层(18)；第三金属氧化物层(14)；以及第二金属氧化物层(16)。第一金属氧化物层(12)由与ITO不同的金属氧化物构成，第二金属氧化物层(16)含有ITO，第二金属氧化物层(16)的与金属层(18)侧为相反侧的表面(16a)的功函数为4.5eV以上。
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公开(公告)号：CN113165361B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201980076522.0
申请日：2019-10-11
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本公开提供一种剥离膜，其具有基材和设置于上述基材上的剥离层，上述剥离层是含有具有反应性官能团的有机硅树脂和其它聚合性成分的组合物的固化物，将通过XPS测定的上述剥离层的与上述基材侧相反一侧的表面上的硅的峰值强度设为X，将距离上述剥离层的上述表面的深度为4.1nm处的硅的峰值强度设为Y，将形成了含有90％以上聚二甲基硅氧烷的有机硅树脂层的情况下测定的硅的峰值强度设为Z时，X大于Y，X相对于Z的比率为40％以上，且Y相对于Z的比率为5～50％。
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公开(公告)号：CN113165361A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980076522.0
申请日：2019-10-11
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本公开提供一种剥离膜，其具有基材和设置于上述基材上的剥离层，上述剥离层是含有具有反应性官能团的有机硅树脂和其它聚合性成分的组合物的固化物，将通过XPS测定的上述剥离层的与上述基材侧相反一侧的表面上的硅的峰值强度设为X，将距离上述剥离层的上述表面的深度为4.1nm处的硅的峰值强度设为Y，将形成了含有90％以上聚二甲基硅氧烷的有机硅树脂层的情况下测定的硅的峰值强度设为Z时，X大于Y，X相对于Z的比率为40％以上，且Y相对于Z的比率为5～50％。
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