公开(公告)号：US20040159828A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：US10665882

申请日：2003-09-19

Applicant: Unity Semiconductor, Inc.

Inventor： Darrell Rinerson ,  Wayne Kinney ,  John Sanchez ,  Steven W. Longcor ,  Steve Kuo-Ren Hsia ,  Edmond R. Ward ,  Christophe J. Chevallier

IPC: H01L047/00

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/165

Abstract: A multi-resistive state element that uses a treated interface is provided. A memory plug includes at least two electrodes that sandwich a multi-resistive state element. Using different treatments on both electrode/multi-resistive state element interfaces improves the memory properties of the entire memory device.

Abstract translation: 提供了使用处理接口的多电阻状态元素。 存储插头包括夹着多电阻状态元件的至少两个电极。 在电极/多电阻状态元件接口上使用不同的处理可改善整个存储器件的存储器特性。