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公开(公告)号：CN109765953A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811329521.6
申请日：2018-11-09
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G05F1/46
CPC classification number: G05F3/267 , H03F3/16 , H03F2200/396 , H03K19/00315 , H03K19/018514 , H03K19/018585
Abstract: 本发明涉及数字输入接收器中的输入电流限制。在数字输入电路的输入路径中与电阻器(358A、358B、RSENSE)准并行地提供带隙电压基准(202、204)。由于准并性特性，数字输入电路使用的电流被限制为基于外部电阻器的值的量。在用于跨越所选的隔离屏障(362A)提供逻辑信号的电路和吸收晶体管(205)之间对输入电流进行分流，使得电流保持恒定。这允许数字输入电路精确地限制输入电流，而不需要场侧功率。
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公开(公告)号：CN107112890A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201480082875.9
申请日：2014-10-27
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H02M1/38
CPC classification number: H02M1/38 , G05F3/267 , H02M1/088 , H02M3/1588 , H02M2001/385 , H03K5/134 , H03K17/145 , H03K19/018521 , H03K2005/00143
Abstract: 提出温度、工艺和电源补偿的延迟电路、DC到DC转换器和集成电路，其中使用多个级联的CMOS反相器电路提供开关驱动器死区时间延迟，该多个级联的CMOS反相器电路具有通过二极管连接的MOS晶体管耦合到经调节的电压或电路接地的第一反相器，并且MOS电容器被提供在第一反相器输出端和经调节的电压或电路接地之间以提供受控延迟时间。第二级联的CMOS反相器由随温度降低的经补偿的电压供电，以作为比较器操作，并且某些实施例包括一个或多个中间CMOS反相器以在第二反相器和最终输出反相器之间形成电平移位电路，其中该电平移位反相器由随着增加的温度而降低的相继更高的经补偿的电压供电。
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公开(公告)号：CN106484024A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610772868.2
申请日：2016-08-30
Applicant: 意法半导体国际有限公司
IPC: G05F1/575
Abstract: 本申请涉及用于线性稳压器的系统和方法。根据实施例，稳压器(100)包括线性稳压器(LVR)反馈回路、被配置成用于接收输入电压(VIN)的输入端子以及被配置成用于输出稳压电压(VREF)的输出端子。该瞬态反馈电路(104)耦接于该输出端子和该主反馈回路，并且被配置成用于当流过该输出端子的电流增大时向所述主反馈回路提供具有第一极性的第一电流。(102)和瞬态反馈电路(104)。该LVR(102)包括主
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公开(公告)号：CN106020330A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610584914.6
申请日：2016-07-22
Applicant: 四川和芯微电子股份有限公司
Inventor： 蔡化
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/267
Abstract: 本发明公开了一种低功耗电压源电路，其包括第一支路与第二支路，第一支路产生一偏置电压输入至第二支路；第一支路由i个二极管连接的场效应管串联组成；第二支路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管及第五场效应管，且第二场效应管与第三场效应管串联连接，第四场效应管与第五场效应管串联连接；第一场效应管的栅极与第j个场效应管的漏极连接，第一场效应管的源极与第二场效应管连接，第一场效应管的漏极与第五场效应管连接，第二场效应管与第三场效应管的连接点输出基准电压；i为大于1的正整数，j∈(2，i‑1)，且j为正整数。本发明的低功耗电压源电路的各个场效应管均工作在亚阈区，静态电流很低，并能产生与温度无关的基准电压，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN105974996A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610595086.6
申请日：2016-07-26
Applicant: 南方科技大学
IPC: G05F3/28
CPC classification number: G05F3/267
Abstract: 本发明公开了一种基准电压源，包括运算放大器、正温度系数电压产生电路、负温度系数电压产生电路和第一晶体管；正温度系数电压产生电路与运算放大器的第一输入端电连接，用于产生正温度系数的电压，负温度系数电压产生电路的第一端与运算放大器的第二输入端电连接，用于产生负温度系数的电压；第一晶体管的栅极与运算放大器的输出端电连接，源极和衬底与电源电连接，漏极与基准电压源的输出端电连接；运算放大器用于将正温度系数的电压镜像到负温度系数电压产生电路，并将正温度系数的电压与负温度系数的电压相加后，在基准电压源的输出端输出基准电压。本发明实施例提供的基准电压源可以降低功耗，并且兼容COMS工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105892554A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610485380.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 邵博闻
IPC: G05F3/28
CPC classification number: G05F3/267
Abstract: 本发明公开一种非线性补偿的基准电压源电路，其特征在于，包括：四个镜像电流支路、三个双极型晶体管、一个运算放大器和多个电阻；将第五电阻的第一端和第六电阻的第一端分别连接第一镜像电流支路的输出节点和第二镜像电流支路的输出节点，第五电阻的第二端和第六电阻的第二端同时连接第七电阻的第一端，第七电阻的第二端连接第三镜像电流支路的输出节点；使用三个电阻代替了现有电路结构中两个电阻，在同样电流的情况下，本发明的三个电阻的要小于现有电路图中两个电阻的阻值。本发明的非线性补偿的基准电压源电路的电阻使用少、更节省面积。
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公开(公告)号：CN101841247A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910226104.3
申请日：2009-11-20
Applicant: BCD半导体制造有限公司
IPC: H02M7/217
CPC classification number: H03K17/16 , G05F3/26 , G05F3/267 , G05F3/30 , H02M3/33507 , H03K17/04123 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明实施例提供一种开关电源的基极驱动电路，包括：复合偏置电压模块，用于当功率开关管开启时的为功率开关管的基极提供过驱动电流；开关控制信号、内部偏置电压和所述功率开关管的基极电压作为复合偏置电压模块的输入信号；当功率开关管开启时，复合偏置电压模块输出的电压为基极电压和内部偏置电压之和；当经过第一预设时间之后，复合偏置电压模块输出的电压为零；再经过第二预设时间之后，复合偏置电压模块输出的电压为基极电压。当功率开关管开启时，复合偏置电压模块为功率开关管的基极提供较大的驱动电压，进而为功率开关管的基极提供过驱动电流。这样使功率开关管较快地导通，从而降低功率开关管由于导通和关断状态转换较慢引起的功耗。
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公开(公告)号：CN1856757A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027728.8
申请日：2004-09-15
Applicant: ATMEL格勒诺布尔公司
Inventor： 让-弗朗索瓦·德布鲁
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明涉及集成电子电路，特别涉及那些包括模拟功能的集成电子电路。更具体而言，本发明涉及启动电路，该电路用于确保偏置电路(10)在其运行中的中断后的自动启动。在具有第一导电类型的集成电路衬底中，其中该衬底包括至少一个具有相反导电类型的阱和与该衬底具有相同导电类型的半导体区，该半导体区在所述阱中形成并且与所述阱形成了p－n结(J1)，该启动电路包括第一晶体管(P1)，或者用于检测偏置电路的运行状况的晶体管，其连接至偏置电路，以便当偏置电路正常运行时，它处于导通状态，并且当偏置电路非正常运行时，它处于关断状态，该晶体管与所述p－n结串联设置在两个电源端子(A和B)之间，所述半导体区连接至其中一个电源端子(B)，第一晶体管(P1)的漏极通过导体连接至所述阱，并连接至第二晶体管(P2)的栅极，或者重启动激活晶体管，通过导通第一晶体管，第二晶体管关断，并且当第一晶体管处于关断状态时，第二晶体管通过所述p－n结中的漏电流的存在而导通。
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公开(公告)号：CN1242548C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN98105705.5
申请日：1998-03-17
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 托马斯·A·索莫威勒 , 罗伯特·L·乌恩
IPC: H03F1/30
Abstract: 一个带隙参考电路(60)提供一个可选择的带隙参考电压，它基本上对一个工作的参考电路的诸温度变化不敏感。由在一个温度系数补偿晶体管(40)中的电流(I2)引起的一个最后的曲率等于一个有一个负温度系数的晶体管(18)的一个Vbe电压中的一个漂移加上一个有一个正温度系数的晶体管(20)的一个Vbe电压中的漂移减去温度系数补偿晶体管(40)的一个Vbe电压中的漂移。
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公开(公告)号：CN1093338C
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN95191733.1
申请日：1995-02-16
Applicant: 艾利森电话股份有限公司
Inventor： M·O·J·黑德堡
CPC classification number: H03F3/45179 , G05F3/267 , H03F3/45076 , H03F2203/45028 , H03F2203/45126 , H03F2203/45176 , H03K5/2481
Abstract: 一种信号接收和信号处理装置，连接一或多个导体，用于以电压脉冲的形式发送信息信号。上述导体与信号接收电路中的晶体管连接，利用电压脉冲和脉冲电压值的变化对电流产生作用，这个电流以脉冲形式流过上述晶体管。即该电流是由电压脉冲变化和电压电平所产生，并且通过信号处理电路得到适于携带信息的信号形式。上述晶体管与至少一个其它的晶体管共同构成一电流镜像电路。
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