公开(公告)号：WO2015046876A2

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/KR2014/008895

申请日：2014-09-24

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 성시준 ,  박시내 ,  김대환 ,  강진규 ,  황대규

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

Abstract: 본 발명은 상면에 배면전극이 코팅된 기판;상기 배면전극의 상면에 형성된 3 차원 다공성 구조이며, P형 반도체 물질의 결정립들로 구성되는 P형 반도체 박막; 상기 P형 반도체 박막의 결정립 표면에 코팅되어 형성되는 N형 버퍼층; 및 P형 반 도체 박막 상부로 상기 N형 버퍼층이 결정립 표면에 형성되는 투명전극;을 포함하 는 3차원 P-N 접합구조 태양전지를 제공한다. 본 발명의 태양전지는 3차원 구조의 광활성 박막을 포함하는 P-N 접합 태양전지로써, 3차원 구조의 P형 반도체 박막의 결정립 표면에 N형의 버퍼층을 형성시킴에 따라 종래의 P-N접합구조 태양전지보다 더욱 향상된 광전변환효율을 나타낼 수 있다.

Abstract translation:

本发明的背面电极被涂覆在基底的上表面上;形成在所述背面电极的上表面上的三维多孔结构，由P型半导体材料的晶粒的P型半导体薄膜; 在P型半导体薄膜的晶粒表面上形成的N型缓冲层; 并且在晶粒表面上具有透明电极，其中N型缓冲层形成在P-N结太阳能电池表面上的P型半导体薄膜上。 本发明不是根据锡金三维结构的晶表面上形成N型的缓冲层的太阳能电池的常规PN结结构的太阳能电池中，P型半导体薄膜作为PN结太阳能电池，其包括具有三维结构的光活性薄膜 并且可以进一步提高光电转换效率。