公开(公告)号：US20070190698A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11279561

申请日：2006-04-12

Applicant: Shih-Min Huang ,  Sh-Pei Yang

Inventor： Shih-Min Huang ,  Sh-Pei Yang

IPC: H01L21/332

CPC classification number: G03F7/168 ,  H01L21/6708 ,  Y10S438/947

Abstract: A method of edge bevel rinse. First, a wafer having a coating material layer disposed thereon is provided. A light beam is optically projected on the wafer to form a reference pattern. The reference pattern defines a central region, and a bevel region surrounding the central region on the surface of the wafer. Subsequently, the coating material layer positioned in the bevel region is removed according to the reference pattern.

Abstract translation: 边缘斜面冲洗的方法。 首先，提供其上设置有涂层层的晶片。 将光束光学投影在晶片上以形成参考图案。 参考图案限定了中心区域和围绕晶片表面上的中心区域的斜面区域。 随后，根据参考图案去除位于斜面区域中的涂层层。

公开(公告)号：US07413963B2

公开(公告)日：2008-08-19

申请号：US11279561

申请日：2006-04-12

Applicant: Shih-Min Huang ,  Sh-Pei Yang

Inventor： Shih-Min Huang ,  Sh-Pei Yang

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/44

CPC classification number: G03F7/168 ,  H01L21/6708 ,  Y10S438/947

Abstract: A method of edge bevel rinse. First, a wafer having a coating material layer disposed thereon is provided. A light beam is optically projected on the wafer to form a reference pattern. The reference pattern defines a central region, and a bevel region surrounding the central region on the surface of the wafer. Subsequently, the coating material layer positioned in the bevel region is removed according to the reference pattern.

Abstract translation: 边缘斜面冲洗的方法。 首先，提供其上设置有涂层层的晶片。 将光束光学投影在晶片上以形成参考图案。 参考图案限定了中心区域和围绕晶片表面上的中心区域的斜面区域。 随后，根据参考图案去除位于斜面区域中的涂层层。