키랄 구조를 이용하는 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자 및 그 제조방법

    公开(公告)号:WO2023058928A1

    公开(公告)日:2023-04-13

    申请号:PCT/KR2022/013869

    申请日:2022-09-16

    Inventor: 유천열 안수혁

    Abstract: 본 발명은 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 일실시예에 따른 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자는 제1 방향으로 연장되어 형성된 중금속 입력단자 및 중금속 입력단자 상에 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되어 형성되고 강자성층을 구비하는 정보단자를 포함하고, 여기서 정보단자는 중금속 입력단자와 인접하는 제1 영역 및 중금속 입력단자와 인접하지 않는 제2 영역을 포함하고, 제1 영역과 제2 영역으로 인한 비균일적인 스핀궤도토크 효과(spin hall effect, SHE)에 기초하여 강자성층의 자화 반전이 제어될 수 있다.

    자구벽 이동에 기반한 스핀 토크 다수결 게이트

    公开(公告)号:WO2022055076A1

    公开(公告)日:2022-03-17

    申请号:PCT/KR2021/006900

    申请日:2021-06-03

    Abstract: 본 발명은 자구벽 이동에 기반한 스핀 토크 다수결 게이트에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 스핀 토크 다수결 게이트는 복수의 입력단과, 복수의 입력단에서 발생된 자구벽(domain wall)이 이동하는 도선과 연결되어, 자구벽의 이동에 따른 다수결 연산을 통해 출력 신호를 생성하는 홀-크로스부 및 생성된 출력 신호를 외부로 출력하는 출력단을 포함하고, 도선은 복수의 입력단으로부터 홀-크로스부로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성될 수 있다.

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