公开(公告)号：US10475575B2

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：US14649334

申请日：2013-09-30

Applicant: ENTEGRIS, INC.

Inventor： Bryan C. Hendrix ,  Weimin Li ,  James Anthony O'Neill

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/01 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L49/02

Abstract: A high dielectric constant metal-insulator structure, including an electrode comprising NiOx wherein 1

公开(公告)号：US20150318108A1

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：US14649334

申请日：2013-09-30

Applicant: ENTEGRIS, INC.

Inventor： Bryan C. Hendrix ,  Weimin Li ,  James Anthony O'Neill

IPC: H01G4/10 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01G4/01

Abstract: A high dielectric constant metal-insulator structure, including an electrode comprising NiOx wherein 1

Abstract translation: 一种高介电常数金属 - 绝缘体结构，包括一种包含NiOx的电极，其中1