-
-
公开(公告)号:CN111044950A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201910977680.5
申请日:2019-10-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种磁传感器(1),其具有根据外部磁场改变磁化方向的自由层(26);参考层(24),其磁化方向相对于外部磁场固定;位于自由层(26)和参考层(24)之间且具有磁阻效应的间隔层(25);钉扎层(22),其与间隔层(25)一起夹住参考层(24),并与参考层(24)反铁磁性耦合。满足关系-2.5≤λP/λR≤0.5(不包括0),其中λR是参考层的磁致伸缩系数,λP是钉扎层的磁致伸缩系数。
-
公开(公告)号:CN114114101B
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202110240071.9
申请日:2021-03-04
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁传感器,其具备:磁阻效应元件,其包含在第一方向上相互相对的第一侧面及第二侧面、以及在实质上与第一方向正交的第二方向上相互相对的第一端面及第二端面,该磁阻效应元件在第一方向上具有灵敏度轴;第一轭部,其与磁阻效应元件的第一侧面相邻地设置;以及第一偏置磁场产生部,其与磁阻效应元件的第一端面相邻地设置,第一偏置磁场产生部设置为可对磁阻效应元件及第一轭部施加偏置磁场。
-
公开(公告)号:CN109307793B
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201810843960.2
申请日:2018-07-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种偏差推定装置及方法、磁传感器的修正装置以及电流传感器。该偏差推定装置的偏差推定部求出磁传感器的检测值的偏差的推定值。偏差推定部包含初始函数保持部、函数确定部、推定值决定部。初始函数保持部保持初始函数,所述初始函数用于以基准温度时的偏差即基准偏差为第一变量,以温度为第二变量,来确定与第一及第二变量相对应的推定值。函数确定部通过基准偏差,确定初始函数的第一变量的值,将初始函数变成用于决定与第二变量的值相对应的推定值的推定值决定函数。推定值决定部通过温度信息,确定推定值决定函数的第二变量的值,由此决定推定值。
-
公开(公告)号:CN109507618A
公开(公告)日:2019-03-22
申请号:CN201811074434.0
申请日:2018-09-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种电流传感器,其包含磁传感器装置。磁传感器装置包含磁传感器、第一磁性层、以及不与第一磁性层接触的第二磁性层。磁传感器、第一磁性层以及第二磁性层以与假想的直线交叉且在与假想的直线平行的方向上依次排列的方式配置。在磁传感器、第一磁性层和第二磁性层中,通过检测对象电流产生的磁通中的相互不同的一部分通过。
-
-
公开(公告)号:CN111090063B
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN201911016372.2
申请日:2019-10-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及一种其输出特性对环境温度较不敏感的磁传感器。磁传感器(1)具有:自由层(24),其磁化方向响应于外部磁场而改变;钉扎层(22),其磁化方向相对于所述外部磁场固定;间隔层(23),其位于所述钉扎层(22)与所述自由层(24)之间并表现出磁阻效应;以及至少一个磁性膜(25),其设置在自由层(24)的侧边并向自由层(24)施加偏置磁场。满足关系0.7≤TC_HM/TC_FL≤1.05,其中TC_HM是所述磁性膜的居里温度并且TC_FL是所述自由层的居里温度。
-
公开(公告)号:CN109507618B
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN201811074434.0
申请日:2018-09-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种电流传感器,其包含磁传感器装置。磁传感器装置包含磁传感器、第一磁性层、以及不与第一磁性层接触的第二磁性层。磁传感器、第一磁性层以及第二磁性层以与假想的直线交叉且在与假想的直线平行的方向上依次排列的方式配置。在磁传感器、第一磁性层和第二磁性层中,通过检测对象电流产生的磁通中的相互不同的一部分通过。
-
公开(公告)号:CN111722164A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010092230.0
申请日:2020-02-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 磁传感器(1)具有相互连接的多个MR元件(11A~14A)。多个MR元件(11A~14A)属于在各自由层(26)的磁化方向沿同一方向旋转规定角度时电阻增加的组(G1)和电阻减少的组(G2)中的任一组。一组的电阻元件的电阻的增加所引起的磁传感器(1)的输出的变动和另一组的电阻元件的电阻的减少所引起的磁传感器(1)的输出的变动相抵消。
-
公开(公告)号:CN111722164B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202010092230.0
申请日:2020-02-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 磁传感器(1)具有相互连接的多个MR元件(11A~14A)。多个MR元件(11A~14A)属于在各自由层(26)的磁化方向沿同一方向旋转规定角度时电阻增加的组(G1)和电阻减少的组(G2)中的任一组。一组的电阻元件的电阻的增加所引起的磁传感器(1)的输出的变动和另一组的电阻元件的电阻的减少所引起的磁传感器(1)的输出的变动相抵消。
-
-
-
-
-
-
-
-
-