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公开(公告)号：CN116525241A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310042795.1
申请日：2023-01-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 天野一 , 荒健辅 , 吉留和宏 , 鹤丸理沙子
IPC: H01F10/00
Abstract: 本发明提供一种饱和磁通密度Bs高的纳米颗粒磁性膜。本发明的纳米颗粒磁性膜具有第一相的微小区域分散于第二相中的结构。第一相含有选自Fe、Co及Ni中的1种以上，第二相含有选自O、N及F中的1种以上。第一相的体积相对于第一相及第二相的合计体积的比例为65％以下。该纳米颗粒磁性膜含有0.20at％以上0.80at％以下的惰性气体元素。
公开(公告)号：CN116525240A
申请号：CN202310042777.3
Abstract: 本发明提供一种矫顽力Hc良好且电阻率ρ高的纳米颗粒磁性膜。本发明的纳米颗粒磁性膜具有第一相的微小区域分散于第二相中的结构。第一相含有选自Fe、Co及Ni中的1种以上，第二相含有选自O、N及F中的1种以上。第一相的体积相对于第一相及第二相的合计体积的比例为65％以下。空隙率为0.17以上且0.30以下。
