公开(公告)号：CN108768359A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810290470.4

申请日：2018-04-03

Applicant: 李晓明

Inventor： 李晓明

IPC: H03K17/081 ,  H03K17/72 ,  H03K17/00

CPC classification number: H03K17/08108 ,  H03K17/007 ,  H03K17/72 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明公开了一种有载分接开关及其方法，包含主开关、晶闸管辅助电路、选择开关；各个主开关分别通过至少一个分接头串联在调压变压器的调压线圈的不同回路中；所有主开关中的任何一个闭合，调压线圈即能构成电流流通路径；不同主开关闭合时，调压变压器输出不同电压；任何一个主开关通过选择开关并联某一个晶闸管辅助电路时，与其临近的另一个主开关能够通过选择开关并联另一个晶闸管辅助电路；形成两路分别并联有晶闸管辅助电路的主开关的切换器；有载分接开关内部不包含共用的切换器；各开关顺序操作，实现负载电流从原本闭合的主开关有载切换到将要闭合的主开关。

公开(公告)号：CN108667442A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810565275.8

申请日：2018-06-04

Applicant: 广州市金矢电子有限公司

Inventor： 郭桥石

IPC: H03K17/081 ,  H03K17/13

CPC classification number: H03K17/08108 ,  H03K17/136

Abstract: 本发明过零投切开关保护装置属一种过零投切开关保护装置,特别是一种适合对晶闸管过零投切开关的起保护作用的过零投切开关保护装置，其包括限流元件、光电隔离半控型开关，光电隔离半控型开关通过限流元件与所需保护的过零投切开关主回路连接，光电隔离半控型开关与过零投切开关的控制回路连接，本发明过零投切开关保护装置，具有电路简单、成本低、使用方便的优点。

公开(公告)号：CN109510613A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811444604.X

申请日：2018-11-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 暨仲明 ,  陈德传 ,  贾曦晨

IPC: H03K17/081 ,  H03K17/78

CPC classification number: H03K17/08108 ,  H03K17/78

Abstract: 本发明涉及一种具有短路保护的三相交流固态继电器电路。本发明电路包括光隔式三相交流TRIAC驱动电路、三相短路与过载测控电路。具体包括A相、B相和C相光耦，逆阻型晶闸管，A相、B相和C相双向晶闸管，A相、B相和C相电感L3，A相、B相和C相电流传感器SC1，二极管D1～二极管D6。本发明以三只光耦、三只双向晶闸管、一只逆阻型晶闸管、三只小电感、三只电流传感器等为主的简单电路方案，能完全地满足对三相交流固态继电器电路中的三相交流负载短路或过流故障进行可靠的实时保护要求。该电路简单、成本低、可靠性高、通用性好，易于产品化。

公开(公告)号：CN107942798A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711229246.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 合肥联信电源有限公司

Inventor： 李多山 ,  刘晖

IPC: G05B19/042 ,  H03K17/081 ,  H03K17/78

CPC classification number: G05B19/0423 ,  G05B2219/24215 ,  H03K17/08108 ,  H03K17/78

Abstract: 本发明公开了一种具有过流保护的晶闸管驱动信号控制电路，包括过电压零检测电路、单片机、三态门芯片、若干光耦以及驱动变压器，电压过零检测电路一端连接交流电源，另一端连接单片机的IO输入口，单片机的IO输出口连接三态门芯片的A信号接口，三态门芯片的片选端CE连接过电流检测保护电路，三态门芯片的B信号接口连接有光耦，光耦连接驱动变压器，通过驱动变压器驱动晶闸管；本发明实现了晶闸管整流的控制与晶闸管过流保护，该电路外围器件较少，控制方法灵活，与软件过流检测相比，具有反应速度快的特点，提高了晶闸管模块的安全性。

公开(公告)号：CN101288177A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200680037955.8

申请日：2006-10-11

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 詹路卡·博塞利

IPC: H01L29/74

CPC classification number: H01L29/87 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0817 ,  H01L29/66121 ,  H03K17/0403 ,  H03K17/08108

Abstract: 本发明提供一种带有可选择触发电压和保持电压的硅整流器半导体装置，其包括触发元件(522)。在半导体主体(502)内形成第一传导类型的第一阱区(504)。在所述第一阱区内形成所述第一传导类型的第一区(510)。在所述第一阱区内形成第二传导类型的第二区(512)。在所述半导体主体内邻近于所述第一阱区而形成具有所述第二传导类型的第二阱区(506)。在所述第二阱区内形成所述第一传导类型的第三区(514)。在所述第二阱区内形成所述第二传导类型的第四区(516)。所述触发元件连接到所述第一区，且将基极触发电压和基极保持电压更改为经更改触发电压和经更改保持电压。第一端子或垫(518)连接到所述第二区。第二端子(502)连接到所述第三区、所述第四区和所述触发元件。在操作中，所述第一端子在低阻抗状态期间响应于正被施加到所述第一端子的所述经更改触发电压而将电流传导到所述第二端子。

公开(公告)号：CN107230673A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710177516.7

申请日：2017-03-22

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 赖大伟

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/04

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/7436 ,  H03K17/08108 ,  H02H9/046

Abstract: 一种硅控整流器(SCR)电路，该硅控整流器(SCR)电路被配置成将静电放电(ESD)电流从节点分流到参考电压。SCR电路包括具有连接到节点的第一发射极、第一基极和第一集电极的第一双极PNP晶体管。第二双极NPN晶体管具有与第一基极共享第一区域的第二集电极，与第一集电极共享第二区域的第二基极，以及电连接到参考电压的发射极。防护区域被配置且布置成响应于ESD事件通过阻碍在第二区域中的电流延迟SCR电路的触发。

公开(公告)号：CN105656469A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610117832.0

申请日：2016-02-26

Applicant: 广州市金矢电子有限公司

Inventor： 郭桥石

IPC: H03K17/78 ,  H03K17/081

CPC classification number: H03K17/78 ,  H03K17/08108 ,  H03K17/08116

Abstract: 本发明复合开关晶闸管电路属于电学领域，是一种适合于复合开关中应用的复合开关晶闸管电路，其包括与机械开关并联的一晶闸管、第一电阻、一单向导通器件、第一电容、第一半导体开关、第一稳压器件，所述第一电阻、所述单向导通器件、所述第一电容串联而成第一串联电路，所述第一串联电路的一端与所述晶闸管的第一端连接，所述第一串联电路的另一端与所述晶闸管的第三端连接，所述第一电容通过所述第一半导体开关、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成放电回路，所述第一电容与所述第一稳压器件并联或所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一稳压器件并联，本发明具有性价比高、接通涌流小、可靠性高的优点。