公开(公告)号：US20130334670A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13716011

申请日：2012-12-14

Applicant: SK HYNIX INC.

Inventor： Seung Beom BAEK ,  Su Jin CHAE ,  Min Yong LEE ,  Hye Jin SEO ,  Young Ho LEE ,  Jin Ku LEE ,  Jong Chul LEE

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L21/02518 ,  H01L21/22 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136

Abstract: A semiconductor device and a fabrication method thereof are provided. The semiconductor device includes a first type semiconductor layer doped with an N type ion, a second type semiconductor layer formed over the first type semiconductor layer, and a silicon germanium (SiGe) layer doped with a P type ion formed over the second type semiconductor layer.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括掺杂有N型离子的第一类型半导体层，在第一类型半导体层上形成的第二类型半导体层和在第二类型半导体层上形成的掺杂有P型离子的硅锗（SiGe）层 。