公开(公告)号：CN100564616C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200580005394.9

申请日：2005-02-18

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 森勇介 ,  北冈康夫 ,  峯本尚 ,  木户口勲 ,  高桥康仁 ,  佐佐木孝友 ,  川村史朗

IPC: C30B19/02 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/063 ,  C30B19/064 ,  Y10T117/1016

Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。

公开(公告)号：CN104662213A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380046179.8

申请日：2013-09-02

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  加渡干尚 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B9/00 ,  C30B19/068 ,  C30B29/36 ,  C30B19/06 ,  C30B19/064

Abstract: SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括：晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。

公开(公告)号：CN1922345A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200580005394.9

申请日：2005-02-18

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 森勇介 ,  北冈康夫 ,  峯本尚 ,  木户口勲 ,  高桥康仁 ,  佐佐木孝友 ,  川村史朗

IPC: C30B19/02 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/063 ,  C30B19/064 ,  Y10T117/1016

Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。