CN115763732A
本发明提供一种正极材料及包括该正极材料的正极片和电池。所述正极材料的化学式为:a[xLi2MnO3·(1‑x)LiTMO2]·bLix1Nay1Co1‑z1Mz1O2,其中,0b,且a+b=1,0.8
CN115763730A
本发明提供了一种导离子聚酰亚胺包覆的锂离子硅基负极材料及该材料的制备方法,其中聚酰亚胺的导离子功能来源于具有导离子功能基团的二元胺,将其与二元酸酐、普通二元胺共聚得到聚酰胺酸溶液。将所述聚酰胺酸溶液与负极活性物质混合、高温热处理得到聚酰亚胺包覆的负极活性物质并将其应用于锂离子电池。所述的聚酰亚胺具有较高的强度与韧性,可以有效抑制硅颗粒充放电过程中体积变化,稳定SEI层。在抑制体积膨胀的同时引入导离子功能基团,通过导离子网络来提高硅颗粒表面离子传输效率、增加锂离子迁移速度,提高首次库伦效率与循环性能。
CN115763728A
本本发明属于电化学储能器件技术领域,具体涉及一种用于水系电解液的正极材料的制备方法,具体为:先将磷酸二氢铵、还原剂和碳源加入水溶液中,加热搅拌至溶质完全溶解,再加入碳酸钠、偏钒酸铵、硝酸铁和钨酸钠,继续加热搅拌至溶质完全溶解,然后水浴加热至水分完全蒸干,再经真空干燥、研磨、管式炉烧结后,即得碳包覆的钠离子快导体晶体粉末,最后将其与导电剂、粘结剂混合,形成水系钠离子电池正极;本发明制备的正极材料具有优异的稳定性、储能性、循环性能、材料成本低、安全高等特点。
CN115763721A
本发明公开了磷酸锰铁锂核壳﹑镍钴锰氧锂内核复合材料及锂电池。材料制作工艺步骤:一﹑共沉淀法制备Ni1‑x‑yCoxMny(OH)2前驱体;二﹑Ni1‑x‑yCoxMny(OH)2前驱体与锂源高温烧结得LiNi1‑x‑yCoxMnyO2;三﹑LiNi1‑x‑yCoxMnyO2分散制成悬浮晶核;四﹑晶核的表面沉淀Fe(OH)2和Mn(OH)2的共沉淀物;五﹑四的产出物与锂源﹑磷源混合并高温烧结得到磷酸锰铁锂核壳﹑镍钴锰氧锂内核复合材料。还提供了使用该复合材料的锂离子电池,电池提升了体积比能量,解决了在4.15‑4.20V满电条件下电池的针刺安全性。
CN115763719A
本发明公开了一种磷酸钛镧锂包覆镁掺杂钴酸锂正极材料及其制备方法,所述正极材料以钴酸锂颗粒为基体,磷酸钛镧锂均匀包覆在钴酸锂颗粒表面,所述钴酸锂颗粒内部掺杂有镁元素。发明得到的磷酸钛镧锂包覆镁掺杂钴酸锂正极材料,首先镁掺杂可以调控钴酸锂颗粒内部的缺陷及其分布,进而抑制钴酸锂材料在高电压充放电过程中导致材料电化学性能衰减的结构相变,其次,在表面包覆具有较高结构和电化学稳定性磷酸钛镧锂,构筑优良离子和电子导电特性的均匀界面层,最后,通过结合双重修饰钴酸锂材料,从而有效解决了钴酸锂材料在高电压充电过程中的表面稳定性问题。
CN115763715A
本发明提供了一种BixSey/C复合材料及其制备方法和应用、调控该复合材料中铋硒原子比的方法,该制备方法包括以下步骤:将有机铋盐直接进行煅烧,得到铋/碳前驱体材料;将所述铋/碳前驱体材料与硒单质混合,再次进行煅烧,得到BixSey/C复合材料;其中,x=1~4,y=1~4;通过该方法可将BixSey纳米点均匀嵌入片状碳骨架中,构建了稳定的C‑Se界面化学键,提高了BixSey/C复合材料晶体结构的机械应力并加速了离子传输,既保证了足够的缓冲区以提高复合材料结构的稳定性又缩短了离子扩散距离,作为电极材料应用,表现出优异的循环稳定性和快速的倍率性能。
CN115763714A
本发明提供了一种核壳状铋基复合材料,所述核壳状铋基复合材料为将Bi2O3颗粒包覆在微米级碳球内形成的复合材料。本发明还提供了所述核壳状铋基复合材料在作为二次电池负极材料中的应用。所述壳状铋基复合材料在100mA/g的电流密度下经过100次循环放电比容量可以稳定在518mAh/g,电流密度为500mA/g时经过380次循环放电比容量仍保持在378mAh/g,同时在倍率性能测试中表现出出色的稳定性。因此,本发明壳状铋基复合材料可作为二次电池负极材料用于制备二次电池,使制备获得的二次电池具有循环稳定性好和电阻低的优点。
CN115763713A
本发明属于锂离子电池正极材料制备领域,具体涉及一种钴酸锂包覆无钴二元镍锰酸锂正极材料的制备方法。本发明可以将合成LiCoO2包覆剂的原料直接与二元镍锰前驱体混合,后续通过烧结在二元材料表面反应合成LiCoO2并直接包覆在材料表面,这种方法过程简单、包覆均匀,并且包覆剂可以镶嵌到材料表面,包覆后不易脱落、包覆稳定。包覆后可以提升材料的倍率性能,减少材料表面的残碱,提升材料的离子电导率和电子电导率,提升材料的容量,降低材料的DCR,提升材料的循环性能,从而提升无钴二元正极材料的性能。
CN115763709A
本发明属于二次电池技术领域,尤其涉及一种负极片的处理方法、负极片和二次电池,该处理方法为将涂覆活性浆料后的极片在惰性氛围下加热进行碳化处理。本发明的一种负极片的处理方法,能够减少极片中的增稠剂含量,使增稠剂转变化导电碳,从而降低增稠剂对极片的影响,降低极片电阻,提高电极的导电能力。
CN115763703A
本申请实施例公开了一种二次电池及电池包,所述二次电池通过将负极极片的非法拉第电容和负极活性材料的晶粒尺寸控制在预定范围内,使得负极极片及二次电池具有良好的倍率性能,通过将正极活性材料的分散度和负极活性材料的分散度控制在预定范围内,能够使得二次电池在具备高倍率性能的同时,具备较高的能量密度。
CN115763694A
本发明属于电池技术领域,具体涉及一种电极极片及其制备方法、电池和用电设备,电极极片包括极片本体和极耳,极片本体内设置有一贯穿极片本体厚度的通孔;极耳设置有两个,两个极耳分别位于极片本体的两侧,且两个极耳与通孔对齐;其中,在极片本体的厚度方向上,两个极耳的投影均与极片本体的投影至少部分重叠。本发明提供的一种电极极片,其在极片本体内部通过冲切方式切出一个用于焊接的通孔,该通孔贯穿极片本体的厚度,以使得位于该极片本体正反两面的两个极耳能够通过该通孔焊接在一起,有效降低了极耳的内阻,解决了极片本体在焊接极耳后内阻大的问题。
CN115763690A
一种改善锂负极沉积行为的高频振荡电流方法是,采用电化学工作站设备将直流电流和正弦电流复合,形成具有某种振荡频率和振荡幅度的直流充放电电流,使用这种特殊的振荡电流来降低锂负极的沉积过电势。本发明具有操作简单,锂金属负极过电势降低明显的优点。
CN115763688A
本发明属于锂离子电池技术领域,具体涉及一种富锂锰基正极材料的改性方法,将富锂锰基正极材料和处于溶解状态的碲酸源进行液相离子交换反应,随后再在含氧气氛下进行焙烧处理,制得改性富锂锰基正极材料;所述的碲酸源为碲酸、亚碲酸、氢碲酸中的至少一种;焙烧的温度为350~750℃。本发明还涉及所述的方法制备的材料及其在锂离子电池中的应用。本发明方法,基于采用碲酸源对活性材料表面改性和焙烧处理,可协同改善活性材料的电化学性能。
CN115763682A
本发明公开了一种钠离子电池负极浆料的制备方法和负极浆料,其中一种钠离子电池负极浆料的制备方法,包括如下步骤:S1、制备CMC胶液;S2、将硬碳、SP同时加入搅拌锅中,搅拌形成第一浆料,SP为导电剂;S3、在所述第一浆料中加入CMC胶液,搅拌形成第二浆料,第二浆料的固含量为73%~76%;S4、在所述第二浆料中分批次加入剩余的CMC胶液,加入溶剂调节固含量,形成第三浆料;第三浆料的固含量为48~52%;S5、向所述第三浆料加入SBR,真空低速搅拌,形成第四浆料;S6、将所述第四浆料过筛出料得到负极浆料,其中所述负极浆料的固含量为47~51%。通过本发明的制备方法制备的负极浆料分散均匀好,使制得的负极片粘结力好,不会掉料。
CN115763681A
本发明公开了一种负极极片补锂方法及设备,涉及电池技术领域。负极极片补锂方法包括:S1.通过第一牵引设备、第二牵引设备分别将锂箔、负极极片牵引到辊压区域;辊压区域设置辊压设备,辊压设备包括靠近锂箔的第一压辊和靠近负极极片的第二压辊,第一压辊的表面至少部分区域设有朝向锂箔的待补锂表面凸起或凹陷的结构;S2.锂箔和负极极片经过第一压辊和第二压辊之间的间隙完成辊压,锂箔位于第一压辊与负极极片之间;S3.通过第一收卷设备、第二收卷设备分别将补锂后的锂箔和补锂后的负极极片进行收卷。本发明能够使得锂箔和电池极片结合紧密不容易脱离,且不容易使电池极片发生延展变形而造成极片报废,从而能够提高锂箔补锂的产品合格率。
CN115763677A
本发明涉及一种高精度LED支架,包括支架承载板和多个灯座,多个灯座矩阵式分布在支架承载板的表面,灯座包括导电板和封装壳,封装壳包括上壳体和下壳体,导向板位于上壳体和下壳体之间,上壳体为框形,下壳体形成两个伸出孔,导向板下表面形成有两个引脚,两个引脚穿过伸出孔压合在下壳体下表面,该LED支架的灯座结构简单且稳定性高;而且本发明还提供了一种高精度LED支架生产工艺,通过将铜片带进行冲压、电镀、注塑、折弯分切和筛选包装,其中注塑采用注塑装置进行注塑,智能化程度高,而且筛选包装采用了一种筛选分拣装置,大大的减轻了劳动强度且提升了生产效率。
CN115763667A
一种发光二极管封装结构及其制作方法,该封装结构包括透明基底以及位于该透明基底上的发光二极管和焊盘电极,该焊盘电极配置为与该发光二极管通过焊线电连接,该封装结构还包括封装层,该封装层覆盖所述发光二极管和该焊线,该发光二极管的出光面配置为朝向该透明基底一侧。该封装结构有助于提高发光二极管的出光效率。
CN115763665A
本发明提供一种微型半导体元件以及微型半导体结构。微型半导体元件包括磊晶结构以及光学层。光学层配置于磊晶结构上。光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于第一膜层与第二膜层之间的第三膜层。第一膜层的折射率与第二膜层的折射率皆大于第三膜层的折射率。第三膜层的厚度大于第一膜层的厚度与第二膜层的厚度。光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。本发明的微型半导体元件可让外部光对磊晶结构的影响最小化,以确保磊晶结构本身的特性,可具有较佳的结构可靠度。
CN115763654A
公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法,发光二极管的外延结构包括:衬底;第一半导体层,位于所述衬底上,所述第一半导体层为第一掺杂类型;有源层,位于所述第一半导体层上;第二半导体层,位于所述有源层上,所述第二半导体层为与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型;其中,所述有源层包括从下到上依次层叠的第一量子阱层、阻挡垒层以及第二量子阱层,所述第一量子阱层位于所述第一半导体层上。本发明提供的发光二极管的外延结构及其制备方法,在有源层中设置阻挡垒层,对空穴以及电子的运动进行阻挡,将电子和空穴主要限制在有源层,使得电子和空穴在有源层中复合发光,以保证发光二极管的亮度。
CN115763651A
本发明提供了一种背刷锡产品不良品返工处理方法,所述方法包括:建立物理模型;获取每次磨平后的凸焊点当前高度和凸焊点当前磨平面半径;得到磨平函数;将所述不良凸焊点磨平至所述返工凸焊点高度,并根据所述磨平函数,得到对应的返工凸焊点磨平面半径;选取对应的返工钢网;将返工钢网套在磨平后的所述不良凸焊点上,并往返工钢网的开孔内倒入锡膏,将锡膏印刷在磨平后的所述不良凸焊点上并进行回流焊,以完成背刷锡产品不良品的返工,本发明通过物理磨平的方式完成不良品的返工,降低了产品电性不良风险的同时缩短了产品返工周期。
CN115763648A
本申请提供了一种发光二极管及其制作方法,涉及半导体技术领域。首先基于衬底的一侧制作主体层,其中,主体层包括逐层生长的第一电注入层、发光层以及第二电注入层,通过刻蚀工艺沿第二电注入层的位错进行刻蚀,以在主体层上形成刻蚀坑,其中,部分或全部刻蚀坑的深度达到发光层;沿主体层的表面沉积钝化层,其中,钝化层位于刻蚀坑内与第二电注入层的台面;对钝化层进行部分去除,并露出第二电注入层的台面,沿第二电注入层的台面与第一电注入层制作电极。本申请提供的发光二极管及其制作方法具有提升了发光二极管的内量子效率、出光效率以及使用寿命的优点。
CN115763645A
本公开提供了一种改善发光效率的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括提供一衬底;在所述衬底上生长n型层;在所述n型层上交替生长多个量子阱层和多个量子垒层,形成发光层;在所述发光层上生长p型层;其中,所述量子阱层采用以下方式形成:形成第一InGaN层;向反应腔通入氢气,在所述第一InGaN层上形成第二InGaN层;停止通入氢气,在所述第二InGaN层上形成第三InGaN层。本公开实施例能提高电子空穴复合效率,提升发光二极管的发光效率。
CN115763640A
本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件,包括:对制绒后的基底的第一表面进行硼扩散,形成硼扩散层和厚度D1满足90nm≤D1≤190nm的硼硅玻璃层;在所述基底的第二表面沉积非晶硅或多晶硅,形成有绕镀层;在所述基底的第二表面进行磷扩散,形成掺杂导电层,所述绕镀层远离所述基底的一侧形成有厚度小于所述硼硅玻璃层厚度的第一磷硅玻璃层,以及,在所述硼硅玻璃层中形成有厚度小于或等于所述硼硅玻璃层厚度的硼磷硅玻璃层;使用酸性溶液去除所述第一磷硅玻璃层,所述酸性溶液包括第一溶液,或,第一溶液和第一添加剂;使用碱性溶液去除所述绕镀层。本申请有利于降低基底发生过刻现象的可能,有利于提高太阳能电池的生产质量。
CN115763629A
本发明涉及光伏组件制造技术领域,尤其涉及一种太阳能电池组串的搬运装置。该太阳能电池组串的搬运装置主要包括支架、载板、加热组件和吸盘组件,其中,载板设置为若干个,若干个载板通过固定件设置在支架上,且相邻两个载板之间设置有第一预设间隙,固定件可调节载板相对支架的高度位置,加热组件设置为若干个,且每一个载板上均设置有至少一个加热组件,吸盘组件部分嵌设在载板内,吸盘组件用于吸附电池片,以使电池片与载板的主平面贴合。该太阳能电池组串的搬运装置结构简单,载板的形变量可控,能够提高电池片受热的均匀性,避免电池片与焊带发生拉脱的风险,提升产品的良率。
CN115763626A
本发明涉及一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法以及钝化设备,包括以下具体步骤:步骤一:将待测硅片放入HF和HNO3的混合溶液中,去除表面的杂质和氧化层;步骤二:每次做硅片热氧化前,需打开炉门,打开N2进气开关吹扫炉腔,确保炉腔无细微颗粒存在;步骤三:关闭炉门,关闭N2进气开关,打开加温开关,以100℃/h的加温速率从室温加热到600‑700℃,炉腔温度达到设定温度后,稳定10‑15min;步骤四:将镜面抛光后的硅片装入片架,打开炉门推入炉腔,关闭炉门;步骤五:高温处理达到规定时间后,打开炉门取出样片采用冷却装置快速冷却到室温,对样片进行少子寿命测试。本发明具有操作简便、成本低、效率高等特点。
CN115763623A
本发明涉及一种可应用于光器件及光模块的贴片机,包括操作台、负压吸附组件、横向转轴、驱动横向转轴旋转的操作手柄,横向转轴安装有横向移动件,横向移动件经连杆机构与操作手柄相连接;横向移动件的前方设有竖向移动件,竖向移动件的下端与横向移动件沿纵向滑动配合,横向转轴旋转时带动竖向移动件的移动;竖向移动件设有竖向滑道,负压吸附组件包括与竖向滑道滑动配合的负压吸嘴,负压吸嘴的上侧设有与报警模块相连接的检测组件,当检测组件检测到负压吸嘴的上端时,报警模块发出报警指示。本发明方便手动控制芯片的位置,操作方便,提高贴片效率;且在贴片到位后利用报警模块发出报警指示,以便操作者快速停止贴片,避免对芯片造成损坏。
CN115763620A
本发明公开了一种SiC APD线性阵列击穿电压的调控方法,该方法通过设置击穿电压,获取每个像元间的平均击穿电压的波动值ΔVB,对整个SiC APD线性阵列进行分组,将击穿电压按照从大到小的顺序依次分组;通过各个像元独立的上电极对各像元的击穿电压进行调控;选取高于平均电压VB1的电压值作为SiC APD线性阵列的工作电压,工作电压施加于SiC APD线性阵列共用的背电极,使SiC APD线性阵列进行紫外探测成像。本发明通过对各像元的击穿电压进行调控能够使各像元工作在相同增益和探测能性下,获得高质量紫外探测成像。
CN115763613A
本公开提供了一种基于肖特基势垒的带宽可调探测器及制备方法,该探测器自下而上顺次包括:衬底层、下接触层、有源层、上接触层和钝化层;其中,探测器的漏电极设置在下接触层上,探测器的至少三个源电极设置在上接触层上;其中,至少三个源电极分别由不同的金属材料构建得到,以形成肖特基势垒。
CN115763612A
本发明公开了一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法,属于光电子器件领域。全硅光电探测器包括补偿掺杂的吸收区、收集电流的P++和N++重掺杂区。一方面,通过P型和N型混合的补偿掺杂的方式,在硅波导内部引入了超过传统的单次掺杂的缺陷密度,同时形成具有本征半导体性质的吸收区,避免对光探测无贡献的自由载流子吸收。另一方面,通过狭缝波导提高了界面处的缺陷密度以及增强了缺陷与光之间的相互作用。从而,全硅光电探测器可以利用在硅波导中引入的缺陷以及增强光与缺陷的相互作用来实现光通信波段(1.3‑1.6μm)的光探测。此外,本发明的制备过程完全兼容CMOS工艺,无需引入其他材料,具备低成本和高集成度的优势。
CN115763607A
本申请公开了一种彩色叠层光伏器件,包括下层电池、光学反射层、串联层以及上层电池,所述串联层连通所述下层电池和上层电池;所述光学反射层位于所述下层电池和上层电池之间,通过调节所述上层电池和/或所述光学反射层控制所述彩色叠层光伏器件呈现的色彩。本申请的彩色叠层光伏器件,在上层电池和下层电池之间插入光学反射层,使叠层光伏器件整体在450‑800nm波段具备反射峰,解决了可见光波段彩色反射峰及其余波段光谱能量不能被上层电池吸收利用的问题,并且还确保叠层光伏器件的上层电池在可见光波段具备较高的效率,从而使得叠层光伏器件整体在呈现彩色的同时具备较高的光电转换效率。
CN115763595A
本发明涉及一种光电二极管光接收窗口的形成方法及一种沟槽形成方法,所述光电二极管光接收窗口的形成方法包括:在衬底上形成第一介质层;在第一介质层上形成金属层;对金属层进行图案化处理,得到第一金属层,第一金属层在平面上将光接收窗口区域完全覆盖;在第一金属层上形成第二介质层;对第二介质层进行光刻及第一刻蚀;对所述第一金属层进行第二刻蚀;对第一介质层进行第三刻蚀;在光接收窗口区域,第一、第二及第三刻蚀形成的空间连通在一起从而将衬底的光接收窗口露出。本发明的光接收窗口刻蚀可以获得较佳的片内均匀性,因此晶圆上不同尺寸与位置的光电器件光电流稳定,光电IC电路良率提升。
CN115763594A
本发明提供一种光电二极管及其制造方法,该方法包括:在半导体衬底一侧通过外延生长形成一种或多种掺杂类型的外延层,其中包括至少一层N型外延层;在所述外延层的上部通过离子注入形成N型注入区域,所述N型注入区域与其下方的所述N型外延层共同构成N型载流子收集区域;在所述N型载流子收集区域的外围形成P型隔离区域,从而形成光电二极管。本发明通过N型外延层和N型注入区域共同构成光电二极管的N型载流子收集区域,位于上部的N型注入区域可以与转移晶体管更好地配合以实现载流子的转移传输,位于下部的N型外延层具有更好的掺杂质量和更少的缺陷,解决了图像白点问题,改善了成像质量,并且工艺简单可行,效率高,产能高。
CN115763591A
本申请公开了基于二硒化钒的光电探测器以及制备方法,制备方法包括以下步骤:(1)将单晶二硒化钒转移至二氧化硅层上,形成二硒化钒层;(2)对二硒化钒层进行高温退火,得到2H相的二硒化钒层;(3)通过光刻工艺和电子束蒸镀方法在二氧化硅层上形成第一金属电极和第二金属电极;(4)通过干转移法把第一金属电极和第二金属电极转移至经过步骤(2)加工得到的氧化硅片上。本申请选用机械剥离工艺制备获得薄层1T相的二硒化钒层后,通过无氧环境下的高温退火得到2H相的二硒化钒层,随后在退火后的二硒化钒层上面转移金属电极,得到在红外波段的高响应率光探测器。
CN115763573A
本发明公开了一种具有软恢复特性的快恢复二极管芯片及其制作方法。所述快恢复二极管芯片,由下至上依次包括阴极金属层、N+型阴极区、第一N‑型区、i区、第二N‑型区、P+型阳极区以及阳极金属层;其中所述i区为一本征薄层,且在所述i区内设有规则排列的若干N+井区,所述N+井区在纵向上贯穿所述i区。通过局部浓度控制,在常规P+/N‑/N+结构的N‑层中,引入一本征薄层,并在该薄本征层中设置特定N+井区,避免了快恢复二极管在快恢复过程中电流的强烈震荡,实现快而软的恢复特性。本发明通过芯片结构设计和相对简单的工艺过程,实现了快恢复二极管的软度特性的要求,获得恢复速度快、软度及漏电综合性能优良的快恢复二极管芯片。
CN115763562A
一种能降低导通电阻的高迁移率碳化硅N型LDMOS器件,包括N型衬底,N型衬底上设有P型外延,在N型衬底上设有N型阱区、第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区及连接于源极的第二P型重掺杂区,在N型阱区内设有连接于漏极的第二N型重掺杂区,第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区及第二P型重掺杂区相连接,在第二N型重掺杂区、N型阱区、第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二P型重掺杂区及P型外延的表面设有氧化层,在P型外延上设有作为所述器件栅极的多晶硅沟槽栅极且多晶硅沟槽栅极向P型外延内延伸,在P型外延内设有N型埋层,N型埋层的一端接于所述器件的沟道,另一端连接于N型阱区。
CN115763559A
本申请实施例涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法,包括:衬底,包括在厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面;漏极沟槽,从衬底的第一表面延伸至衬底的内部;氮化镓基外延叠层,在衬底的第一表面上以及漏极沟槽的内表面上延伸,氮化镓基外延叠层的至少部分区域用于形成二维电子气通道;漏极,位于漏极沟槽内且位于氮化镓基外延叠层的第一位置上;栅极,位于氮化镓基外延叠层的第二位置上;由氮化镓基外延叠层中位于第一位置和第二位置之间的部分形成的二维电子气通道具有沿厚度方向上的分量;如此,利用衬底的厚度方向延长漏极与栅极之间二维电子气通道的长度,从而在占用面积较小的情况下实现较高的耐压。
CN115763558A
本揭露提供了一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层及栅极结构。第一氮化物半导体层设置于衬底上。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上并且其带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第三氮化物半导体层被掺杂掺杂质,且设置于第二氮化物半导体层上。栅极结构设置于第三氮化物半导体层上。栅极结构具有沿一第一方向延伸且位于一第一高度的第一部分及沿第一方向延伸且位于与第一高度不同的第二高度的第二部分。第一部分与第二部分沿第一方向具有距离。
CN115763553A
本发明公开了一种基于FeFET结构的真随机数发生器、制备及使用方法。制造该器件首先在硅衬底上刻蚀形成沟道区域,沉积多晶硅,形成多晶硅沟道;其次分别沉积氧化层、铁电层和栅电极层,通过光刻和刻蚀形成铁电场效应晶体管的栅极结构;最后在栅极两侧形成铁电场效应晶体管的源漏区域,形成FeFET器件,完成真随机数发生器的制备。真随机数发生器通过外围电路测量FeFET器件的导通电阻作为真随机数。本发明利用FeFET的铁电层在极化翻转过程中发生翻转的第一个铁电畴的位置和电压具有随机性,在晶体管性能上的表现为阈值电压的随机变化,产生随机变化的导通电阻,实现真随机数的发生。该真随机数发生器结构简单、易于集成、功耗低且具有CMOS兼容性。
CN115763551A
本发明公开了一种SGT半导体器件的栅间介质层的制造方法,包括:步骤一、形成栅极沟槽,在栅极沟槽中形成底部介质层以及屏蔽栅导电材料层。步骤二、形成第二介质层覆盖在形成有屏蔽栅导电材料层的栅极沟槽的内外表面上。步骤三、形成第一掩膜层将栅极沟槽内的第一间隙完全填充并延伸到第一间隙外。进行图形化在第一掩膜层中形成第一开口,第一开口位于栅极沟槽的两侧且将底部的第二介质层的表面暴露出来。步骤四、从第一开口的底部开始对第二介质层进行刻蚀湿法刻蚀且由湿法刻蚀后的第二介质层组成栅间介质层。步骤五、去除第一掩膜层。步骤六、形成栅介质层和栅极导电材料层。本发明能独立对栅间介质层的厚度进行精确调节,而且工艺简单。
CN115763549A
一种半导体器件及其形成方法,方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底内形成栅极结构,所述栅极结构的栅氧化层覆盖所述半导体衬底表面;对所述半导体衬底进行第一高温处理;对所述半导体衬底进行离子注入处理,以得到离子注入区域;对所述半导体衬底进行第二高温处理;其中,在对所述半导体衬底进行第一高温处理之前,和/或,在对所述半导体衬底进行第二高温处理之前,对所述半导体衬底表面的栅氧化层进行湿法刻蚀处理,以减薄所述半导体衬底表面的栅氧化层。本发明能够降低积累的电荷对半导体器件的影响。
CN115763538A
本发明涉及半导体领域,公开了提高MOS管的SiGe沟道与高K介质层的界面质量的方法,包括如下步骤:S1:提供晶圆,晶圆上设有用于制作Core PMOS的第一区域,第一区域的顶部设有SiGe层;S2:在SiGe层的顶部制作第一厚度的Si层;S3:在Si层上制作高K介质层,在实际使用时,本发明通过先在SiGe层上生长一层Si层,然后在Si层上生长高K介质层,可以提高SiGe层与高K介质层的界面质量,降低界面态密度,从而提高器件的迁移率和降低低频噪声。
CN115763533A
本发明公开了一种凹槽填充介质隔离漏电的同质外延GaN HEMT器件及其制作方法,主要解决现有器件同质外延界面漏电的问题。其自下而上包括GaN衬底、GaN缓冲层、背势垒层、沟道层、AlN插入层、势垒层和绝缘栅介质,AlN插入层和势垒层的两侧分别为欧姆接触区,欧姆接触区上设置源和漏电极,绝缘栅介质上设有栅电极;GaN缓冲层与GaN衬底上设有凹槽,该凹槽中和GaN衬底背面均填充且覆盖高热导率材料作为漏电隔离层,该源电极的欧姆接触区下方设有至漏电隔离层的通孔,该通孔内与漏电隔离层的下部淀积金属形成背电极。本发明无同质外延界面漏电,输出电流和功率密度高,散热效率高,可用于微波功率放大器和射频集成电路芯片。
CN115763522A
本发明提供一种MOSFET器件及其制造方法,先利用图形化掩膜进行第一离子的注入来形成不易扩散的阱区,再利用图形化掩膜及其侧壁上的侧墙,与源区自对准地进行第二离子的注入,进而利用第二离子相对第一离子更易扩散的特性,形成位于阱区底部且与阱区底部相接的半超结,该半超结一方面可以起到有效扩展阱区结深的作用,使得器件耐压能够得以提高,实现器件的高导通性能,另一方面可以将栅氧化层下方的电场强度的峰值推移到阱区下,使得栅氧化层下方的电场强度被有效降低且更加均匀,进而提高器件的可靠性。
CN115763520A
方法包括形成从衬底突出的第一鳍和第二鳍;形成围绕第一鳍和第二鳍的隔离层;在第一鳍上外延生长第一外延区域并且在第二鳍上外延生长第二外延区域,其中,第一外延区域和第二外延区域合并在一起;对第一外延区域和第二外延区域执行蚀刻工艺,其中,蚀刻工艺将第一外延区域与第二外延区域分隔开;在第一外延区域与第二外延区域之间沉积介电材料;以及形成在第一鳍上方延伸的第一栅极堆叠件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
CN115763517A
本描述涉及一种光电器件制造方法,包括以下连续步骤:a)将多个无机发光二极管(165)形成在先前在半导体衬底(103)的内部和顶部形成的集成控制电路(101)上;以及b)将有源光敏半导体层(173)沉积以填充无机发光二极管(165)之间横向延伸的自由空间。
CN115763516A
本发明涉及一种大尺寸CCD芯片的贴片方法,包括测量大尺寸CCD芯片和陶瓷管壳的厚度;用预设的厚度减去大尺寸CCD芯片和陶瓷管壳的厚度得到目标厚度;对硅片进行高精度硅片减薄处理分割多个正方形硅片;按照蛇形在陶瓷管壳的连接面上涂覆粘接胶,粘接胶将陶瓷管壳的连接面分割为多个长方形安装区域;多个正方形硅片安装在所有长方形安装区域内;将大尺寸CCD芯片放置在陶瓷管壳的连接面上;沿大尺寸CCD芯片光敏面的中心向四周按压大尺寸CCD芯片,对于超出预设厚度的区域和凸出区域再次按压,使大尺寸CCD芯片的光敏面平整为止,完成大尺寸CCD芯片的贴片,可有效保证大尺寸CCD芯片的贴片平整度,提高产品的成品率。
CN115763506A
本发明提供一种图像传感器及其制备方法,其中图像传感器的制备方法包括:提供包含像素区、逻辑区和隔离区的衬底;依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层;在隔离区形成间隔分布的第一沟槽;在邻近所述像素区的第一沟槽底部形成呈锥型的第二沟槽;形成浅沟槽隔离结构和深沟槽隔离结构。本申请通过在邻近像素区的所述隔离区的第一沟槽底部形呈锥型的深沟槽隔离结构,可以使逻辑区的光在到达隔离区时遇到锥型的深沟槽隔离结构直接发生反射,使得逻辑区的光无法到达像素区,改善了器件的像素性能,提高了器件良率;进一步的,锥型的深沟槽隔离结构也可减少逻辑区的电子越过隔离区到达像素区,改善像素区边缘发光的问题,进一步提高了器件良率。
CN115763496A
本申请涉及具有增强电荷俘获效率的高电阻率绝缘体上硅衬底。提供了一种多层绝缘体上半导体结构,其中处置衬底及与所述处置衬底界面接触的外延层包括相反类型的电活性掺杂物。所述外延层由处置衬底自由载子耗尽,借此导致高表观电阻率,其改进RF装置中的结构的功能。
CN115763489A
公开了一种薄膜晶体管阵列,包括:基板、位于基板上的第一薄膜晶体管以及位于基板上的第二薄膜晶体管,其中,第一薄膜晶体管包括位于基板上的包括氧化物半导体的第一有源层,第一有源层包括第一沟道部分、第一导体部分以及位于第一沟道部分和第一导体部分之间的第一中间部分,第二薄膜晶体管包括位于基板上的包括氧化物半导体的第二有源层,第二有源层包括第二沟道部分、第二导体部分以及位于第二沟道部分和第二导体部分之间的第二中间部分,并且第一薄膜晶体管的第一导体部分的电阻率高于第二薄膜晶体管的第二导体部分的电阻率。
CN115763487A
根据本公开内容的一方面,一种显示装置包括:多个基板,所述多个基板被布设在多个子像素中,并且各自由透明导电氧化物层或氧化物半导体层之一构成;多个晶体管,所述多个晶体管分别被布设在多个基板上,并且分别被设置在多个子像素中;多条数据线,所述多条数据线在多个子像素之间沿列方向延伸,并且被配置成将数据电压传送至多个子像素;以及多个发光元件,所述多个发光元件分别被布设在多个子像素中,并且电连接至多个晶体管,其中,多个基板被布设成相互间隔开,并且其中,多条数据线被布设在其中多个基板相互间隔开的区域中。
CN115763486A
提供了一种薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置。该薄膜晶体管基板包括:在基底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中第一薄膜晶体管包括:在基底基板上的第一有源层;和与第一有源层分隔开的第一栅极电极,第二薄膜晶体管包括:在基底基板上的第二有源层;和与第二有源层分隔开的第二栅极电极,并且第一有源层具有比第二有源层的迁移率高的迁移率。由于根据使用目的一起使用具有高迁移率和高电流特性的薄膜晶体管和具有优异稳定性的薄膜晶体管,因此可以提高显示装置中的薄膜晶体管的布置效率。
CN115763473A
本发明公开了集成电路领域的一种可控硅器件,包括衬底和形成于所述衬底上的器件区,所述器件区内设置有第一N阱区和第一P阱区;所述第一N阱区上设置有第一N+注入区、第一隔离槽和第一P+注入区;所述第一P阱区上设置有第二N+注入区、第二隔离槽和第二P+注入区;所述第一N+注入区、第一P+注入区通过金属相连并接入阳极;所述第二N+注入区、第二P+注入区通过金属相连并接入阴极;所述第一P阱区和第一N阱区在交界处设置有第三P+注入区;由所述第一N+注入区、第一N阱区、第三P+注入区、第一P阱区以及第二P+注入区构成反向P+/Nwell二极管;本发明提升了维持电压,保持了可控硅器件高鲁棒性的特点。
CN115763467A
本公开涉及包含具有交错线接合件的堆叠裸片的半导体装置和相关联系统和方法。本文中公开存储器装置和相关方法和系统。代表性存储器装置包含衬底和电耦合到所述衬底的存储器控制器。所述存储器控制器可包含第一进/出I/O通道和第二I/O通道。所述存储器装置可进一步包含耦合到所述衬底且以堆叠方式布置的多个第一存储器和第二存储器,在所述堆叠中所述第一存储器交错在所述第二存储器之间。所述存储器装置可进一步包含:(i)多个第一线接合件,其将所述第一存储器电耦合到所述存储器控制器的所述第一I/O通道,和(ii)多个第二线接合件,其将所述第二存储器电耦合到所述第二I/O通道。
CN115763466A
本发明涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法,提高线键合的位置精度。半导体装置(1)具备:半导体元件(7);控制端子(19),其经由布线构件来与半导体元件的上表面电极电连接;以及外壳构件(4),其与控制端子一体成型,所述外壳构件(4)划定出收容半导体元件的空间。控制端子具有成为布线构件的连接点的键合焊盘(19a)。外壳构件具有凸状的定位部(41d),该定位部(41d)成为布线构件相对于焊盘的定位的基准点。
CN115763462A
本发明公开了一种功率模块和具有其的电子设备,功率模块包括:驱动芯片包括本体和多个焊盘,第二控制引脚包括第二引脚本体和延伸部,沿第二引脚本体沿塑封体的宽度方向延伸,延伸部的一端与第二引脚本体的一端相连,延伸部的另一端沿塑封体的长度方向延伸,沿塑封体的宽度方向、第一控制引脚位于延伸部的远离驱动芯片的一侧,且沿塑封体的长度方向、延伸部的另一端端面延伸至超出第一控制引脚的自由端端面,多个焊盘中的其中一个通过电连接线与第一控制引脚或延伸部电连接,或多个焊盘中的其中两个通过电连接线分别与第一控制引脚和延伸部电连接。根据本发明的功率模块,提高功率模块的设计灵活性和通用性,功率模块能够满足不同的使用情况。
CN115763460A
本发明提供了一种RGB显示器件及其集成封装方法。本发明的RGB显示器件的集成封装方法,包括如下步骤:1)将含有倒装红光芯片、倒装绿光芯片、倒装蓝光芯片的芯片阵列转移至耐高温膜;2)采用黑色胶膜做第一次封装,覆盖在耐高温膜上含有芯片阵列的一侧,固化后得到第一次封装材料;3)将第一次封装材料置于清洗设备中,清洗掉部分黑色胶膜以使芯片裸露;4)将清洗处理的材料置于模具中,注入透明胶覆盖芯片阵列进行第二次封装,预固化、烘烤后得到第二次封装材料;5)将第二次封装材料进行切割,得到独立的RGB显示器件。本发明的RGB显示器件的集成封装方法,提高了产品良率,减小了器件的整体厚度,散热效果好。
CN115763454A
本发明提供了一种垂直堆叠的LED芯片,包括:第一P电极和第一N电极;第一外延发光结构;第一P电极和第一N电极形成于第一外延发光结构上;生长基板;第二外延发光结构;形成于生长基板上;第二P电极和第二N电极形成于第二外延发光结构上;第一反射镜层;形成于第二外延发光层上;第一粘结层;形成于第一反射镜层上;其中,第一外延发光结构键合于第一粘结层上;钝化层;覆盖第一外延发光结构、第二外延发光结构的表面和侧面,第一粘结层的表面和侧壁以及第一反射镜层的侧壁。该技术方案解决了如何实现芯片结构中一个像素覆盖多色一个像素覆盖两种基础颜色,以及如何独立处理LED芯片中每个像素的问题。
CN115763437A
本发明公开了一种系统级电磁屏蔽封装结构、制备方法及电子产品。该系统级电磁屏蔽封装结构包括母板、互连结构以及芯片封装结构;其中,芯片封装结构包括基板、多个管脚、承载于基板上的芯片、包覆基板和芯片的塑封体,以及包覆塑封体的电磁屏蔽层,母板上设置有功能焊盘和接地的屏蔽焊盘,屏蔽焊盘设置在功能焊盘的外围;电磁屏蔽层通过互连结构与母板上的屏蔽焊盘连接。本发明可以实现完全封闭的电磁屏蔽层;并且利用电磁屏蔽环和接地层连接的方式,进一步提高屏蔽效果;电磁屏蔽环和基板的接地层间断连接的设计,可以降低芯片制程中静电释放的风险;还增加了芯片封装结构在母板上的抗跌落失效能力。
CN115763434A
本发明公开了一种FC电磁屏蔽芯片、封装结构、方法、电路结构及电子设备。该FC电磁屏蔽芯片包括芯片本体,芯片本体的表面具有多个接地柱,芯片本体的表面开设有多个通孔,通孔的内表面设有金属镀层;布线层,布设于芯片本体的表面,并连接于接地柱与金属镀层之间;电磁屏蔽层,覆盖于芯片本体上与接地柱相对的一面,并与各通孔内的金属镀层导电接触。由此,通过对FC电磁屏蔽芯片进行独特设计,使得该FC电磁屏蔽芯片与基板贴装后即可实现自屏蔽效果,从而极大地节省模组内部空间,设计自由度更高。
CN115763423A
本发明提供了一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器,该方法包括:提供半导体衬底,形成位于半导体衬底中的金属互连层;形成位于半导体衬底上的阻挡层和第一介质层;刻蚀第一介质层,形成沟槽阵列,沟槽阵列包括位于第一区域的电容沟槽和位于第二区域的电连接沟槽;在电容沟槽和电连接沟槽中形成第一导电层、第二介质层和第二导电层,去除第二区域表面的第二介质层和第二导电层以及电连接沟槽底部的第二介质层和第二导电层;沉积形成金属线,以将电容沟槽的第二导电层通过金属线及电连接沟槽的第一导电层与第二区域的金属互连层连接,沟槽电容器的上电极、下电极通过金属互连层引出。该方法用以降低工艺集成难度,提升沟槽电容器结构设计自由度。
CN115763416A
本发明公开了一种金属框架封装基板,包括金属框架、位于所述金属框架的贯穿空腔内的器件、位于所述金属框架的贯穿通孔内的通孔柱,以及包覆所述金属框架、所述器件及所述通孔柱的核心介质层;其中,所述器件和所述通孔柱通过所述核心介质层与所述金属框架间隔开,并且在所述器件的散热面上设置有散热层,所述散热层与所述金属框架导通连接。还公开了一种金属框架封装基板的制造方法。
CN115763414A
本发明涉及一种光电耦合器引线框架,所述引线框架为一金属片,包括多个框架单元和多个相互平行的连接条,所述框架单元间隔排列在所述连接条上;每个框架单元包括两个相邻的功能部以及两个垂直连接所述连接条的引脚,所述两个功能部均位于所述连接条的一侧,且分别连接所述两个引脚,所述两个引脚的端部位于所述连接条的另一侧;每个功能部的面积足以容纳一个芯片安装固定,所述芯片为发光芯片和感光芯片中的任一种。本发明还涉及利用所述引线框架制备光电耦合器的方法以及制得的光电耦合器。本发明的引线框架可提高制得对照式光电耦合器的CTR一致性,减少制造成本和提高生产效率。
CN115763413A
本发明涉及一种引线框架一体型基板、半导体装置、引线框架一体型基板的制造方法及半导体装置的制造方法。得到一种能够通过绝缘基板确保散热性并实现小型化的引线框架一体型基板。引线框架一体型基板11包括引线框架部12以及绝缘基板18,该引线框架部12包括引线框架的一部分,且具有构成基板图案的基板图案部14及引线端子部16,该绝缘基板18与基板图案部14及引线端子部16接合。
CN115763408A
公开了一种晶圆结构和一种半导体装置。该晶圆结构包括半导体基板,其包括芯片区域和划道区域。第一介电层在半导体基板的第一表面上,第二介电层在第一介电层上。介电图案在第一介电层和第二介电层之间。通孔件在半导体基板的芯片区域处穿透半导体基板的第一表面和第二表面,并且导电焊盘在第二介电层中并在通孔件上。介电图案包括在半导体基板的芯片区域上并与导电焊盘的底表面接触的蚀刻停止图案以及在半导体基板的划道区域上的对准键图案。
CN115763407A
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底;置于该基底上方的一第一位元线结构,包括与一第一方向平行排列的一第一线部,以及与该第一线部的一第一端相连,并与该第一方向垂直的一第二方向平行排列的一第二线部;一第一位元线顶触区,包括置于该第一线部的该第一端上,并与该第一方向平行排列的一第一条部,以及与该第一条部的一第一端相连,置于该第二线部上,并与该第二方向平行排列的一第二条部;以及与该第一位元线顶触区电性耦合的一第一顶导电层。
CN115763404A
本申请提出一种可变气相空间的分时相变冷却装置和方法,包括壳体、基座、换热器和压力传感器,壳体形成浸没室,浸没室填充有相变液,壳体开设有连通浸没室的第一进液口和第一出液口,第一进液口和第一出液口用于连接相变液输送系统,第一进液口和/或第一出液口的流量可调,基座位于浸没室的底部,基座用于安装发热器件,换热器包括液冷板和导液管,液冷板安装在基座上,液冷板包括导热面,导热面用于接触发热器件,液冷板形成换热腔,换热腔填充有冷却液,导液管与换热腔连通,导液管用于连接冷却液输送系统,压力传感器位于浸没室的顶部。可变气相空间的分时相变冷却装置能够在满足散热要求的基础上减小压力波动,并且能够减小能耗浪费。
CN115763401A
本发明公开了一种功率模块及功率系统,其中,所述功率模块包括:基板,所述基板的其中一个侧面作为安装面;多个元器件,多个所述元器件间隔设置于所述安装面上,多个所述元器件之间、所述元器件与所述基板的电路层之间相互电连接;多个引脚,多个所述引脚间隔设置于所述安装面上;金属铜管,所述金属铜管贴设固定于所述基板的至少一部分周壁位置,所述金属铜管的两个端口分别作为冷却剂入口和冷却剂出口;塑封料,所述塑封料设置于所述安装面上。本发明中的功率模块由于无需增加体积较大的散热器,因此缩小了功率模块的整体体积,使其适用于安装空间较小的设备。
CN115763395A
本发明公开了一种电磁屏蔽功能的散热器,应用于工控设备,包括导电泡棉、第一导热垫和电磁屏蔽散热部件,电磁屏蔽散热部件包括第一散热层,第一散热层上表面设置有第一屏蔽径和第二屏蔽径,第一导热垫固定连接在第一散热层上表面第一屏蔽径和第二屏蔽径之间,导电泡棉围合第一屏蔽径和第二屏蔽径;主控板上开设有开窗区,开窗区四周铺设裸铜,核心板下表面与主控板上表面贴合,使得核心板上的元器件位于开窗区内;导电泡棉上表面与开窗区四周的裸铜连接,元器件与第一导热垫连接。本发明将散热器和电磁屏蔽功能在同一个结构上实现,提高了主控芯片在高温环境中运行的稳定性和可靠性,以及在严酷的电磁环境下的抗干扰能力。
CN115763390A
一种无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封装结构,包括塑封料、晶片和重布线层;多颗晶片分为大晶片和小晶片;大晶片正面的焊盘处都有多个高凸点,各个高凸点的顶部与重布线层顶面的对应金属触点连接;大晶片的正面与重布线层之间有间隙,小晶片在间隙内;大晶片的正面和小晶片的正面相对,小晶片正面与大晶片正面的对应焊盘连接;塑封料封住小晶片;大晶片的高凸点的顶端露出于塑封料;重布线层分布在塑封料的顶面;大晶片在重布线层上的投影与重布线层重合,则塑封料的侧面与重布线层的侧面以及大晶片的侧面齐平,构成扇入型封装结构;大晶片在重布线层上的投影在重布线层的范围内,则塑封料的侧面与重布线层的侧面齐平,构成扇出型封装结构。
CN115763385A
本发明提供的一种低损耗功率开关封装外壳;包括基座,所述基座为一面开口的空心体,基座开口的一端边缘上安装有封口环,其底部分别设置有外电极和外电极,基座上加工有内电极和焊盘,所述内电极与外电极连接,所述焊盘与外电极连接,所述基座内加工金属夹层。本发明采用高温共烧陶瓷技术和电镀金属层的的方法生产,不但使器件轻量化,产品具有机械强度高、化学性能稳定,将芯片的外电极和内部芯片的烧焊底座加工为一体,减少了芯片阻抗,大大提高了期间的功率密度,并且芯片的散热效果也得到提升。
CN115763384A
本申请涉及一种封装结构及电子设备,封装结构包括基材和引线框架。基材具有第一表面,第一表面包括固芯区及环绕固芯区的封装区,固芯区用于固定芯片。引线框架借助于胶体固定于封装区。其中,第一表面上设有位于封装区和固芯区的交界处的图案化结构,以使第一表面构造为非平坦表面。本申请提供的封装结构及电子设备,封装结构的基材的第一表面上的固芯区用于固定芯片。位于封装区和固芯区交界处的图案化结构将第一表面构造为非平坦表面,从而改变了第一表面的形貌,降低了胶体中的有机成分渗透至固芯区的可能,从而提升了芯片的粘结可靠性。
CN115763375A
半导体结构包括:块状半导体衬底;第一多个介电隔离区域,位于块状半导体衬底上方;多个半导体鳍,突出高于第一多个介电隔离区域;第一栅极堆叠件,位于多个半导体鳍的顶面和侧壁上;第二多个介电隔离区域,位于块状半导体衬底上方;台面结构,位于第二多个介电隔离区域中;以及第二栅极堆叠件,位于台面结构上方。第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的顶面彼此共面。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
CN115763366A
本申请提供一种具有ESD防护器件的半导体结构的制备方法,在半导体衬底上形成包括位于半导体衬底上的ESD栅极结构的ESD防护器件,而后形成覆盖半导体衬底及ESD防护器件的层间电介质结构,层间电介质结构包括采用沉积工艺及回流工艺形成的BPSG层,且BPSG层中B元素及P元素的重量百分比均大于4%,而后于层间电介质结构上形成图形化的光阻层,并刻蚀层间电介质结构形成接触孔。本申请制备的BPSG层具有良好的流动性,回流工艺后可有效减小ESD防护器件拐角区处层间电介质结构的斜率,从而可增加ESD防护器件拐角区处光阻层的厚度,降低蚀刻过程中层间电介质结构受损的风险。
CN115763363A
本申请提供一种半导体器件及其制程方法。该半导体器件的制程方法包括:提供半导体结构,半导体结构包括半导体衬底、位于半导体衬底上的栅极,以及覆盖半导体衬底和栅极的层间介质层;半导体结构具有第一源/漏区和第二源/漏区;在第一源/漏区和/或第二源/漏区上形成第一连通孔和第一空气孔;其中,在X方向和/或Y方向上,相邻两个第一连通孔之间设置有至少一个第一空气孔;X方向为栅长方向,X方向与Y方向垂直;封闭第一空气孔的孔口以在第一空气孔中形成第一空腔;在第一连通孔中填充导电材料。该半导体器件的制程方法能够减小相邻两个第一连通孔之间的寄生电容,有效减弱了制得的半导体器件的寄生电容对其射频性能的影响。
CN115763362A
本发明提供一种浅槽隔离结构制备方法,所述制备方法包括:提供一中间结构,于所述中间结构上表面形成掩膜层;于所述掩膜层上表面形成研磨停止层,所述研磨停止层包括氮氧化硅层;于所述研磨停止层上表面形成具有开口图形的光刻胶层;基于所述开口图形在所述中间结构中形成沟槽,并填充所述沟槽形成隔离层;基于所述研磨停止层采用化学机械研磨工艺平坦化所述隔离层;刻蚀去除所述研磨停止层及所述掩膜层,制备得到所述浅槽隔离结构。本发明提供的浅槽隔离结构制备方法能够解决现有浅槽隔离结构制备工艺中执行化学机械研磨工艺会产生蝶形缺陷,造成器件短路的问题。
CN115763361A
本申请公开了一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法,属于半导体器件及制造领域。该方法包括:对深沟槽进行倾斜角度的N+型注入,满足器件不同电压规格的需求;NBL和DTI侧壁N+相连等电位,使器件满足High side应用,深槽隔离DTI工艺可以满足功率集成电路高压区域和低压区域的隔离需求;加入CFP结构,CT Plate接在SAB上,场氧厚度增加,在不新增mask的基础上,BV提升约15%。
CN115763356A
本发明公开了PERC电池片生产技术领域的一种定位精准的PERC电池片生产刻蚀机,包括,本体,所述本体上设置有透明门;所述本体内设置有刻蚀槽;所述本体内的两侧均设置有电动导轨,两组所述电动导轨的输出端均与活动板连接;所述活动板的顶部设置有气缸,所述气缸的的活塞杆贯穿活动板连接有安装板;所述安装板的底部均匀设置有位于刻蚀槽上方的定位装置;在支撑板上方逐个放好硅片,然后通过微型电动伸缩杆从上方定位压紧硅片,每个硅片仅有底部两侧被单独的支撑板进行支撑,因此在刻蚀时,通过支撑板向着相反的方向移动,可以间歇地改变覆盖硅片底部的位置,从而使得硅片的下表面可以全面被溶液腐蚀到,减少硅片刻蚀后不良品出现的概率。
CN115763351A
本发明公开一种发光元件阵列基板及其制造方法,其中该发光元件阵列基板包括:载板、多个发光元件组以及粘着结构。多个发光元件组设置于载板之上,且多个发光元件组分别包括多个发光元件。粘着结构位于多个发光元件组与载板之间,且具有多个封闭开口,其中多个封闭开口的外轮廓分别包围多个发光元件组。多个封闭开口分别具有第一内侧壁,且第一内侧壁与多个发光元件组之间的最小间距大于或等于多个发光元件之间的最小间距。
CN115763350A
本发明公开一种转移设备,用以将多个发光元件转移至目标基板,包含承载基板、腔室以及第一负压装置。承载基板包含相对的第一表面以及第二表面,发光元件设置于承载基板的第一表面。腔室具有相连通的空间以及开口,并配置以抵接承载基板的第二表面以密封开口。第一负压装置连通腔室的空间,并配置以对空间提供负压。
CN115763349A
本发明公开一种发光面板,其包括暂存基板、支撑图案层、粘着图案层及多个发光元件。支撑图案层设置于暂存基板上且具有多个开口。粘着图案层设置于支撑图案层上且具有多个开口。粘着图案层的多个开口分别重叠于支撑图案层的多个开口。多个发光元件分别设置于粘着图案层的多个开口。每一发光元件包括第一半导体层、第二半导体层、设置于第一半导体层与第二半导体层之间的主动层及分别电连接至第一半导体层及第二半导体层的多个电极,多个电极位于主动层与暂存基板之间,且多个电极与暂存基板之间存在空气间隙。此外,其他的多种发光面板也被提出。
CN115763345A
本申请涉及光电显示设计技术领域,尤其涉及一种巨量转移装置及巨量转移方法。巨量转移装置与表面具有图形化蓝宝石衬底的芯片相配合,芯片表面具有第一凹槽;巨量转移装置包括真空吸附系统,真空吸附系统包括:真空腔体;多孔材料层,连接于真空腔体;多孔材料层与真空腔体连通;多孔材料层背离真空腔体的一侧具有第二凹槽。本申请一种巨量转移装置利用真空吸附原理来达到吸取、转移芯片的目的,结构简单,制备成本低。本申请一种巨量转移方法操作简单,选择性和转移精度高,在转移芯片的过程中不会损伤芯片,能有效降低芯片巨量转移成本。
CN115763337A
本申请涉及太阳能电池制备技术领域,特别是涉及一种净化台放置舟的方法及其净化台。包括:获取净化台状态参数,控制模块根据净化台状态参数判断是否生成放舟路径指令;若生成放舟路径指令,则控制模块根据放舟路径指令设定净化台搬舟循环指令,机械手根据搬舟循环指令执行搬舟动作;预设多个监测点,获取监测点的舟体数据生成舟实时位置参数,控制模块根据舟实时位置参数修正机械手工作参数;监测点设置有监测模块。通过采集机械手运输舟的实时工作参数,根据预设位置进行定位,实现对于舟的位置识别,并根据舟的实时位置偏差量调整机械手工作参数,提高输送舟位置的准确性,及时校准舟位置,提高生产效率,降低人工参与频率。
CN115763335A
本发明公开了一种实现硅片无接触传送的传输线,包括依次设置的前段取片装置以及后段输送装置,所述前段取片装置与后段输送装置连接位置处设置有两组呈对称设置的拨片装置;所述前段取片装置包括前段输送线体以及用于取片的取片板,所述取片板沿前段输送线体长度方向运动;所述后段输送装置包括后段输送线体;所述拨片装置包括拨片输送线体以及位于所述拨片输送线体上的拨动块,所述拨动块跟随拨片输送线体的皮带进行运动。本发明避免采用皮带摩擦力对硅片进行传输,不会造成硅片与皮带的直接接触,因此能够避免硅片表面受到污染,并且不会因皮带加速度增大导致硅片打滑,保证了硅片的传动效率。
CN115763323A
本发明涉及一种晶圆平台调整装置以及方法,该装置包括水平调节机构以及测距机构,水平调节机构能够与晶圆平台的底部连接,测距机构包括一个或多个第一距离传感器以及计算模块,第一距离传感器与计算模块连接,第一距离传感器设置于腔体盖板的上表面,被配置为用于测量晶圆平台的上表面与腔体盖板的上表面之间的距离,并将距离发送至计算模块,计算模块与水平调节机构连接,计算模块被配置为用于根据距离计算待调节的水平调节机构的调节量,并将调节量发送至待调节的水平调节机构。本发明能够自动化地调节将晶圆平台调节水平,从而提高将晶圆平台调节水平的精确度,提高晶圆质量。
CN115763318A
本发明提供了一种硅片清洗方法及设备,属于半导体制造技术领域。硅片清洗设备,包括:旋转固定结构,用于承载硅片,并带动硅片在水平面上旋转;第一清洗结构,包括第一清洗喷头和第一清洗药液提供结构,用于向硅片的中心区域喷射清洗药液,以清洗硅片的中心区域;设置在旋转固定结构边缘处的第二清洗结构,包括至少一个第二清洗喷头和与第二清洗喷头连通的第二清洗药液提供结构,用于向硅片的边缘喷射清洗药液,以清洗硅片的边缘;控制结构,与旋转固定结构、第一清洗结构和第二清洗结构分别连接,用于控制旋转固定结构的转速,以及控制第一清洗结构和第二清洗结构在不同的时间段对硅片进行清洗。本发明的技术方案能够去除硅片边缘的金属杂质。
CN115763317A
本发明提供了一种晶圆偏移量检测方法,包括:获取传感器扫描到所述晶圆边缘的扫描点的第一边缘位置,所述传感器扫描到所述扫描点时产生第一扫描信号;获得所述第一扫描信号产生时所述机械手的所在位置与所述第二位置之间的第一距离;通过所述第一边缘位置和所述第一距离获得当所述机械手位于所述第二位置时所述扫描点的第二边缘位置;通过所述第二边缘位置和所述晶圆的半径获得所述晶圆偏移时的偏移圆心位置;通过所述偏移圆心位置与所述基准圆心位置之间的位置关系获得所述晶圆的偏移量,本发明无需在设备内设置对中单元避免了晶圆运输至对中单元的步骤,进而提升了提高工艺效率。
CN115763314A
本发明提供了一种大功率整流桥封装生产线及方法,包括横向依次设置的上料刷胶工作台、固晶工作台、点胶工作台、引线粘贴工作台、收料工作台,上料刷胶工作台、固晶工作台、点胶工作台、引线粘贴工作台上均设有导轨,导轨上滑动设有用于放置框架的滑台,每组相邻的导轨均为相互平行设置且相邻的导轨之间设有用于移转框架的移转装置;上料刷胶工作台包括放料装置、转料装置、刷胶装置;固晶工作台包括晶盘切换装置以及固晶装置;点胶工作台包括点胶装置;所述引线粘贴工作台包括引线料片、引线传输台、引线冲模、引线吸嘴;所述收料工作台包括推料装置、收料装置、用于将引线粘贴好的框架移转到所述推料装置上的移转装置。
CN115763305A
本发明公开了一种IC产品封装过程防止漏烘烤的装置及其方法,目的是解决现有技术中存在产品漏烘烤、操作复杂的问题,该装置包括烘箱以及弹夹,烘箱内部设置有处理器,烘箱门上设置有安装槽,安装槽中设置有RFID天线,RFID天线电性连接有RFID阅读器,RFID阅读器与处理器电性连接,弹夹上设置有RFID电子标签,RFID电子标签均录入有IC封装半成品加工信息,RFID电子标签与RFID阅读器通信连接,使用该装置包括以下步骤:S1在RFID电子标签中录入产品加工信息;S2激活RFID电子标签;S3读取RFID电子标签并与处理器中的信息进行匹配,匹配成功进行烘烤;S4烘烤结束再次进行读取RFID电子标签进行匹配确认。本发明操作简单,能有效漏烘或烘烤时间不足的现象,从而确保产品质量。
CN115763299A
本发明涉及一种基板处理装置,具体而言,涉及一种可在高压和低压之间转换从而执行基板处理的基板处理装置。本发明公开一种基板处理装置,其包括:工艺腔体(100),基板支撑部(200),内部引线部(300),以及内部引线驱动部(600);其中上述内部引线部(300)包括:内部引线(310);以及气体供应流路(320)。
CN115763295A
本申请实施例公开了一种基板成膜装置和基板处理装置,包括容器、开闭阀、基座、内轴、外轴和第一吹扫机构;容器开设有排气孔,容器布置有反应室和加热室;基座转动布置在反应室,基座开设有贯穿的配接孔,基座上设有载盘;内轴沿竖直轴线穿过容器的底壁并插入配接孔,载盘在圆周方向上与内轴传动连接;内轴以基座为界被分成第一插入段及第一露出段;外轴沿竖直轴线穿过容器的底壁并环绕第一露出段布置并传动连接基座;第一吹扫机构包括第一管路;载盘与基座存在载盘间隙,内轴与配接孔存在配接间隙,内轴与外轴存在外轴间隙;载盘间隙、配接间隙及外轴间隙依次连通形成第一吹气通路;第一管路连通至第一吹气通路;以降低成膜工艺的杂质比例。
CN115763291A
本申请公开了一种光伏边框检具,包括检具底板,检具底板凹设有长槽,长槽的前后两侧设有多对限位板,长槽内设有升降板,升降板的上端面设有位置传感器,检具底板的下方设有一对限位柱,一对限位柱左右对称设置,限位柱的顶端贯穿检具底板与升降板的下端面固定连接,一对限位柱的底端与支撑板固定连接,支撑板的上端面竖直固定有齿条,齿条上啮合有齿轮,齿轮固定套设在驱动电机上,驱动电机通过连接架与检具底板固定连接。该检具通过转动的齿轮带动齿条上下移动从而带动支撑板、限位柱及升降板上下移动,从而将检验时卡在限位板内的边框抬出,以此来方便将光伏边框取出,提高检验效率。
CN115763282A
本申请提供一种发光基板的制造方法及显示装置,方法包括:提供基板,基板上设置有电极;在基板设置有电极的表面上形成图案化光阻层,图案化光阻层包括与电极重叠的开口,开口贯穿图案化光阻层且暴露电极;于开口中形成连接部;去除图案化光阻层;将发光器件键合于连接部上,得到发光基板,连接部的连接部侧壁的坡度角大于或等于40度且小于或等于140度。通过在基板设置有电极的表面上形成图案化光阻层,图案化光阻层包括贯穿图案化光阻层且暴露电极的开口,在开口中形成连接部,以使基板上带有连接部,并更能保证连接部位于电极上,进而提高发光器件通过连接部键合电极的良率,并有利于包括间距较小发光器件的发光基板的制造。
CN115763273A
本发明公开了一种芯片扇出型封装方法,包括以下操作步骤:在晶圆或者方形等尺寸载体上制作可剥离层,在载体上增加一层绝缘层,形成导通孔和贴片对位mark等各种所需图形,进行芯片预处理操作,芯片正面形成粘结胶,贴片,芯片四周形成保护,进行解键合操作,实现封装主体和carrier载体分离,使芯片pad充分暴露,在芯片pad上制作再布线层,制作锡球并成型,将封装体切割成所需要的单颗成品,芯片扇出型封装制备完成。本发明所述的一种芯片扇出型封装方法,可以在制作导通孔的同时形成贴片对位mark,贴片精度高,可以实现小pad pitch、fine L/S高密度封装,芯片表面不会凸起与EMC等载体表面,性能更优异,不需要使用Cu bump或者锡银,成本更低廉。
CN115763264A
本申请公开了一种嵌埋器件封装基板及其制作方法,制备方法包括:对导体基板进行蚀刻,得到半成品基板;半成品基板包括第一导通区域、孤立导通区域、连接位以及口框区域;连接位用于连接第一导通区域以及孤立导通区域;在半成品基板的下表面贴合粘性临时载板;在口框区域贴装嵌埋器件;在半成品基板的上表面压合第一介质层并去除粘性临时载板;在下表面压合第二介质层;在第一介质层上制作第一导通孔以及第一金属种子层,以及在第二介质层上制作第二导通孔以及第二金属种子层;去除连接位;在第一金属种子层上制作第一线路层以及第一孤立线路层,以及在第二金属种子层上制作第二线路层以及第二孤立线路层。本申请可广泛应用于半导体技术领域内。
CN115763263A
一种形成半导体结构的方法,包括将第一晶圆接合至第二晶圆,以及对第一晶圆执行修整工艺。去除第一晶圆的边缘部分。在修整工艺之后,第一晶圆具有从第二晶圆的第二侧壁横向凹进的第一侧壁。沉积与第一晶圆的侧壁接触的保护层,其中,沉积工艺包括沉积与第一侧壁接触的不含氧材料。该方法还包括去除与第一晶圆重叠的保护层的水平部分,以及在第一晶圆上方形成互连结构,其中,互连结构电连接至第一晶圆中的集成电路器件。
CN115763255A
本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构,该半导体结构的制备方法通过先在第一硅衬底上沉积由二氧化硅和氮化硅交替层叠形成的叠层,并在叠层中刻蚀形成线条沟槽图案;之后填充锗硅材料,并在叠层的上方外延生长第一锗硅层,使外延第一锗硅层过程中产生的缺陷尽量多的限制在线条沟槽图案中,减少最后制备出的第一锗硅层内部的晶格缺陷。之后在第一锗硅层上方形成二氧化硅层或氮化硅层,对第一硅衬底、叠层、第一锗硅层及二氧化硅层或氮化硅层进行退火处理,以使第一锗硅层内部产生拉应力,再去除位于第一锗硅层上方的二氧化硅层或氮化硅层,实现高质量的SixGe1‑xOI衬底的制备。
CN115763252A
本发明提供了一种半导体器件的制造方法,应用于半导体领域。具体的,其在半导体衬底的表面上形成一定厚度的金属层之后,并对其进行硅化工艺的时候,通入浓度可调的预定量氧气,以使所述金属层的底层与所述半导体衬底发生反应转换成金属硅化物层的同时,所述金属层的表层与所述氧气发生反应,形成一定厚度的金属氧化物层,从而在现有工艺的基础上,且不增加额外步骤和额外成本的情况下,最大程度的消耗了所述金属层,从而实现能够灵活控制形成的金属硅化物的厚度,进而得到厚度更薄的金属硅化物,最终解决了顶部半导体层硅特别薄的SOI工艺的漏电问题。
CN115763247A
本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基势垒二极管及其制备方法,属于二极管制备技术领域。本发明在蓝宝石衬底表面依次外延生长N+GaN层和N‑GaN层;在所述N‑GaN层表面低温生长非掺杂GaN层;所述GaN层不做任何掺杂;所述GaN层的厚度小于5nm;所述低温生长的温度为500~700℃;采用强碱性溶液对所述GaN层进行表面腐蚀,形成平整的GaN层;在所述平整的GaN层表面制作肖特基电极,在需要制作欧姆接触的区域,刻蚀N‑GaN层直至暴露出N+GaN层,在暴露出的N+GaN层表面制作欧姆电极,得到准垂直结构GaN肖特基势垒二极管。本发明制备的GaN SBD具有反向耐压高、正向导通电压低的优点。
CN115763243A
本发明提供了一种SOI晶圆的刻蚀方法,包括:提供SOI晶圆,SOI晶圆包括依次层叠的基底层、埋氧化层和半导体顶层;在半导体顶层上形成光刻胶层,并对光刻胶层进行边缘去胶处理;以光刻胶层为掩膜,依次对半导体顶层和所述埋氧化层进行刻蚀,暴露出基底层表面的边缘区域;进行第一次灰化工艺,去除光刻胶层,此时SOI晶圆的表面形成有硅基聚合物副产物;进行第二次灰化工艺,去除硅基聚合物副产物。本发明提供的SOI晶圆的刻蚀方法,在进行常规的第一次灰化工艺去除光刻胶层后,接着进行第二次灰化工艺去除SOI晶圆表面形成的硅基聚合物副产物,解决了现有工艺中在SOI晶圆表面形成硅基聚合物副产物进而影响后续制程良率的问题,提高了刻蚀工艺的品质。
CN115763242A
本申请公开了一种刻蚀方法,包括:提供一衬底,衬底上从下而上依次形成有耦合氧化层、第一多晶硅层、第一间隔层以及第二多晶硅层,第二多晶硅层上形成有硬掩模层,硬掩模层和第二多晶硅层中形成有沟槽,沟槽底部的第一间隔层暴露,沟槽中硬掩模层的周侧形成有第二间隔层;通过使侧壁钝化的干法刻蚀工艺进行刻蚀,直至沟槽底部的第一多晶硅层暴露。本申请通过在闪存器件的制造过程中,在进行控制栅刻蚀后,通过使侧壁钝化的干法刻蚀工艺进行刻蚀去除控制栅和浮栅之间的第一隔离层,由于在刻蚀过程中产生的钝化层能够对控制栅多晶硅层和第一间隔层进行保护,从而解决了由于湿法刻蚀的钻蚀效应在控制栅多晶硅层的侧壁形成尖角型缺陷的问题。
CN115763241A
本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构,其中,所述制备方法包括:衬底至少包括标记区及位于标记区之间的空白区;依次形成目标层和掩膜层,目标层和掩膜层共形覆盖衬底;形成核心图案;以核心图案为掩膜刻蚀掩膜层,以获得位于标记区的多个第一图案及位于空白区的多个第一虚设图案;形成第一介质层,第一介质层至少覆盖第一图案和第一虚设图案的侧壁;形成填充层,填充层至少覆盖第一介质层的侧壁,且填充位于相邻第一图案之间、第一虚设图案之间及第一图案和第一虚设图案之间的间隙;形成阻挡层,以阻挡层为掩膜,沿第一图案的侧壁刻蚀第一介质层,以形成位于标记区的第二图案;刻蚀目标层,以将第二图案转移到目标层上。
CN115763240A
本发明公开了一种消除硅片表面应力的碱腐蚀工艺。硅片加工过程依次包括切片、第一次碱液热处理、倒角、第二次碱液热处理、研磨;其中,在第一次碱液热处理中,将切片后得到的硅片浸入碱液A中处理,碱液A的质量百分比浓度为15%‑40%,温度为90‑120℃,处理时间为8‑30s;在第二次碱液热处理中,将倒角后的硅片浸入碱液B中处理,碱液B的质量百分比浓度为20%‑40%,温度为90‑120℃,处理时间为5‑25s。碱液A和碱液B所选用的碱为氢氧化钠或氢氧化钾。本发明的工艺通过在硅片倒角前后增加碱液热处理工序,可以有效地消除硅片表面应力,降低硅片在后续倒角、研磨工序的损失率。
CN115763237A
本公开实施例公开了一种晶圆切割方法,包括:提供待切割晶圆;所述待切割晶圆包括沿第一方向相对的正面和背面,所述第一方向为所述待切割晶圆的厚度方向;在所述待切割晶圆背面形成停止层;在所述停止层上形成保护层;从所述正面切割所述待切割晶圆,形成第一凹槽,所述第一凹槽暴露出所述停止层;从所述第一凹槽去除部分停止层,形成第二凹槽,所述第二凹槽暴露出所述保护层。
CN115763230A
本发明公开了一种P型氧化镓薄膜及其制备方法和应用,在N2O氛围下,将非掺杂氮化镓衬底在700℃‑1000℃下氧化即可得到霍尔空穴掺杂浓度大于2.2×1016cm‑3的P型氮掺杂的P型氧化镓薄膜,利用N2O“N‑O”单键比O2“O=O”双键键能更低的特点,使得N2O在较低温度下就能分解成为N原子和O原子,分解出的O原子发挥替位作用,N原子发挥掺杂作用;GaN中N原子摆脱共价键“Ga‑N”的束缚,其中N原子一部分逸出,另一部分N原子也发挥掺杂作用;GaN中的N原子摆脱共价键的位置后,被由N2O分解出的O原子进入而取代,从GaN转而形成多晶Ga2O3薄膜,自N2O和GaN中分解出的N原子同时进行N掺杂,从而提高了所形成Ga2O3薄膜的霍尔空穴掺杂浓度,使得氧化生成的Ga2O3薄膜获得了更好的P型电性。
CN115763224A
本发明涉及半导体刻蚀技术领域,具体涉及一种湿法刻蚀去除晶体表面氮化膜方法;将晶片置于清洗台上;在常温环境下,稀释BOE缓冲蚀刻液,得到稀释液,将晶片浸入稀释液中清洗30s,以清洗晶片暴露在空气中形成的原生氧化层;对晶片进行清洗;在加热板上对85%磷酸溶液进行加热,使用平底提篮将晶片完全浸入磷酸溶液,浸入时间为5min;对晶片进行清洗;使用85%热磷酸和硝酸混合,得到混合溶液,腐蚀晶片,用平底提篮将晶片完全浸入混合溶液,得到去除氮化硅后的晶片,此时晶片上保留氧化硅,通过上述方式在不破坏晶片背面的氧化膜的同时,有效去除晶片背面的氮化膜,实现提高晶片后续的使用效果。
CN115763223A
本发明提供一种提高MIM电容结构击穿电压的方法,所述方法包括:采用N‑H键含量小于2%,Si‑H键含量小于1%的氮化硅薄膜作为MIM电容结构的电介质层。通过本发明解决了现有的以减小MIM电容结构电介质层厚度来提高MIM电容的方法所导致的器件击穿电压大幅度减少的问题。
CN115763216A
一种质谱仪包括:真空壳体,其包括具有第一气体排气口的第一真空腔室;气体泵(1700),其具有第一气体进气口,所述第一气体进气口通过第一气体管道连接到所述第一气体排气口(H1)以用于排空所述第一真空腔室;以及第一穿孔覆盖件(2010),其布置在所述第一气体排气口(H1)或第一气体进气口上方或其间的所述第一气体管道中。
CN115763208A
本发明涉及质谱仪技术领域,具体公开了一种电感耦合等离子体质谱仪系统及其操作方法,电感耦合等离子体质谱仪系统包括离子采集装置、第一偏转组件、多个处理支路、第二偏转组件、质量分析器和检测器,第一偏转组件用于将离子采集装置采集的样品离子分别输送至各个处理支路,处理支路用于选择性去除所述样品离子中的干扰离子,第二偏转组件用于接收若干处理支路输出的样品离子并将其输送至所述质量分析器,质量分析器用于对经过碰撞反应池的样品离子进行质量数筛选,检测器用于对经过质量数筛选的样品离子进行离子检测。通过多个处理支路可去除采集到的样品离子中的任不同干扰离子,可显著提升分析的准确度和效率。
CN115763201A
一种具有透光间隙的辉光阴极等离子源,属于等离子体放电领域,本发明为解决现有辉光放电设备无法实现光学监测的问题。它包括:触持极、石英玻璃和电子引出极的前端旋切有运输等离子体的孔;阴极侧壁面的上端开有“C”形缝隙,触持极侧壁面的上端开有第一“L”形缝隙,电子引出极侧壁面的上端开有第二“L”形缝隙;工质气体通过进气管进入阴极包围的腔室中;阴极通过外接的接线柱施加负电位,触持极通过外接的接线柱施加正高压电位,工质气体在真空环境下被击穿产生等离子体;光学监测器通过“C”形缝隙、第一“L”形缝隙、第二“L”形缝隙和石英玻璃对产生的等离子体进行监测。本发明用于辉光放电等离子体源。
CN115763198A
本发明公开了一种新型阳极层离子源,所述阳极层离子源通过在内阴极和外阴极表面设置外屏蔽罩,防止离子通道的正离子轰击阴极表面,减少了因溅射产生的金属原子,有效抑制阴极刻蚀,防止样品被污染,同时通过在离子源内部内阴极和外阴极内轮廓周围设置磁屏蔽罩,屏蔽阳极附近的磁场,优化电磁场分布,减少了内部放电,提高工艺的稳定性,从而提高阳极层离子源的工作寿命。
CN115763193A
一种电极形成方法、装置及DBD准分子灯。所述方法用于在灯管表面形成电极,所述电极包括:电极本体及位于电极引出端的焊接部;所述方法包括:采用丝印工艺,在灯管表面的电极区域形成电极本体;采用真空镀膜工艺,在电极本体的引出端形成焊接部。采用上述方案,可以形成连接可靠且成本低的电极。
CN115763182A
本申请实施例提供一种灭弧模块,涉及断路器领域。该灭弧模块包括:灭弧组件和引弧组件。灭弧组件包括第一栅片室和第二栅片室。引弧组件包括动引弧件、静引弧件和桥接引弧件,桥接引弧件包括相连接的第一桥臂和第二桥臂,第一桥臂和动引弧件在第一栅片室内形成第一跑弧通道,第二桥臂和静引弧件在第二栅片室内形成第二跑弧通道。在断路器分闸产生电弧时,一部分电弧能够沿第一跑弧通道进入第一栅片室,另一部分电弧能够沿第二跑弧通道进入第二栅片室,第一桥臂与第二桥臂的连接部位能够将第一栅片室和第二栅片室串联,使灭弧组件内的电阻增加,电弧电压升高,进而使电弧能够被灭弧组件快速熄灭。
CN115763181A
本发明公开了一种内置消游离装置的断路器,包括绝缘外壳、转轴系统、机构、脱扣系统、灭弧室和消游离装置;消游离装置将绝缘外壳内的第一腔体分成第二腔体和第三腔体,灭弧室位于第一腔体内,机构、脱扣系统、转轴系统位于第二腔体内。断路器的喷弧口与消游离装置的出气口连接,消游离装置的进气口与灭弧室连接;消游离装置包括绝缘外壳和金属隔板;金属隔板上开有气流流出的洞口;绝缘外壳上设有阻碍高压气流流动的凸筋。脱扣系统在故障电流作用下驱动机构解锁,实现接触系统分离,接触系统由闭合至断开中伴随电弧产生,灭弧室与消游离装置加速了电弧的熄灭和抑制高温游离金属蒸汽喷出。本发明增强了断路器的绝缘性能以及缩短断路器短路分断过程中的飞弧距离,通过凸筋改变气流在消游离装置中的运动方向。
CN115763173A
本发明公开了一种辅助分闸装置。该装置包括控制单元、吸附单元、分闸执行单元和采集单元;由于将该装置吸附在分闸脱口按钮处,通过可视遥控手柄发送操作指令到控制单元,控制单元启动分闸执行单元进行按压动作,采集单元若采集到分闸动作信号,则分闸执行单元停止按压动作并复位,控制单元报送操作完成信息,若采集单元未采集到分闸动作信号,则达到预设扭矩值或者达到按压所需行程时,分闸执行单元停止按压动作并复位;故解决了断路器无法远方分闸,进而造成人身安全隐患、停电范围扩大以及停电时间长的问题,实现断路器远方分闸,降低了人员的安全隐患,减少了停电范围,提高了工作效率。
CN115763167A
本申请涉及智能监控领域,其具体地公开了一种固体柜断路器及其控制方法,固体柜断路器包括有传动箱、断路器机构、隔离刀机构、三相绝缘极柱、隔离操作机构、断路器操作机构与开断性能自监控模块,开断性能自监控模块通过采用基于深度学习的深度神经网络模型作为特征提取器来捕捉分合操作监控视频的分合操作动态特征,再通过基于转换器的上下文编码器和双向长短期记忆神经网络模型来获取不同尺度下的分合操作图像语义的关联特征,融合两个尺度下的分合操作语义理解特征以得到分类特征向量,将分类特征向量通过分类器以得到分类结果,分类结果用于表示断路器的开断性能是否满足预定要求,提高了断路器对于其自身开断性能判断和监控的精准度。
CN115763162A
本发明涉及一种接线断电一体化继电器及电缆连接与保护方法,该继电器包括台形缸体,绕台形缸体外周均匀设置的多个活塞杆;所述缸体内放置有易升华物质;所述活塞杆外端固定有长条弧面状的导电桥;所述导电桥外覆盖有长条弧面状的绝缘挡片;所述台形缸体两端面分别设置有用于连接外部导线的电接头;所述活塞杆驱动所述导电桥同时与两电接头电接触或断开;初始状态下,各所述绝缘挡片围合成圆周状由导线绝缘皮开始包覆所述导线;该接线断电一体化继电器及电缆连接与保护方法能够实现导线连接与继电断路保护于一身,整体与导线实现了一体化,体积小,无需安装于电箱或开关柜内。
CN115763158A
本发明涉及接触器技术领域,具体涉及一种交流接触器。一种交流接触器,包括:基座,基座内具有空腔,空腔内设置有触头;灭弧组件,设置在基座内,灭弧组件包括电弧挡件和灭弧件,灭弧件固定设置在空腔内且位于触头的一侧,电弧挡件固定设置在基座空腔的开口处,电弧挡件位于灭弧件远离触头的一侧,灭弧件上设置有第一排弧口,电弧挡件具有第二排弧口,触头产生的电弧适于依次通过第一排弧口和第二排弧口排出基座。将灭弧件设置在触头的一侧,电弧挡件设置在灭弧件的一侧,灭弧件引导触头产生的电弧通过第一排弧口喷溅出,在灭弧件的引导下电弧从第二排弧口排出基座外,解决了电弧影响触头的使用寿命的问题,提高了触头的使用寿命。
CN115763154A
本发明公开了一种耐压继电器结构及其制作方法,包括绝缘外壳和导电动片,绝缘外壳顶部两侧固定有与导电动片配合的导电引出端导电动片连接有推杆;其特征在于,所述绝缘外壳内侧壁上自上向下内凹成形有若干第一开口槽;所述第一开口槽的入口的宽度小于第一开口槽内部的最宽处。本发明通过设置具有溅射死角的凹槽,使得方形陶瓷外壳内不会出现连续的导电层,进而出现导通回路,影响继电器的耐压性能和使用寿命,提高了其耐压性能和使用寿命,尤其适用于现有的快速充电技术。
CN115763147A
本发明涉及一种旁路开关及换流阀,包括:动端驱动机构;动端触头,所述动端触头与所述动端驱动机构驱动连接;静端触头,所述静端触头与所述动端触头间隔相对设置,且所述静端触头能够与所述动端触头接触或分离;以及缓冲机构,所述缓冲机构与所述静端触头连接,所述缓冲机构用于消除所述静端触头所受到的冲击力。保证动端触头与静端触头接触安全,避免因碰撞力过大而发生变形甚至损害,提高旁路开关的使用寿命。且由于本方案是将缓冲机构安装在了静端,起到被动缓冲效果,因而不会增加动端整体质量,不会增加动端驱动机构工作所需的电流大小,从而避免增加能耗,提升旁路开关工作的经济性。
CN115763146A
本发明提供了一种断路器用电压互感器与断路器极柱一体化设备,属于电力设备技术领域,它解决了现有断路器制备难度大、集成化程度低、测量功能单一等问题。包括环氧树脂外壳,环氧树脂外壳的下部设有波纹管,波纹管下端设有底座,环氧树脂外壳上部设有散热顶罩,波纹管的内部设有绝缘拉杆,环氧树脂外壳的内部由下向上依次设有下出线、两个静触头、LPCT和上出线,下出线的内部设有软连接件,软连接件的两端分别与下侧的静触头和绝缘拉杆连接,环氧树脂外壳的内部还设有LPCT、CVT和二次转换盒。本发明制备效率高,成型快,一体化浇注集成,结构简化,具有电压和电流的测量功能,布局合理,降低整机重量,提高安装工作的安全性和效率。
CN115763133A
本发明涉及水下密封装置技术领域,具体涉及一种紧凑型防冲击水下密封装置舱外开关。包括截面形状为“T”字形的舱外紧固及舱内紧固,穿舱密封轴,可转动设置在所述穿舱密封轴顶端的半圆形的拉环,可滑动的套接在所述穿舱密封轴上的弹簧盖及弹簧,弹簧顶针母和弹簧顶针公;所述弹簧盖设置在所述拉环的下方,所述弹簧顶端顶在所述弹簧盖下表面且底端顶在所述穿舱密封轴的下半段。所述舱外紧固的上表面沿圆周方向均匀设置有若干固定孔,所述拉环上设置有与所述固定孔相配的固定插杆。该开关方案在加断电过程中仅需要提起拉环,转动半圈后重新放倒,无需破坏水下密封装置的密封,操作简便,耗时短。
CN115763132A
本发明公开了一种可自动切断电路的定时器,包括定时器、面板及旋钮,所述旋钮内设有薄膜卷,所述薄膜卷上的薄膜抽拉后可覆盖旋钮外表面,所述旋钮上设有固定抽拉端薄膜的定位块;所述旋钮上设有供薄膜通过的抽拉槽,所述抽拉槽一侧设有若干吸附薄膜的吸盘;所述旋钮内设有与吸盘相连的抽吸缸,所述定位块上设有与抽吸缸相配合的活塞,所述定位块按下后驱动抽吸缸对吸盘进行抽吸,本发明提供了一种可在定时器旋钮表面覆盖薄膜,以使每次使用时可通过薄膜与旋钮接触,防止手部被旋钮沾染,并且防止因旋钮表面产生油污而引起的打滑,提升了定时器旋钮使用的有效性及稳定性。
CN115763121A
本发明提供了一种阻隔银离子爬移的新型开关,涉及轻触开关的技术领域。阻隔银离子爬移的新型开关包括基座、工作电极、弹片件、按键和上盖;基座内设置开设有安装槽,工作电极设置在基座相对的两侧,且工作电极的触点均位于安装槽内,工作电极的引脚均位于基座外;安装槽内设置有支撑件,支撑件位于工作电极之间,弹片件安装在支撑件上,且弹片件未受压时与工作电极的触点均不接触;上盖盖设在基座上,按键安装在上盖上,且按键能够驱动弹片件。达到了降低银迁移发生概率的技术效果。
CN115763120A
本发明公开了一种按键开关用拨动式有声无声切换机构,包括一基座、及设置于基座上并可上下移动的一按压件,在该按压件上设置有一按压凸块,在该基座上形成有一导引斜面,在该基座上设置有一弹性件,该弹性件一端位于导引斜面上方,其特征在于,在该基座上设置有一拨动式切换组件,该拨动式切换组件包括设置于基座上且延伸至弹性件一端侧边的一拨动件,该拨动件用于带动弹性件一端在处于按压凸块下方与远离按压凸块下方之间切换。本发明公开的按键开关用拨动式有声无声切换机构,可实现按压有声与按压无声两种功能的切换,满足用户的不同需求,提高使用便利性,提升用户体验。
CN115763118A
本发明公开了微动开关,属于电器开关技术领域,包括开关按钮、静端子、动端子、正极接入、负极接入和外壳,所述外壳侧表面设置有正极接入和负极接入,所述外壳上固定安装有开关按钮,所述外壳内部固定安装有静端子和动端子,所述外壳内壁一侧固定嵌设有磁块,所述外壳内部正对磁块的位置设置有灭弧槽,本发明采用双交叉簧片设计,大大减少微动开关断开时间,使动端子迅速断开同时在右侧设有磁块与灭弧槽使产品灭弧效果更佳能够承受高达A电流;本发明采用双交叉簧片设计,极大的增加了簧片临界时的弹性势能,静端子和动端子断开速度变快减少电弧对开关的损害。
CN115763114A
本申请涉及一种开关按钮与盖板的组装设备,涉及开关生产技术领域,其包括有底座,底座上设置有转动工作台、传料机构、盖板筛选盘、第一吸料组件以及安装座,盖板筛选盘包括有筛选盘本体、上料板以及上料轨道,安装座上设置有驱动上料板进行摆动的传动机构,传动机构包括有轴承座,轴承座内转动连接有转轴,转轴朝上料板方向的一端与上料板之间连接件,转轴背离上料板方向的一端安装有摆动块,摆动块上铰接有传动块,传动块连接有驱动气缸。驱动气缸通过传动块驱动摆动块摆动,转轴带动料板进行翻转,翻转至与上料轨道的水平端面平行,再通过第一收料组件对上料板上的盖板进行收料,快速将盖板传送至下个组装步骤,提高开关组装的生产效率。
CN115763108A
本发明公开了一种仪表板组合开关及其拆卸方法。该仪表板组合开关设置于仪表板的安装孔内,包括嵌入安装孔的联接框架,联接框架内设置有多个开关单元,联接框架的侧壁上设置有扣舌和插环,扣舌设于插环的底部,扣舌用于在联接框架插入安装孔内时,与安装孔的内壁扣合限位,插环内设置有可插拔扣锁,可插拔扣锁上设置有挂孔,扣舌穿过挂孔,使可插拔扣锁从插环拔出时,挂孔的底边能够驱动扣舌的扣合端部收缩,解除与安装孔内壁的扣合状态。通过在仪表板的表面拔起可插拔扣锁,即可解除扣舌与安装孔内壁的扣合限位,轻松取出开关单元进行维修等操作,大大提高了汽车开关维修便利性,降低车辆保养及维修成本。
CN115763102A
本发明公开了一种具有位置调节功能的面接触的发射固定装置,包括:挡板、压簧Ⅰ、顶杆、压簧Ⅱ、顶头、行程开关和座体;座体为空腔结构,挡板为L型板,其水平段固定在座体内部,竖直段设有通孔;顶杆为阶梯轴,其大段与小段相接的端部设有轴肩,顶杆内部开设有盲孔,其开口端朝向行程开关、封闭端穿过座体右侧面的通孔,顶杆的轴肩对其沿该通孔向外移动限位;压簧Ⅰ一端抵触在顶杆的轴肩上、另一端抵触在挡板的竖直段;顶头为螺栓状结构,其杆部与行程开关的触头面接触,其端帽与顶杆的盲孔螺纹连接;压簧Ⅱ一端抵触在顶杆的盲孔内底面,另一端抵触在顶头的端帽上;其中,行程开关固定于座体内部。
CN115763093A
本发明属于能量转化与储存器件技术领域,公开了一种全固态光储能一体化器件及其制备方法。全固态光储能一体化器件由下至上依次包括储能电极、储能凝胶电解质、兼容电极、光电转换凝胶电解质和光阳极;储能电极、储能凝胶电解质和兼容电极构成超级电容器模块;兼容电极、光电转换凝胶电解质和光阳极构成染料敏化太阳能电池模块;光电转换凝胶电解质的组分包括:聚偏氟乙烯‑六氟丙烯和1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐离子液体;储能凝胶电解质的组分包括:聚偏氟乙烯‑六氟丙烯、1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐离子液体和四丁基四氟硼酸铵。本发明采用双凝胶电解质替代液态电解液,具有良好的能量转换效率和循环稳定性。
CN115763090A
本发明公开了一种二维碳化钼/氮化钼复合电极材料及其制备方法与应用,以天然辉钼精矿为前驱体,将其与碱性金属化合物和尿素研磨混合后,在Ar/H2气氛下热处理,制备出二维碳化钼纳米片,进一步在氨气氛下,热处理,得到二维碳化钼/氮化钼纳米片复合材料;本发明所得的二维碳化钼/氮化钼复合材料中低功函数的碳化钼向高功函数的氮化钼转移电子,有效促进了其在酸性电解液中的电容性能,是一种较有前景的超级电容器电极材料;通过调控氮化时间来探究碳化钼和氮化钼的相对含量及对赝电容大小的影响规律,认识碳化物和氮化物比例对电容性能的影响,为设计高性能钼基电容材料提供指导。
CN115763084A
本发明公开了一种负载金纳米粒子的氧掺杂超薄多孔氮化硼薄膜电极及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:按照质量比为1∶3~6∶0.25~0.35,将硼酸、尿素、草酸制备氧掺杂超薄多孔氮化硼,然后将金纳米粒子负载氧掺杂超薄多孔氮化硼上并涂覆到导电基底上形成薄膜电极。本发明制备的负载金纳米粒子的氧掺杂超薄多孔氮化硼薄膜电极具有比表面积大、电子空穴分离效率高、电子传送速率快等优点,是一种光电性能优异的新型薄膜电极,符合实际生产需求,在光电化学领域具有广阔的应用前景。本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、制备效率高、成本低廉等优点,适合于大规模制备,利于工业化应用。
CN115763082A
本发明专利涉及铝电解电容器技术领域,且公开了一种铝电解电容器盖板,包括盖板本体、外壳和两个导箔条,所述盖板本体左右两端均开设有第一空腔,两个所述第一空腔内均设置有连接机构,所述外壳一端分别开设有两个连接口,所述外壳通过两个连接机构与盖板本体固定连接,所述盖板本体中间固定套接有两个导电板,所述盖板本体在两个导电板下方的表面均固定连接有“凹”形块,两个所述“凹”形块下方内均开设有第二空腔,两个所述第二空腔内均设置有固定机构。本发明专利可使铝电解电容上的导铂条与盖板上的导电板紧密连接,不会因为移动产生的震动导致连接断开,同时还防止了使用过程中电解液的泄露。
CN115763060A
本发明涉及电感加工设备领域,公开了一种电感生产设备,包括底座、磁环和导丝;底座上安装有转运机构,转运机构右侧安装有绕线机构,转运机构和绕线机构之间设有用于固定和截断导丝的挤压截断机构,挤压截断机构上方设有进丝机构;本发明通过设有装载盘、用来弹性卡接磁环的卡接座、转动连接卡接座和装载盘的承托轴、前端开口处设有牵引环的开口齿轮环、用来承载开口齿轮环的开口环形轨,实现独立绕组在环形电感上的连续绕线作业,可根据需要在环形电感上实现多个独立绕组的绕线作业,适应不同的生产需求,而且在绕线过程中还保证绕线导丝头部固定使得绕线导丝保持张紧状态,无需手动固定绕线导丝的头部,实现绕线导丝的固定和截断的高效作业。
CN115763059A
本发明旨在提供一种能够同时对多种线材进行上线,并在指定线材的绕制时段内对指定线材进行放线的多线送线设备。本发明包括固定架、升降装置、平移装置以及多线离合送线装置,所述升降装置适配设置在所述固定架上,所述平移装置适配活动置于所述升降装置上,所述多线离合送线装置适配置于所述平移装置上,所述多线离合送线装置上设置有分线机构、离合压放线机构以及线材驱动分线机构,外部多线线材经所述分线机构的导向分线进线后依次进入所述离合压放线机构以及所述线材驱动分线机构内,所述离合压放线机构对外部多线线材进行多线离合放行,所述线材驱动分线机构对经多线离合放行的线材进行导向同孔出线。本发明适用于磁环电感的绕线加工领域。
CN115763038A
本发明涉及铁心叠片定位工装的领域,尤其是涉及一种带有半孔结构的变压器铁心的叠片定位夹具,包括工作台、支架、横梁和用于对半孔进行定位的定位销,支架设置在工作台上,横梁设置在支架上,横梁上水平滑动连接有两个紧固件,定位销竖直滑动连接在紧固件上,紧固件上连接有用于锁紧定位销的锁紧件,横梁上还连接有用于调节两个紧固件之间距离的调节件,本申请能够提高带有半孔结构的铁心的叠片效率。
CN115763037A
本发明涉及材料生产技术领域,且公开了一种磁性材料自动生产工艺,包括如下步骤:S1、配料:铁粉:55%‑70%,羰基铁粉:20%‑35%,铁硅合金粉:5‑15%,N:1%‑2%,C:0.5%‑2%,H:2%‑3%;S2、配料混合:将铁粉、羰基铁粉和铁硅合金粉等量均分为4组,将均分后的铁粉、羰基铁粉和铁硅合金粉进行分开均匀混合,再依次将H均分后放入4份混合后的物料中中,最后将4份混合后的物料混合成一份;S3、烘炒:将混合的物料放入烘炒中进行烘炒,其中烘炒温度为50℃‑80℃,当物料被烘炒到设定温度后,加入磷酸溶液搅拌均匀,然后烘炒至物料表面形成磷酸盐转化膜,然后加入N和C搅拌均匀烘炒,再加入硅玻璃胶然后烘炒。
CN115763036A
本发明是一种纵向15步进铁心的叠片工艺方法,包括:对加工完的硅钢片进行理料;对夹件和绝缘件进行摆放定位;对最小级第一组硅钢片进行叠片及定位;对剩余硅钢片进行叠片及定位。其中拿取托架最上层硅钢片,每次取一个步进,一个步进15片硅钢片,每个步进15片硅钢片宽度相等、长度每片单侧较上一片减小,第8片为中间片。本发明的优点:1)能够减少铁心叠片时间,提升生产效率,降低生产成本,叠片时间可缩减20%左右;2)能够减少用户的用工成本,缩短交付周期;3)能够降低操作人员作业强度,方便人员作业。
CN115763027A
本发明涉及一种高频高磁导率高品质因数的金属磁粉芯材料的制备方法,该金属磁粉芯材料的工作频率范围为20MHz~100MHz,所用粉末为超细的FeNi合金粉末,Ni含量为30.0~80.0wt%,余量为Fe和不可避免的杂质;将超细的FeNi合金粉末加入到硅烷偶联剂配成的溶液中,同时进行搅拌,使超细合金粉末表面形成一个偶联剂包覆层,并不断搅拌直至磁粉干燥;然后加入纳米二氧化硅绝缘剂并充分混合,再加入胶粘剂,充分混合后于60~120℃加热至干燥;最后将待成型的磁粉压制成型、固化,得到磁粉芯。本发明的金属磁粉芯材料,具有更优异的高频软磁性能,在保证高饱和磁感的基础上,具有高磁导率和高品质因数。
CN115763025A
本申请涉及一种全自动储能功率电感加工设备,包括点胶装置、加工平台、控制器、产品上料输送机构、产品抓取移动机构和引脚截断修整机构,控制器、点胶装置、产品上料输送机构、产品抓取移动机构和引脚截断修整机构均安装在加工平台上,产品抓取移动机构能够将产品上料输送机构上输送的产品移动至引脚截断修整机构上,引脚截断修整机构能够对产品的引脚进行截断修整,产品修整完成后控制器控制产品抓取移动机构将产品从引脚截断修整机构处移动至点胶装置处,点胶装置能够对产品进行点胶固定。本申请的全自动储能功率电感加工设备能够降低工人的劳动强度、提高生产加工效率、降低人工成本,保证产品质量和生产效率。
CN115763022A
本发明公开了一种组合式互感器二次接线固定装置,属于高压供电技术领域。该组合式互感器二次接线固定装置,通过设置有接线机构、安装机构和防护机构,使得该固定装置在安装完毕后可以同步带动两侧的密封外壳相向移动,使得两侧的密封外壳在将连接电缆固定住的同时对其起到防护的效果,避免因液体进入而出现漏电或短路的情况,提高了该固定装置水用时的安全性,且采用该固定装置可以有效的避免二次登杆对连接电缆进行连接的需求,降低了该固定装置使用时以及安全时的安全隐患,同时减少的组装以及维护该固定装置时对人力资源的需求,降低安装连接电缆时电量流失的情况。
CN115763021A
本发明公开了电感量可变的电感及具有其的电源,该电感包括:由绝缘线缠绕而成的螺旋线圈,所述螺旋线圈沿着上下方向延伸;在上下方向上,所述螺旋线圈被划分为第一线圈部和第二线圈部;在第一线圈部中的通道中设置有导电体,所述导电体能够沿着通道做上下方向运动,且所述导电体能够全部位于所述通道中,也能全部位于所述通道的外部。该电感的电感量是可变的。
CN115763013A
本发明公开了一种适配单台固态低频发射机的矩阵式匹配变压器,包括由若干个变压器模块组成的矩阵式变压器模块阵列;初级串联连接导线:用于分别串联连接每一列的变压器模块的初级线圈,以形成多列变压器模块初级列串单元;初级汇流并联连接导线:用于将多列变压器模块初级列串单元进行并联;次级串联连接导线:用于分别串联连接每一行的变压器模块的次级线圈,以形成多行变压器模块次级行串单元;次级汇流并联连接导线:用于将多行变压器模块次级行串单元进行并联。本发明的变压器通过上述矩阵式的排布及连接方式,从而克服了现有低频输出变压器效率低、散热难和安装维护复杂等缺陷,提升了该类匹配变压器的整体技术性能及适配性。
CN115763007A
本发明属于干式铁芯电抗器制造领域,涉及一种干式铁芯电抗器芯柱接地方法,将接地片均匀焊接在接地引线上,接地引线外周包扎绝缘层;固定安装绝缘筒,在绝缘筒的外周叠积硅钢片组成铁芯饼,接地引线的一端穿入绝缘筒中,将接地片穿过绝缘筒的豁口插入硅钢片缝隙中;在相邻的两个铁芯饼之间通过树脂胶粘接气隙垫块,在两端的铁芯饼的外侧面分别通过树脂胶粘接气隙垫块;将接地片跟随铁芯饼一起进行真空树脂浇注,接地引线的另一端从芯柱的上端部引出并且与夹件的接地系统固定连接。本发明能有效避免在铁芯饼外径侧接地导致的局部放电现象,能够缩小线圈内径侧与芯柱之间的距离,使线圈直径变小,对减小线圈损耗、降低制造成本具有积极作用。
CN115763006A
本发明公开了一种基于变压整流器的平衡电抗器,包括铁芯;所述铁芯的左侧壁上布置有第一安装连接件,该铁芯的右侧壁上布置有第二安装连接件,铁芯上套设有第一绕组和第二绕组;所述第一绕组内包覆有一号汇流条和四号汇流条,所述第二绕组内包覆有二号汇流条和三号汇流条;本发明具有体积小、重量轻、制作成本低的特点,能将该平衡电抗器稳固将航空电源系统中,并将平衡电抗器连接在变压整流器的输出正线上,使得变压整流器满足单次谐波的要求,解决变压整流器输入电流单次谐波问题。
CN115763004A
本发明公开了一种干式配电变压器中低压箔绕线圈绕组加工工艺及其干式变压器,包括线圈绕制工序和线圈整体浇筑成型工序,其中低压绕组本体呈螺旋环环绕,低压绕组本体包括金属箔带、位于金属箔带一侧面的层间绝缘层和位于金属箔带两端的端绝缘层,低压绕组本体内腔表面设有内侧绝缘网格层,低压绕组本体外侧壁表面设有外侧绝缘网格层,低压绕组本体整体通过包覆有环氧树脂浇注层,环氧树脂浇注层覆盖于内侧绝缘网格层和外侧绝缘网格层。本发明优化增设绝缘网格层增加表面环氧树脂浇注层粘附稳固效果,实现整个绕组全封闭整体绝缘覆盖包覆,降低绝缘失效周期,增加产品使用寿命。
CN115762999A
本发明提供一种磁性结构,其特征在于,所述磁性结构的正视图包括至少一个窗口,所述至少一个窗口的每个窗口包括至少一个角,其中,所述磁性结构至少包括两种磁性材料,设置所述磁性结构的材料使得形成所述至少一个角的磁性组件包括第一类磁性材料以改善所述窗口拐角处的磁场分布。
CN115762996A
本发明公开了一种基于立体心式多绕组变压器的混合式电能路由器,包括3台立体心式多绕组变压器、串联变流器、并联变流器和控制器;3台立体心式多绕组变压器的高压绕组采用三角型联结或星型联结方式形成中高压交流端口,低压绕组采用星型联结方式或星型联结方式形成低压三相交流端口,串联绕组采用星型联结方式与串联变流器的交流侧相连,并联绕组采用星型联结方式与并联变流器的交流侧相连;串联变流器和并联变流器的直流侧相连,形成低压直流端口;控制器控制连接串联变流器和并联变流器。本发明立体心式多绕组变压器三个心柱磁路对称,减少材料使用并降低铁损,配合少量变流器实现主动调控,拓扑结构和控制复杂度低。
CN115762986A
本发明提供一种油浸式变压器强油循环片式散热器,涉及片式散热器技术领域。该油浸式变压器强油循环片式散热器,包括两个支撑壁,两个所述支撑壁相邻一侧等距连通有多个连通管,所述连通管的左右端均连通有弯管,所述弯管的末端均贯穿对应的支撑壁并与对应的锥型管连通。通过同步电机带动螺纹杆转动,使活塞在抽拉管内向上移动对热油进行抽拉并挤出,提高了散热效率,增加了绕组绝缘材料的寿命,提高了变压器的使用寿命,更加满足使用需求,并且通过连通管的多次弯折,配合锥型管相连接,扩大了散热面积,缩小了油道间隙,从而使热油在散热器中接触的面增加,散热效果更好,使回入到变压器内的油温足以降低到令人满意的程度。
CN115762982A
本发明属于电力领域,尤其涉及油浸式变压器套管真空注油系统和方法,系统包括:真空泵通过抽气管与套管连接,抽气管上设置有气阀,套管内设有真空检测表,真空检测表与气阀控制器通过数据线连接,气阀控制器与气阀连接;油箱通过注油管与套管连接,注油管在靠近油箱的出油口处设有变压器油过滤器,注油管在靠近套管的注油口处设有油阀。在注油过程中变压器油由于压强差从套管下部往上压入,解决了由上至下注油时会产生静电的问题,同时注油过程中无需用到抽油泵等设备,抽油泵在抽油过程中会产生大量气泡,降低绝缘油的绝缘性能。在节约了电力消耗的同时减少了变压器油内气泡的产生,使设备能够尽快投入运行。
CN115762980A
本发明属于变压器设备技术领域,且公开了一种特高压高抗呼吸器的防脱落装置,包括特高压高抗呼吸器主体和限位固定侧块,所述特高压高抗呼吸器主体顶部靠近正面的位置活动连接有硅胶进料口,所述特高压高抗呼吸器主体的外表面靠近正面的位置活动连接有硅胶出料口,所述特高压高抗呼吸器主体的外表面靠近顶部的位置固定套接有顶部固定胶套。本发明通过第二螺纹中轴杆和调整弹簧,避免在更换零件时,与法兰断开连接后,依旧可以保证设备稳定性,避免出现随意晃动的情况出现,利于提高设备使用时的稳定性,避免设备在与顶部呼吸管断开连接后,便会出现不稳定的情况,利于提高设备使用的安全性。
CN115762977A
本发明公开了一种电机控制器直流两级共模电感,包括磁芯、支撑架和挡板,所述挡板的之间等距安装有支撑板,所述支撑板之间固定安装有加固块,所述支撑板的两端皆活动安装有支撑架,所述支撑架的顶部皆活动安装有磁芯。本发明通过在支撑架的顶部皆活动安装有磁芯,能够利用支撑架对磁芯进行支撑,接着采用特殊椭圆形磁芯,减小体积并提高磁路长度,采用灌封,提高电感的散热能力,然后采用汇流条作为绕组,提高电感载流能力并减小共模电感体积,共模电感采用双磁芯串联绕制,可大幅增加电感量,该共模电感可应用于大电流500A的低压直流场景,接着共模电感的电气连接采用螺钉压接方式,具备良好的可拆卸性和制造一致性。
CN115762976A
本发明涉及电流互感器技术领域,且公开了一种电流互感器,所述保护舱的内壁固定连接有固定空心柱,所述固定空心柱的外壁啮合连接有电流互感器,所述固定空心柱一端的外壁开设有螺纹槽,本发明通过设有水银舱、水银空心舱、水银空心舱以及进气舱,有利于当其保护舱内部温度升高时,此时水银舱内部的水银处于膨胀的状态下,进而带动其支柱、第一密封板开始缓慢向上移动,因此带动其第一密封板离开进气舱外壁出气孔的位置,进而便于气体在散热扇的作用下,通过进气舱的出气孔以及进气孔位置送入到保护舱的内部进行散热处理,进而防止其出现因温度过高而导致元器件受到一定的损坏,由此可以减少不必要的经济浪费。
CN115762973A
本发明公开了一种光伏升压变压器,包括过滤防尘机构,所述过滤防尘机构包括底板、变压器体、过滤网、卡杆和螺杆;所述底板的顶部固定连接有变压器体。本发明通过过滤网对外界的灰尘的进行过滤,转动旋钮使得竖板带动卡杆与卡槽分离,握住第一把手带动过滤网移动并进行清理,光伏升压变压器具有防尘的功能,避免外界的灰尘通过散热孔进入到变压器体的内部,避免造成变压器体内部的零件损坏,雷电顺着避雷针、T形块、T形座、接地线和接地板排入至接地杆上,接地杆将雷电排入至地面中,避免变压器的高压线圈和低压线圈因为瞬间电流、电压过大遭到损坏,防止造成停电或因雷电而引发火灾事故。
CN115762972A
本发明公开了一种高绝缘小体积型变压器,包括变压器模组及绝缘底座,变压器模组包括绕组组件、骨架及磁芯组件,绕组组件环绕设置于骨架上,磁芯组件与骨架连接;绝缘底座包括绝缘壳体及针脚组件,针脚组件设置于绝缘壳体上,变压器模组容置于绝缘底座的容置腔上,且绕组组件分别与针脚组件连接,绝缘壳体用于增加针脚组件与磁芯组件之间的距离。本发明通过设置变压器模组及绝缘底座,从而能够通过绝缘壳体增加针脚组件与磁芯组件之间的爬电距离,使小体积变压器能够达到较高的爬电距离要求,此外,还能够通过绝缘壳体增加针脚组件与磁芯组件的物理绝缘,从而能够进一步提高绝缘性能,如此,可以使小体积变压器适用于高安规要求的场所。
CN115762965A
本发明公开了一种变压器的控温仪外壳,涉及到控温仪领域,包括控温仪壳体,控温仪壳体包括前端设置的显示屏、后端设置的后密封板以及侧板,侧板上开设有散热口,控温仪壳体后侧端的外部活动套设有活动罩,后密封板上还设有驱动活动罩向控温仪壳体靠近或远离的电动推杆。本发明中活动罩在控温仪壳体的外部来回移动时,可以起到对控温仪壳体的内部进行散热的作用,而当控温仪壳体处于低温环境时,此时可以通过活动罩将控温仪壳体包覆,用于连通控温仪壳体和外界环境的散热口也将会被封堵,防止低温通过散热口进入控温仪壳体的内部并对其内部的电器元件造成损坏,且活动罩内壁的保温透气层可以起到“保温隔热”的作用。
CN115762956A
本发明公开了一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法。本发明太赫兹波发射器件包括依次层叠的衬底层、反铁磁层和垂直易磁化层;所述衬底层的材质与所述反铁磁层中的反铁磁晶格常数相匹配;所述反铁磁层的材质为锰金合金Mn2Au或者铜锰砷CuMnAs;所述垂直易磁化层的材质为钴铂多层膜或者钴钯多层膜。本发明太赫兹波发射器,利用垂直结构铁磁层在飞秒激光的激发下,其自旋流极化方向沿外面外磁场方向极化,该自旋流从铁磁层注入反铁磁层,通过反铁磁奈尔矢量使得自旋流极化方向发生偏转;由于反铁磁亚晶格具有局域空间反演对称性破缺,该电荷流在两个相邻的亚晶格上正好可以叠加而实现太赫兹波信号的发射。
CN115762955A
本发明公开了一种缓速器比例阀用增力电磁铁,其导磁组件卡接于壳体内,壳体内设有线圈组件,线圈组件套设于导磁组件位于壳体内的一段上,壳体和导磁组件之间形成有位于线圈组件轴线上的容纳腔,容纳腔内设有衔铁,衔铁的两端分别设有支撑杆和推杆,支撑杆沿线圈组件轴线方向贯穿导磁组件并延伸至导磁组件外部,导磁组件上设有弹性组件,弹性组件与支撑杆连接以使衔铁具有与导磁组件内部贴合的趋势,推杆沿线圈组件轴线方向贯穿壳体并延伸至壳体外部,衔铁靠近推杆的一端上设有用于减少磁路轴向气隙和漏磁的内锥面。本发明通过内锥面能使电磁铁的轴向位置上减少第二磁路的轴向气隙,在径向位置上减小第一磁路的漏磁,使得合成磁力增加。
CN115762953A
本发明涉及一种超导磁体冷却装置及超导磁体设备。包括:第一冷却体,具有第一超导线圈冷却腔;第一超导线圈冷却腔内设有第一导冷件;第一导冷件被配置为与超导线圈热接触;第二冷却体,位于第一冷却体的底侧;第二冷却体具有第二超导线圈冷却腔;第一连接件,具有第一冷却通道,第一冷却通道的两端分别与第一超导线圈冷却腔和第二超导线圈冷却腔密封对接;第二导冷件,设于第一冷却通道内,且第二导冷件一端与第一导冷件热接触,另一端伸入第二超导线圈冷却腔;以及制冷器,被配置为对所述第一超导线圈冷却腔或所述第一冷却通道进行制冷。本发明所提供的超导磁体冷却装置及超导磁体设备,降低了冷却成本。
CN115762949A
本发明涉及磁性材料技术领域,公开了一种高磁导率低损耗铁基软磁复合材料,该材料包括基体材料和绝缘介质。本发明包括如下步骤:通过水热法制备石榴石型铁氧体RIG(R=Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ce等),按比例将基体材料(包括铁粉、铁硅、铁硅铝、铁硅铬、铁镍、铁镍钼、非晶纳米晶磁粉)和铁氧体混合均匀,再经压力压实和退火处理制得。退火后的软磁复合材料具有较好的绝缘性,可以有效地隔绝颗粒接触,降低磁损耗。本发明的配方新颖,所采用的石榴石型铁氧体从未用于软磁复合材料绝缘介质领域,其具有良好的、可调控的磁性能,能够提高软磁复合材料的综合性能。
CN115762947A
本发明提供了一种软磁粉末的绝缘包覆方法及其应用,所述绝缘包覆方法包括以下步骤:(1)将绝缘剂与溶剂混合,经一步搅拌得到溶液A;(2)将步骤(1)得到的溶液A与绝缘粉料混合,经二步搅拌得到溶液B;(3)将软磁粉末与溶液B混合,加热挥发溶剂得到绝缘软磁粉末,本发明所述软磁粉末的绝缘包覆方法工艺简单且环境友好,制得绝缘软磁粉料防锈效果好,稳定性高,可以明显提高一体成型电感的电绝缘性能。
CN115762946A
本发明涉及一种软磁粉芯及其制备方法与应用,所述软磁粉芯包括软磁非晶粉和绝缘包覆层,所述绝缘包覆层为聚多巴胺/聚丙烯醇层。在软磁非晶粉表面包覆聚多巴胺/聚丙烯醇层,在软磁非晶粉表面包覆聚多巴胺/聚丙烯醇层,聚多巴胺的儿茶酚基团与软磁非晶粉表面形成表面相互作用,其羟基官能团能与聚丙烯醇的基团能形成氢键作用,构筑了三维网络状绝缘包覆层结构,提升了软磁粉芯表面的机械性能,从而提高了软磁粉芯的高频稳定性,有效拓宽了软磁粉芯在高频领域的应用。
CN115762945A
本发明提供了一种复合铁镍磁粉及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将磷源溶液与铁镍磁粉混合,加入三硅酸镁升温搅拌后,经一步退火处理得到一烧材料;(2)将步骤(1)得到的一烧材料和钝化剂溶液混合,升温搅拌后得到钝化磁粉,将所述钝化磁粉与溶剂混合后调节pH,加入正硅酸乙酯进行反应,得到绝缘包覆粉末;(3)将步骤(2)得到的绝缘包覆粉末与粘结剂溶液混合搅拌,干燥后加入脱膜粉搅拌,经压制处理后进行二步退火处理得到所述铁镍磁粉芯,本发明采用多次包覆和化学生成含硅包覆物的方法,均匀包覆软磁粉末表面,绝缘效果良好,能够有效提升磁芯的各项软磁性能。
CN115762944A
本发明涉及磁编码器技术领域,公开一种高精度的编码器磁栅材料、编码器磁栅的制备方法,以重量份计,编码器磁栅材料原料包括:各向异性钐铁氮或其复合磁粉20~95份,偶联剂0.1~1份,高分子树脂5~80份,助剂0.1~1.5份。制备方法包括将原料混合并注塑取向,退磁得到半成品,再经充磁得到高精度的编码器磁栅,本发明将钐铁氮磁粉用偶联剂进行包覆,并调整合理的配方组分,经磁场取向、退磁、充磁后制得的编码器磁栅具有良好的耐腐蚀性、抗冲击性和较好的热稳定性,具有高度均匀的表磁强度及磁极波形零交叉精度。
CN115762939A
本发明涉及热敏电阻涂层技术领域,具体公开了一种热敏电阻涂层的制备方法,包括以下步骤:将氧化铬、碳酸钡、二氧化钛按照重量比3:1:2混合,备用;随后加入氧化铬总量5‑10%的纳米二氧化硅协配膨润土调节改性剂,搅拌均匀。本发明电阻涂层采用氧化铬、碳酸钡、二氧化钛配合,通过纳米二氧化硅协配膨润土调节改性剂进行协配调节改性,纳米二氧化硅具有高比表面剂,通过膨润土在煅烧后片层间距扩张,分散调配液采用硅烷偶联剂、海藻酸钠溶液等原料配合,增强产品原料之间的界面性效果,同时优化产品原料活性,从而在后续热处理、静压处理中,产品的性能效果进一步的改进优化。
CN115762931A
本发明提供一种片式合金电阻器及其制造方法。所述电阻器的主体为一个整体合金片,合金片分为电阻体部和导线部;其中电阻体部通过冲切指定形状的电阻槽从而实现不同的阻值要求;所述导线部作为电阻器的导线部分,外部电镀铜、镍、锡。其中合金片上方覆盖有散热片,用于对工作时的电阻体进行及时散热。并且合金片和散热片通过将初始带材进行连续模冲切,使两者具有指定连续形状的通孔图案,适用性大批量的快速生产。
CN115762930A
本申请涉及陶瓷电阻的领域,具体公开了一种金属氧化物陶瓷电阻,包括骨架、设置在骨架两端的盖帽和连接于盖帽上的引线;所述骨架包含金属氧化物,所述金属氧化物包含以下重量份的原料:氧化锡5‑10份;氧化镍2‑6份;氧化锌4‑9份;其余金属氧化物1‑3份;所述其余金属氧化物包括氧化铁、氧化铜和氧化锰中的一种或多种;其制备方法为:S1、氧化物醒发;S2、炼胶;S3、烧结;S4、后处理。本申请的金属氧化物陶瓷电阻能够使电阻实现低阻值,且降低电阻脆性,使电阻不易爆炸;另外,本申请的制备方法具有操作简单、应用广泛的优点。
CN115762926A
本发明公开了一种带电抢修配电箱桩头的绝缘隔离装置,包括绝缘隔板一和绝缘隔板二,绝缘隔板一和绝缘隔板二的截面均为L型结构,绝缘隔板一下端伸缩连接在绝缘隔板二上端且两者的另一自由端相对布置,绝缘隔板一和绝缘隔板二另一端之间安装有绝缘的张开紧固装置。本发明在待修的母线排旁安装绝缘隔离装置,将待修母线排和另外的母线排进行隔开,实现操作过程中,配合绝缘手套,能够放心大胆的进行检修操作,进而快速实现母线排桩头和母线排的带电检修,检修效率大大提高,快速实现用电恢复,减少用户用电投诉率,该装置操作方便快捷,安装稳定可靠。
CN115762925A
本文公开了绝缘衬套,其适于保护汇流条且具有改善的防水性能。该绝缘衬套包括:第一衬套,其设置有汇流条穿过其中的第一衬套通道;第二衬套,其设置有接纳第一衬套的穿过第一衬套接纳部分的下部部分插入的上部部分的第一衬套接纳部分和汇流条穿过其中的第二衬套通道;和覆盖件,其联接至第二衬套的外表面且设置有汇流条穿过其中的覆盖件通道,第二衬套包括第二衬套本体和第二衬套凸缘,前者从第二衬套本体的下部部分沿第二衬套本体的侧向方向突出以包围第二衬套本体的下部部分,而后者形成有多个第二衬套螺栓孔、根据第二衬套通道的形状包括第二衬套凸缘长侧部和第二衬套凸缘短侧部,第二衬套凸缘长侧部具有带有峰部和谷部的M形状。
CN115762924A
本发明公开了一种避雷器,包括第一端部配件、第二端部配件、绝缘筒和绝缘伞套,缘筒的顶部与第一端部配件相连接,绝缘筒的底部与第二端部配件相连接,绝缘伞套包覆第一端部配件和第二端部配件以及绝缘筒的径向外表面,绝缘筒靠近绝缘伞套的一侧布置有径向弧形槽。使用时,通过外力挤压靠近绝缘筒一侧布置的径向弧形槽的第一端部配件、第二端部配件的径向外表面,使得第一端部配件、第二端部配件产生径向形变,与绝缘筒紧密连接,绝缘伞套靠近径向弧形槽的一侧产生径向凸起,绝缘伞套一体注射热压成型包覆在第一端部配件和第二端部配件以及绝缘筒的径向外表面并紧密贴合,实现了在不降低避雷器的机械强度的前提下,提高避雷器生产效率的目的。
CN115762923A
本发明提供了一种绝缘子伞裙护套,所述的绝缘子伞裙护套包括绝缘子伞裙护套层以及包裹在所述绝缘子伞裙护套层外部的绝缘子伞裙护套抗老化层;所述的伞裙护套层由硅橡胶与压敏陶瓷混合制成;所述的压敏陶瓷为MnO2‑ZnO‑SnO2基陶瓷;所述的MnO2‑ZnO‑SnO2基陶瓷各组分的摩尔分数为(0.05~1%)MnO2:(90~99.5%)ZnO:(1~10%)SnO2;所述的绝缘子伞裙护套抗老化层包括交联剂、催化剂、增塑剂、阻燃剂、补强助剂。通过在绝缘子伞裙护套层的外部涂覆一层绝缘子伞裙护套抗老化层,通过材料层之间的协同作用,提高绝缘子伞裙护套的抗老化性能延长使用寿命。
CN115762915A
本申请涉及一种漆包扁线的生产工艺及其成型机构,涉及漆包扁线生产技术领域。其包括以下步骤:S1、对金属棒进行拉伸;S2、对拉丝金属线进行挤压,以将拉丝金属线变成扁线;挤压完毕后,对拉丝金属扁线进行电热式退火处理;S3、利用设于支撑架上的喷洗组件,对拉丝金属扁线进行喷洗;喷洗完毕后,利用摸擦组件,对喷洗后的拉丝金属扁线进行擦干;S4、利用上漆组件对清洁后的拉丝金属扁线进行上漆;上漆完毕后,利用烘干组件对上漆后的拉丝金属扁线进行烘干,以形成漆包扁线;S5、对漆包扁线进行润滑,且润滑后对漆包扁线进行收卷。本申请具有可在拉丝金属扁线上漆前进行清洗,以使得拉丝金属扁线上漆固化后油漆不易因为杂质的存在而破裂的效果。
CN115762908A
本发明属于通信电缆技术领域,具体涉及一种数字通信用HDMI线缆对、总绞一体式加工设备,包括若干组并联设置的对绞机,每一所述对绞机连接有对应的第一放线架,若干对绞机组成对绞单元,所述对绞单元串联连接有总绞单元;与现有技术中HDMI线缆的常规加工设备不同的是,本发明中提供的一体式加工设备中将缆芯对绞以及总绞装置集成一体化,使缆芯对绞和总绞一次性完成,减少转运,对绞设备减少收线装置,总绞设备减少放线装置,进而减少设备的生产投入,简化生产工艺流程,提升生产效率。
CN115762906A
本公开属于线束制造领域,公开一种新能源汽车高强度线束制造设备及其工艺,包括有捆扎单、截断单元和辅助单元,截断单元和辅助单元安装在捆扎单元上,捆扎单元用于对线束进捆扎收束,截断单元对捆扎完成后的线束进行截断,辅助单元辅助捆扎单元进行线束的捆扎收束。
CN115762905A
本发明公开了一种线束胶带自动缠绕装置及使用方法,应用在线束胶带缠绕技术领域,本发明通过设置主体机台纠正,对结构进行安装,设置的装填组件纠正用于将线束装填到供胶缠绕结构的缠绕位置中,其中的上料机构可以便于对多捆线束进行存放,设置的连接架用于结构衔接,设置的回转组件可以便于将线束放置在缠绕位置,装置通过自动装填系统提升了装置的自动化程度,不需要人工持握线束胶带进行操作,不仅提高了安全性,通过矫正模块和观察模块配合,还起到了对线束胶带在缠绕前纠正位置的效果,避免缠绕位置发生偏移。
CN115762904A
本发明涉及一种汽车线束生产加工方法,应用线束缠绕装置将胶带缠绕于分叉线束上,所述分叉线束包括第一连接端、第二连接端、第三连接端,所述第一连接端、第二连接端、第三连接端均交汇于分叉点,将所述所述第一连接端、第二连接端、第三连接端分别连接于第一夹持机构、第一夹持组件、第二夹持组件,通过调整第一夹持组件与第二夹持组件的位置,使得卷绕机构能够将胶带卷绕于分叉线束上。
CN115762903A
本发明提供了一种输电线路接地引下线快速制作装置及方法,包括有呈直杆状的基座部件,具有若干个用于固定引下线的第一固定件,其端头与操作杆铰接,铰接转动范围至少90°;操作杆末端与所述基座部件铰接,具有若干个用于固定引下线的第二固定件,端头为操作发力端,能将操作杆拉动,相对于基座部件沿铰接点转动;第一固定件和第二固定件开设于同一方向,能在施力方向上带动引下线随之转动;刻度盘部件,呈半圆状,以圆心与基座部件和操作杆的铰接点为基准水平安装在基座底部端头铰接部位上;本发明能稳稳的固定住接地引下线,使引下线不会松动脱出、且能灵活运用卡槽的稳固性,快速、精准、便利地实现引下线的制作。
CN115762895A
提供了线缆和线缆组件。线缆包括:至少两根导体(110),所述至少两根导体布置成彼此间隔开地纵向延伸;内部绝缘层(120),所述内部绝缘层(120)周向地包裹在所述至少两根导体(110)的外部,以固定所述至少两根导体(110);导电屏蔽层(130),所述导电屏蔽层(130)周向地包裹在所述内部绝缘层(120)的外部;和绝缘护套(140),所述绝缘护套(140)包括周向地包裹在所述导电屏蔽层(130)的外周面上的挤出成型层和热缩套管中的至少一种。
CN115762893A
本发明涉及电缆技术领域,具体为一种基于供电系统的高效输变电电缆,包括:上护套的表面设置有连接柱和侧护罩,上护套的内部开设有导线安装槽,导线安装槽的侧壁开设有导线散热件安装槽;下护套的表面开设有侧护罩收纳槽和控制板安装槽,控制板安装槽的内部设置有控制板;中部散热件设置于上护套和下护套之间;有益效果为:通过按压控制板,将侧护罩顶起,使侧护罩与侧护罩收纳槽的内壁之间形成通口,气流通过通口进入上护套与下护套之间,将中部散热件及二号翅片的热量带出上护套和下护套的内部,解决了电缆内部温度升高,导致电能输送过程中损耗增大,同时长时间的高温导致电缆内部绝缘层及电缆外护套加速老化的问题。
CN115762885A
本发明公开了一种军工设备用预埋式耐高温电缆,涉及电缆技术领域。包括安装座,安装座的一侧面活动插接有连接座,连接座的一侧面固定设置有防护管,防护管的内部设置有电缆本体,防护管内壁的顶部和底部均固定设置有金属弹簧,电缆本体包括电缆内芯,电缆内芯的内部设置有线芯,电缆本体的表面设置有第一耐磨层,第一耐磨层的表面设置有塑胶层。该军工设备用预埋式耐高温电缆,通过设置阻燃玻璃纤维层、塑胶层、第一阻燃层和第二阻燃层大大提高该电缆的耐高温的性能,不易被燃烧损坏,使用更加安全,可满足特殊环境使用,通过设置第一耐磨层和第二耐磨层,提高耐磨性能,不易在预埋过程中被折断或拉扯损坏,使用寿命长。
CN115762882A
本发明涉及电缆相关技术领域,具体为一种保温防冻裂电缆,保温防冻裂电缆包括电缆线芯、内包覆层、保温层、外保护层和导热丝,内包覆层包覆设置在电缆线芯的侧壁上,保温层包覆在内包覆层的外侧;通过设置由电缆线芯、内包覆层、保温层、外保护层和导热丝组合构成的保温防冻裂电缆,并通过在外保护层的侧壁上开设导热丝安装腔,并将导热丝嵌入安装在导热丝安装腔之中,从而让电缆在风的吹动作用下,其线体产生摆动弯折时,其导热丝会形成往复弯折作用,而导热丝在弯折的过程中会产生一定的热量,并且导热丝与导热丝安装腔的侧壁之间会形成摩擦作用,而该过程也会产生一定的热量,从而有效提高电缆的防冻裂效果。
CN115762881A
本发明涉及电缆领域,具体涉及一种防水耐严寒控制电缆。包括控制线缆主体,控制线缆主体的外部设有防护套,防护套的内部设有防水组件,防水组件包括外防水层、防水触角和支撑条,外防水层的外部设有防水触角,所述防水触角的数量为数个,防水触角的外部设有支撑条,防水组件的内部设有半导体阻水层。本发明中控制线缆主体内包裹有外防水层、半导体阻水层、内防水层一、内防水层二、冷水组件和热水组件,增强了电缆的防水特性,且通过设置的防水组件中的外防水层、防水触角和支撑条,外防水层的外部设有防水触角,所述防水触角的数量为数个,防水触角的外部设有支撑条,使设置在地面上的电缆远离潮湿地面,使电缆具备良好的防水特性。
CN115762880A
本发明涉及电力电缆领域,具体涉及一种光纤复合电力电缆,包括保护壳、导线壳以及光纤壳,保护壳由外护层、防水层以及内护层组成,导线壳由耐火层以及绝缘层组成,导线壳内均设置有导线丝,光纤壳由屏蔽层以及耐磨层组成,光纤壳内设置有光纤芯,保护壳的左右两侧均设置有环形凹槽,两个环形凹槽相向面的一端均设置有限位槽,限位槽内均设置有转环,转环的一端均设置有多个固定杆,固定杆的另一端均设置有挡块,多个挡块之间均设置有同一个圆环。本发明通过耐火层表面的防火涂料进行防火,同时通过外护层以及内护层进行阻燃以及保护作用,通过挡块、固定杆、限位槽、环形凹槽以及转环等结构实现对导线丝的保护。
CN115762879A
本发明公开了一种抗撕裂硅橡胶电缆,包括电缆线,所述电缆线内部设有第一钢丝,所述电缆线的外表面设有内部保护套,所述内部保护套的外表面设有加强编织网,所述加强编织网的外表面设有外部保护套,所述外部保护套的外表面设有耐磨夹层,所述耐磨夹层的内部第二钢丝。所述外部保护套包括聚氨酯层、聚酯纤维网、聚氯乙烯层,所述聚氨酯层的外表面设有聚酯纤维网,所述聚酯纤维网的外表面设有聚氯乙烯层。通过该设计,避免了电工对电缆拉扯铺设时存在撕裂的问题,导致电缆保护套破裂,使得电缆线暴露在外界带来安全隐患的问题,在第一钢丝、加强编织网、外部保护套、第二钢丝的强化下,以便提高了电缆整体的抗拉扯强度。
CN115762877A
本发明涉及电缆电力技术领域,具体是一种电缆用铝护套和高压XLPE电缆。本发明提供了一种电缆用铝护套,包括铝基底和复合在所述铝基底内表面的铜镀层。将所述电缆用铝护套应用于高压XLPE电缆中,使铝护套与阻水带不直接接触,能够防止阻水带吸水受潮后碱性环境下膨胀阻水粉与铝护套发生反应生成导电不良物质,提高电缆运行可靠性。本发明不需改变现有的电缆加工工艺和护套材料,铝板镀铜后可直接用于电缆轧铝工艺,不改变现有的电缆生产工艺,即不在明显增加制造成本的基础上,有效避免阻水带与铝护套反应生成白粉,提高电缆运行可靠性。
CN115762867A
本发明公开了一种阻燃隔热电缆防爆袋,包括防爆袋本体、防火面料层、阻燃层、隔热层和保护层,所述防爆袋本体最外侧设有所述防火面料层,所述防火面料层包裹所述阻燃层,所述阻燃层包裹所述隔热层,所述隔热层包裹所述保护层,所述防爆袋本体左右相接围成容纳空间,所述保护层设于所述防爆袋本体最内侧,在所述防火面料层、阻燃层、隔热层和保护层的共同作用下保护所述容纳空间,所述防爆袋本体中部设有褶皱区,所述褶皱区将所述防爆袋本体分割为第一防爆袋和第二防爆袋。本发明为一种阻燃隔热效果的电缆防爆袋。
CN115762865A
本发明涉及电力电缆技术领域,具体为一种220kV大截面新型平滑铝护套高压电力电缆,具体包括五分割的分割导体,分割导体外绕包有半导电尼龙带,半导电尼龙带外设置有超光滑半导电层,然后外部设置有超净XLPE绝缘层,然后再外设置有超光滑绝缘屏蔽层、半导电缓冲阻水带,然后设置有平滑铝护套,平滑铝护套外设置热熔胶层、绝缘外护套和挤包半导电层;这种电力电缆解决了皱纹铝护套结构时存在的电缆装盘量受限、轧纹刀轧伤电缆外屏蔽层、轧纹时易导致铝护焊缝处开裂等常规问题;彻底改善了由于皱纹铝护套存在波峰和波谷导致在半导电缓冲层间存在空隙,造成半导电缓冲层与金属护套间电气接触不良形成放电导致铝护套蚀伤甚至击穿的问题。
CN115762858A
本发明涉及电缆技术领域,且公开了一种耐磨高压电缆,包括内衬层、所述内衬层的内侧设有屏蔽磁场的外隔离层,且外隔离层的内侧设有填充层,所述填充层的内部设有多个线缆,所述内衬层的外侧设有防护层,且防护层的外层设有用于磨损的表层。该耐磨高压电缆分为双层设计,将线缆单独其他层分开,而线缆本身就存在绝缘防护功能,配合线缆外部的不同功能的层可有效解决线缆进水表皮破损问题。
CN115762850A
一种异质光伏结电池用低温浆料,由重量百分比的原料配制:微米级银包铜粉40‑80%,亚微米级银包铜粉15‑45%,环氧树脂3‑10%,固化剂0.3‑1%,触变剂0.3‑2%,有机溶剂0.5‑5%;而微米级银包铜粉为片状镀银铜粉,中粒径D50为2‑3um,银的包覆含量为20‑40%;亚微米级银包铜粉为球形镀银铜粉,平均粒径在300‑500nm,银的包覆含量为20‑40%;环氧树脂为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、脂环族环氧树脂和缩水甘油酯型环氧树脂中的至少两种原料。由两种粒度的银包铜粉复配为导电相取代传统纯银粉,制备出的低温浆料成本低廉,导电性好。环氧树脂用作粘结剂,在200℃下的固化拥有较低的电阻、良好的粘结性及焊接拉力。
CN115762847A
本发明涉及一种高导电铜镁合金杆熔炼工艺,包括以下步骤:将阴极铜置于加热炉烘烤,在阴极铜表面产生一层黑色的氧化铜;将表面带有氧化铜的阴极铜、镁锭按比例投入熔炼炉中进行熔炼,利用镁的高还原性使镁形成微量的氧化镁,融入到铜水中的镁一部分是以MgO的形式存在的;采用上引连铸的方法,将铜镁合金液上引连铸成铜镁合金杆;连挤;五模拉制;成品检测。本发明将阴极铜预先烘烤,氧化铜与镁反应,部分镁以氧化镁形式存在,由于MgO对铜的导电率下降影响有限,所以在镁含量一样的情况下,熔炼过程中加入CuO会提高导电率。
CN115762844A
本发明公开了一种具有吸收光栅功能的X射线荧光屏及其制作方法,制作方法包括步骤:在基底上制作光栅槽或光栅孔,形成光栅微结构;将X射线强吸收重金属填入光栅微结构,形成X射线吸收光栅;对基底上相对于光栅微结构的另一表面进行清洗;将X射线荧光材料蒸镀沉积于基底表面,形成荧光层,覆盖薄膜保护层,得到具有吸收光栅功能的X射线荧光屏;本发明的具有吸收光栅功能的X射线荧光屏,充分利用基底的两个面,在一面通过制作光栅微结构,向其内部填充X射线强吸收重金属形成吸收光栅,在另一面上蒸镀制作X射线荧光屏,本发明在保留吸收光栅功能的同时,提升了荧光屏亮度,有助于提高图像信噪比,提高成品率。
CN115762842A
本发明涉及一种混合澄清槽界面污物处理方法及系统,属于核燃料后处理领域。所述混合澄清槽界面污物处理方法,通过顶槽操作将界面污物输送至最后一级混合澄清槽并分离有机相,然后将含界面污物的料液自最后一级混合澄清槽输送至第一级混合澄清槽的有机相入口返回混合澄清槽,通过混合澄清槽内泵轮的搅拌作用将界面污物打散,以将放射性物质重新溶解于料液当中。本发明利用混合澄清槽原位处理界面污物+回收放射性元素,可显著降低界面污物的放射性累积,减缓有机溶剂的辐照损伤,操作简单,无需额外的处理设备。
CN115762839A
本发明公开了一种基于放射性废物钢桶的封盖开闭装置,涉及放射性废物的转运领域,包括底板;屏蔽容器,固定安装在底板的上平面;屏蔽容器被配置为用于钢桶的放置;遮盖,通过滑动组件活动的安装在底板上;遮盖的顶部加装有支架,支架中安装有提升组件和固定在提升组件中的封盖抓取组件;遮盖中安装有螺栓扭力组件;遮盖运动至屏蔽容器的正上方之后,螺栓扭力组件被配置为先拧动封盖上的紧固螺栓,然后封盖抓取组件被配置为抓住封盖的颈部,最后提升组件运动上行以实现封盖与钢桶本体的分离。本方案可实现屏蔽容器内钢桶的自动开盖、封盖,大幅减少人工操作,从而保证了操作人员的安全,并有效地降低放射性物质向环境泄露的风险。
CN115762833A
本发明公开了一种适用于研究堆的升降式辐照装置及辐照温度控制方法,包括辐照罐;辐照罐包括同轴设置的外筒和内筒;外筒和内筒之间设有样品层,样品层包括若干夹块,若干夹块沿内筒轴向依次设置,夹块套设于内筒外壁,夹块和内筒外壁之间留有气隙;每个所述夹块内均设有实验样品;还包括和气隙连通的进气管和出气管;辐照装置上连接有升降控制系统;实验样品和外筒内壁之间还设有电加热装置。本方案用于减少在低温水冷研究堆中的材料辐照试验段的不同层之间的样品温差;并通过一定的分析手段和方法,减弱孔道内轴向释热率的波动对试验段温度的影响,降低试验段的温差,从而保证试验段的所有样品均能同时满足温度控制范围的要求。
CN115762828A
本发明公开一种核电厂活化腐蚀产物沉积源项测量系统及其测量方法,该核电厂活化腐蚀产物沉积源项测量系统包括探测机构、屏蔽机构、定位机构以及控制机构,探测机构包括用于测量活化腐蚀产物沉积源项不同能量的全能峰计数率的探测器,该屏蔽机构与探测器连接,用于避免探测器受到外部射线干扰,该控制机构与探测机构、屏蔽机构和定位机构均通讯连接,用于接收来自探测机构采集的信息以及控制屏蔽机构和定位机构动作。该核电厂活化腐蚀产物沉积源项测量系统及其测量方法中的探测机构和屏蔽机构由定位机构带动移动,保证了现场检修的灵活性,且智能化程度高,可防止工作人员在检修的过程中受到辐射的影响。
CN115762812A
本申请提供一种卒中患者的数字诊疗方法、系统、设备及介质,该方法可以根据卒中患者上传的健康状态信息,便于医生对卒中患者的基本情况进行初步的了解,而日常生活信息则可以帮助医生对卒中患者的生活习惯进行指导,及时纠正可能影响到卒中疾病复发的生活习惯等,便于医生针对性地开具出数字疗法处方;卒中患者可以根据数字疗法处方在院外进行诊疗,从而及时调控卒中患者的身体状态,并且根据基础诊断信息,结合卒中患者的历史诊疗信息等,对卒中患者的病情变化进行实时画像,判断数字疗法处方的诊疗效果,便于对卒中患者的下一步治疗方案进行及时调整,从而降低卒中疾病的复发概率。
CN115762810A
本申请提供了问诊请求处理方法、问诊回复方法和问诊数据处理方法,其中,该问诊请求处理方法,包括:接收用户的问诊请求;响应于所述问诊请求,确定用户问诊的疾病类型;显示用户问诊的疾病类型所关联的病情描述模板;接收用户对所述病情描述模板的修正确认操作,以生成所述用户的病情描述信息。通过上述方案解决了用户对病情描述不准确导致问诊效率低下的问题,达到了提升问诊效率和问诊有效度的技术效果。
CN115762809A
本发明公开了一种临床药学信息交互控制方法,涉及临床药学技术领域。本发明包括步骤一:医生根据患者的症状进行诊断,并生成病例信息,然后将病例信息传递到医药共享系统,使患者与医生均可见到该病例信息;步骤二:将上述的病例信息传递到对应的医学科目下,根据患者的需求使用相应的中药或者西药。本发明通过将病例信息传递到相应的医学科目下,并根据患者的需要选择相应的中药或者西药,同时当患者服用药物时可以对患者用药后的效果和不良反应进行及时的评价,使药学信息交互控制方法在使用时更加的实用和便捷,使药学信息交互控制方法的使用范围更加的广泛。
CN115762800A
本发明公开了一种可以预测黑色素瘤患者预后及免疫治疗应答率的评分系统。本发明基于黑色素瘤患者的GPRs表达水平及其TME中免疫细胞的浸润水平,构建了一种GPRs‑TME评分系统,可以更好地对黑色素瘤患者进行分子分型,精准预测其预后及免疫治疗应答率。弥补了现有基于TMN分期、Breslow厚度等临床特征对黑色素瘤患者分类的不足,为黑色素瘤的精准治疗提供了一定的参考。本发明简单且性价比,仅需要对患者肿瘤组织进行常规转录组测序即可完成评分的构建;本发明稳定可靠,经过五大黑色素瘤队列,超过1000例的黑色素瘤病人的检验;本发明预测效能良好,构建评分后三组患者的预后及免疫治疗疗效存在显著差异。
CN115762798A
本发明实施例公开了血流动力学参数确定方法、装置、存储介质及电子设备。其中方法包括:获取待分析血管的影像数据,基于所述待分析血管的影像数据构建降阶模型,基于所述降阶模型确定所述待分析血管的初始血流动力学参数;识别所述待分析血管中的关键区域,基于所述关键区域对应的初始血流动力学参数对所述关键区域进行三维仿真,得到三维仿真结果;将所述三维仿真结果后处理至降阶维度,得到所述关键区域的耦合数据;基于所述关键区域的耦合数据更新所述降阶模型,基于更新后的降阶模型确定待分析血管的目标血流动力学参数。通过对关键区域的三维仿真,在兼顾计算量的同时,提高仿真结果的准确性,进一步提高目标血流动力学参数准确性。
CN115762797A
本发明公开了一种基于大数据的多点触发传染病预警方法,涉及传染病预警技术领域,目的在于提供一种提高评估监测的敏感性与精确度、对未知传染病进行防控的基于大数据的多点触发传染病预警方法,其技术要点包括为各种传染病筛选有统计学关联的主要指标;收集历史数据,将与传染病相关的指标数据纳入回归模型,得到各种数据的预警基线值;结合病症、药品销售等数据的预警基线值,得到城市风险预警基线值;收集区域内多种场景的实时数据,并将其纳入回归模型;分析城市风险预警基线值与实时数据的关系,技术效果是实现多点触发的传染病预测预警分析、提高评估监测的敏感性与精确度,实现对未知传染病进行防控。
CN115762795A
本发明公开了动物肝外胆道恶性狭窄模型的建立方法,解决了现有技术一般是对小鼠、大鼠等小型动物采用药物诱发进行模拟治疗的,与人体病理、病因并不相似,导致模拟诊断效果参考价值低,还会影响患者的正常治疗的问题,方法包括:获取肿瘤组织;采集肝胆器官组织数据,基于预处理后的肝胆器官组织数据,构建肝胆器官三维模型,构成包含肿瘤组织的复合三维模型;本申请通过采集肝胆器官组织数据构建肝胆器官三维模型,然后运用随机算法为肿瘤组织基础参数指定肝胆器官三维模型位置,构成包含肿瘤组织的复合三维模型,可以实现动物肝外胆道恶性狭窄模型的仿生模拟,方便了医务人员对患者病理和病因进行研究和诊断,提高了患者的康复率。
CN115762792A
本发明涉及膀胱癌预测技术领域,且公开了一种基于lncRNA的优化模型预测膀胱癌患者生存预后的方法,包括以下步骤:S1:数据收集和预处理,使用FPKM数据分析来自TCGA的膀胱癌lncRNA数据,使用RSEM归一化计数类数据和进一步的log2转换表达矩阵分析来自TCGALevel3的mRNA数据,TCGA临床数据采用校正的表型数据,对数据进行预处理,通过质量控制、归一化和转换,以获得统一的表达矩阵。在研究中,数据不完整或数据缺失通常是限制模型应用的常见问题,本发明的模型在相对完整的数据基础之上构建,这使得能够在多个维度对生存进行预测,模型表现会更加稳定。
CN115762778A
本发明提供一种卵巢癌减瘤术术前的评估与预测模型,涉及医疗评估技术领域。该卵巢癌减瘤术术前的评估与预测模型,包括以下步骤,S1.术前检查,在患者确诊卵巢癌后,对其进行术前检查,术前检查主要进行CT检查和腹腔镜检查,S2.分类分析,S3.综合预测,结合放射科医师和微创外科填写的评分量表,填写患者的R0预测评分量表,S4.确定疗法,S5.术后分析。通过采用多种评分量表综合考量,多科室医师配合进行的方式,进行对患者进行卵巢癌减瘤术术前的评估与预测,在进行预测和评估时具有更高符合率,对患者在初诊时治疗方案的选择上可以提供更准确、有效的指导。
CN115762777A
本申请涉及一种车辆控制方法、装置、电子设备以及存储介质,涉及车辆管理技术领域,该方法包括以下步骤:基于驾驶员实时人体特征信息以及驾驶员历史患病信息,获取驾驶员疑似所患疾病类型信息;基于驾驶员所驾驶的目标车辆的异常行驶行为信息以及疾病类型信息,获取驾驶员与疾病类型信息相对应患病概率;当患病概率大于预设阈值时,则控制目标车辆进行紧急制动。也就是本申请中通过摄像装置获取驾驶员的人体特征信息,再基于该人体特征信息利用算法推断出驾驶员患病类型,避免了直接通过在目标车辆上安装体征参数检测物联网设备获取人体健康状态的稳定性较差以及误报率高的问题,从而提高了车辆在行驶过程中对驾驶员的健康状态进行识别的效率。
CN115762776A
本公开提供了一种神经源性膀胱患者风险健康评估系统及方法,涉及健康评估技术领域,包括采集待评估神经源性膀胱患者的历史各项身体状态数据与实时的各项身体状态数据;根据历史各项身体状态数据构建初始量表,通过对初始量表进行项目分析以及信效度检验生成多维度的最终量表;将生成的最终量表转化为雷达图的表示方式,以量表的维度设计雷达图,对患者实时的身体数据进行评估,并对每次评估的结果进行打分,获取每个维度的分值并在相应维度进行标注,结合每次评估的雷达图结果,多方位的对患者进行健康评估。可以将患者每次自我报告生成雷达图表现出来,可以清楚的了解患者各个症状的变化情况。
CN115762770A
本发明涉及医疗信息技术技术领域,特别是一种“全科医学+”医共体为基础的SMART2慢病管理系统,包括慢病筛查子系统、家医签约管理子系统、系统评估子系统、综合研究子系统、专家服务子系统和技术支持子系统;慢病筛查子系统用于将居民日常就医或体检的就诊报告进行收集和提取,筛查获得重点管理人员信息。本发明在于解决早诊率低、知晓率低、规范管理率低、控制率低,以及慢病管理可用资源生态差,缺少连续性医疗服务、缺少非药物干预手段的“四低、三差、两缺”问题。
CN115762767A
本发明公开了一种乳腺癌诊断系统,该系统包括如下模块:1)数据采集模块,用于获取就诊人员的乳腺癌病理数据;2)特征提取模块,用于选择合适的乳腺癌病理特征数据;3)数据预处理模块,用于对乳腺癌病理特征数据进行预处理操作,包括:数据清洗、数据标准化、数据标注和数据划分处理;4)专家诊断模块,用于构建集成支持向量机与变参递归神经网络学习模型,以实现对乳腺癌病理分类的快速学习与预测;5)诊断结果输出模块,用于输出显示经网络模型分析计算得到的乳腺癌诊断结果。本发明基于集成支持向量机与变参递归神经网络的方法,建立了一种乳腺诊断系统,实现了对乳腺癌的快速诊断,有效地提高了对乳腺癌诊断的准确率。
CN115762766A
本发明涉及一种基于呼吸气体数据库的疾病筛查系统,该系统至少包括呼气数据存储模块、色谱质谱数据处理模块、呼气标志物数据分析分类模块、疾病检索筛查模四个主要模块,可以实现对一种或多种特定疾病的呼气数据存储和分型筛查功能,用于检测设备或检测试剂盒。通过本发明提出的基于呼吸气体数据库的疾病筛查系统,能够存储目标疾病患者呼气中的生物标志物数据,并可以对待测的呼气数据进行初步的分型筛查和预测,在诸如癌症、新冠等疾病的检测筛查领域具有很好的应用前景。
CN115762763A
本申请公开了一种医学影像报告多标签分类方法和装置,本方法通过获取样本数据集;利用预训练语言模型NEZHA对样本数据集进行词向量转化,形成样本数据集的词向量矩阵;将词向量矩阵输入双向长短期记忆神经网络模型B I‑LSTM中,基于自注意力机制提取样本数据集的影像特征,建立影像特征与异常区域和异常类型之间的联系,构建影像报告预测分类模型;基于预设环境与参数,对预测分类模型进行训练,得到多标签分类模型;接收待分类医学影像报告,通过多标签分类模型对待分类医学影像报告进行分类并返回分类结果。本申请解决相关技术中目前的医学影像报告分类方法难以实现多标签准确的分类的技术问题,实现快速准确的对医学影像报告的多标签分类。
CN115762748A
本发明提供结直肠癌CRS根治程度预测模型的训练、使用方法及系统,包括:获取结直肠癌病例的病历数据;对每个结直肠癌病例的腹膜转移相关指标进行筛选,得到第一训练集;将第一训练集输入到第一深度学习模型进行训练;将每个结直肠癌病例的CT图像作为第二训练集输入第二深度学习模型进行训练;将每个结直肠癌病例对应的第一特征向量和第二特征向量进行拼接得到第三特征向量集;将第三特征向量集划分为训练集和验证集;将训练集输入第三深度学习模型训练,得到收敛的第三深度学习模型;将验证集输入收敛的第三深度学习模型进行验证,根据验证结果进行优化。本发明融合多模态特征预测,能有效地对结直肠癌CRS根治程度进行评分。
CN115762747A
本发明属于疾病诊断技术领域,公开了基于算法、医学影像和区块链的远程疾病辅助诊断系统,包括:信息输入模块、信息提取模块、自述信息匹配模块、中央控制模块、医学影像处理模块、医学影像辅助信息提取模块、医学影像分析模块、信息匹配模块、特征信息提取模块、特征分析模块、检测数据对应模块、综合分析模块、存储模块以及显示模块。本发明通过用户的个人自述信息、生理检测数据、病理数据与医学影像;能够全面、准确进行相应疾病信息的处理,提高了准确性、全面性以及客观性。同时,本发明借用图像处理等多种技术,有效的提高了整体系统处理的效果,同时提高了信息化程度;本发明利用区块链技术,能够保证数据的隐私安全。
CN115762746A
本发明涉及一种基于基因组开放区域的癌症早期预测模型,包括:1)获得基因组中所有潜在的开放区域数据;2)收集癌症病人以及健康人的血浆或尿液的cfDNA测序数据,将cfDNA测序片段匹配到基因组;3)根据开放区域数据以及该样本中的cfDNA测序片段,计算每个开放区域的cfDNA端点数量;4)构建癌症早期诊断模型;5)根据开放区域的测序片段端点数量,使用早期诊断模型对其作出诊断。本发明使用体液中的cfDNA测序片段端点数量作为特征构建肿瘤风险预测模型做癌症的早期诊断,cfDNA测序数据获取容易,测序所需的成本低,预测精度高,在癌症的早期诊断领域具有广阔的应用前景。
CN115762739A
本发明提供一种基于物联网的医疗设备故障报备平台及方法,其中,平台包括:监测模块,用于基于物联网技术,对院区内的医疗设备进行故障监测;获取模块,用于当监测到设备故障时,获取对应故障医疗设备的维修优先级;生成模块,用于基于预设的故障报备信息生成模板,根据所述设备故障和所述维修优先级生成故障报备信息;报备模块,用于将所述故障报备信息投递至预设的故障报备节点。本发明的基于物联网的医疗设备故障报备平台及方法,降低了人力成本,提升了便捷性,更提升了故障报备效率。
CN115762738A
本申请涉及体外诊断设备技术领域,公开了体外诊断设备及其配置数据处理方法、可读存储介质。该方法包括:确定体外诊断设备的设备类型;其中,体外诊断设备包括第一类设备和第二类设备,第一类设备包括第一内存储器和存储卡,第一类设备的配置数据存储于存储卡,第二类设备包括第二内存储器,并连接外部控制设备,第二类设备的配置数据存储于第二内存储器;若确定为第一类设备,则将存储卡中的配置数据备份至第一内存储器;若确定为第二类设备,则将第二内存储器中的配置数据备份至外部控制设备。通过上述方式,能够根据不同类型的设备自动进行配置数据备份,减少存储配置数据的部件因故障或更换等原因造成的配置数据丢失,便于后续的数据恢复。
CN115762728A
本申请公开了一种医用药剂的存储柜提醒方法及装置,属于人工智能领域,所述方法包括:基于图像采集模块获得药剂图像集合,获取医用药剂集合的基础信息集合,遍历有效期信息集合进行分级标识,判断标识信息是否符合预设色标标识信息,得到多个色标预警标识信息,遍历储存条件信息集合进行温度和湿度分析对比,得到多个温度预警标识信息和多个湿度预警标识信息,通过可视化模块对预警药剂进行可视化展示,发送提醒指令给工作人员,进行目标存储柜的药剂存放调整。本申请解决了现有技术中存在医用药剂的存储过程中缺乏智能化管理,导致药剂存储质量低的技术问题,达到了提高药剂存储的智能化管理程度,提高管理质量的技术效果。
CN115762727A
本申请公开了住院天数优化系统、方法及相应计算机设备和存储介质,其中所述系统包括:数据获取模块,用于获取患者数据;分群模块,用于根据主诊断编码和DRG分组编码对患者进行分群;分组模块,用于对于各个患者群,根据各个患者的主治医师对患者进行分组;异常患者群确定模块,用于对于主诊断编码相同的各个患者群,确定住院天数的均数之间有显著性差异的患者群作为异常患者群;异常患者组确定模块,用于对于每一异常患者群,确定住院天数有显著性差异的患者组作为异常患者组;住院天数优化值确定模块,用于对于每一异常患者群,计算除异常患者组之外的其它患者组的住院天数均值作为相应异常患者群的住院天数优化值。本发明能够提高床位的周转效率。
CN115762722A
本发明公开了一种基于人工智能的影像复查系统,包括图像同层搜索系统、AI配准系统和AI对比系统,所述图像同层搜索系统包括解剖标志识别模块、AI搜索模块和选择模块,所述AI配准系统包括图像重建模块和图像配准模块,所述AI对比系统包括AI测量模块和动态对比模块,解决了通过PACS上的“对比模式”,反复翻阅不同时期,不同层面的图像,通过专家肉眼根据不同的解剖标志进行人工判断是否是同一层面,确定好同一层面后,再进行观察目标病变,进行测量病变大小等重要数据,进行对照,整个过程耗时耗力的问题,同时解决了在多学科会诊过程中,不同学科的专家都在等待人工翻阅图像和寻找较为一致的同层图像进行比对,这样消耗了大量的专家耐心和宝贵会诊时间的问题。
CN115762714A
本发明公开了一种基于图像识别的心理辅导方案推荐方法及系统,所述方法包括:在用户进行心理测试题目测试过程中,实时采集所述用户的图像信息,所述图像信息至少包括所述用户的面部特征图像;根据所述用户的面部特征图像以及心理测试题目的测试结果确定所述用户的测试分值,以确定所述用户的心理状态;当判断到所述用户的心理状态存在异常时,在预设数据库中获取与所述当前心理状态对应的心理辅导方案,并将所述心理辅导方案推送给所述用户。本发明解决了现有技术中在进行心理辅导方案推荐时不准确的问题。
CN115762713A
本发明属于游戏与生活文化介入培训技术领域,具体为一种基于游戏介入孤独症患者生活的培训系统,包括数据采集模块、数据存储模块、数据处理模块、培训模块和选择模块;所述数据采集模块,用于采集儿童的行为数据及教师的行为数据;所述数据存储模块,用于存储孤独症患者的表现数据、正常儿童在进行游戏时的表现数据、教师在与儿童进行交互时的表现数据,以及游戏场景数据;本系统通过通过数据采集模块采集教师的行为数据,在通过数据存储模块分析教师的行为数据,从而判断教师是否完成培训,然后通过数据采集模块采集儿童的行为数据,在通过数据存储模块分析儿童的行为数据,判断教师的干预效果。
CN115762708A
本发明提供一种利用多源信息和案例推理的下肢康复方案设计方法和装置,采集待康复患者的多源数据,基于多源数据生成目标特征属性向量和属性权重向量,多源数据包括肢体运动信息、与康复机器人的接触力和患者运动过程中的生物电信息;基于目标特征属性向量和属性权重向量,确定康复患者案例库中与待康复患者相匹配的目标案例,康复患者案例库中包括多个康复患者的特征属性向量和康复方案属性向量;基于匹配康复患者的特征属性向量、待康复患者的目标特征属性向量和属性权重向量对匹配康复患者的康复方案属性向量进行修正,得到待康复患者的目标康复方案。达到了减轻医生工作强度的目的,且康复处方的适配度更高。
CN115762706A
本发明涉及计算机辅助药物设计与深度学习技术领域,提供了一种基于深度学习的药物表征方法及存储介质。主旨在于解决现有技术中药物表征适应性差、不可学习,训练开销巨大的问题。主要方案包括1)药物分子SMILES数据集的收集;2)药物分子SMILES数据增强;3)药物分子SMILES分词;4)词元嵌入初始化;5)设计卷积神经网络模型;6)药物分子指纹特征生成;7)预训练卷积神经网络模型;8)经过迭代计算,导出预训练模型;9)将分子输入表征模型得到静态分子表征,或共同训练动态表征以适应下游任务。本发明用于计算机辅助药物设计中药物表征及药物筛选属性预测。
CN115762700A
本申请提供的一种交互方法、装置、电子设备、智能床及存储介质,通过获取用户设定的定时提醒任务信息,其中,所述定时提醒任务信息包括:设定时间和设定任务;在达到所述设定时间的情况下,输出所述设定任务给目标用户,以提醒所述目标用户执行所述设定任务,能够定时按设定任务提醒目标用户去做事,比如,提醒目标用户去用餐、吃药、运动、智力活动、互动活动,从而能够较少照护者的负担。
CN115762693A
本公开实施例提供一种数据处理方法、装置、设备以及存储介质。所述方法包括:获取多份医疗文件,基于所述多份医疗文件中的用户敏感信息对所述多份医疗文件进行分类处理,得到多个医疗文件集,其中,每个医疗文件集中的医疗文件归属于同一个用户,对每个医疗文件集中的各份医疗文件进行脱敏处理,以去除所述各份医疗文件中的用户敏感信息。通过本公开实施例提供的方法,既可以避免用户敏感信息泄露,又不会因为敏感信息被去除而导致后续使用这些医疗数据时无法对医疗数据进行分类,方便后续对医疗数据的研究和分析。
CN115762691A
本发明的实施例提供了一种信息处理方法及系统,涉及计算机技术领域。该方法应用于信息处理系统,方法包括:前端设备获取用户输入的查询信息,并将查询信息发送至服务器。服务器基于查询信息,从多个用户的用户信息中,查找与查询信息匹配的目标用户信息。前端设备获取目标用户信息,并获取用户输入的用药信息。在目标用户信息中添加用药信息,得到修改后的目标用户信息。将修改后的目标用户信息发送至服务器。服务器接收修改后的目标用户信息,将存储的目标用户信息更新为修改后的目标用户信息。如此,通过找取与查询信息匹配的目标用户信息,并在该目标用户信息上进行修改,使得可以同步患者的用户信息。
CN115762689A
本发明本发明公开了一种基于决策树算法的大学生焦虑情绪预测方法,该方法通过已改进的决策树算法构建大学生焦虑情绪预测模型,在量表得分、大学生基本信息以及房树人绘画分析特征等数据的基础上,根据决策树预测模型得到的新个体焦虑情绪状态以及焦虑类型。本发明将绘画测验分析理论结合量表数据通过决策树算法得出大学生即时焦虑状态,解决了问卷测验技术的数据收集不全面以及问题,同时结合绘画测验分析理论能够更为客观、有效地收集到大学生的焦虑情绪状态数据,找出学生基本情况的因素与形成焦虑情绪的原因,使得心理辅导和干预有更准确的切入点,为改善大学生焦虑情绪提供可靠依据。
CN115762686A
本申请实施例提供了函数构建方法、装置、设备及介质,通过获取材料结构的原子的总受力值和位置值;根据位置值和指纹化参数值得到中心原子对称性函数的函数值;根据总受力值和函数值构建训练集;根据训练集训练机器学习模型至收敛;根据收敛的机器学习模型计算特征相关值;根据特征相关值确定目标指纹化参数值;将目标指纹化参数值代入函数得到用来拟合机器学习力场的目标函数;能利用机器学习根据数据集自动构建材料结构的中心原子对称性函数,自动实现指纹化参数优化,无需依赖专家知识和人工操作;机器学习模型只关注训练集的误差和特征选择所得结果,具有速度快、精度高、计算代价小的优点。
CN115762685A
本发明公开了一种降低异种材料界面声学传递损失的透声层及优化方法,属于优化算法领域。本发明应用数码材料的概念,将整个优化空间离散成一个个小的材料单元,从而对整个设计空间进行参数化,便于对整个设计空间进行优化。本发明方法采用机器学习得到数码材料构型与平均传递损失关系的预测函数,以便于在遗传算法中用预测函数代替有限元分析,大大节约了计算时间。通过本发明方法可以设计出更加新颖的构型,尤其适用于在低频区间的透声层设计。
CN115762677A
本发明属于激光熔覆涂层服役性能评估领域,具体涉及一种大尺寸工件表面激光熔覆涂层服役性能评估方法。是采用数值模拟的方法,针对现有大尺寸工件表面激光熔覆涂层,考虑典型部件实际工况,对大尺寸工件表面激光熔覆涂层成型进度与服役性能进行评估。本发明创新地采用数值模拟计算的方式考虑大尺寸工件表面激光熔覆涂层材料特性,量化了大尺寸激光熔覆涂层服役性能的评估方法,使评估结果更加具体、直观,可作为一种简洁实用的大尺寸激光熔覆涂层服役性能评估技术手段,有着切实的应用价值。
CN115762676A
本发明实施例提供了一种卷型的正交二向织物增强聚合物基复合材料的形变量的确定方法及相关设备,可以获得树脂的变形应变能WR、纤维在受压下的拉伸变形能WF以及相互作用产生的修正形变能WFR,将所述树脂的变形应变能WR、所述纤维在受压下的拉伸变形能WF和所述修正形变能WFR之和,确定为卷型的正交二向织物增强聚合物基复合材料的形变量。可见,本申请可以确定卷型的正交二向织物增强聚合物基复合材料的形变量,有助于生产、运输等多个环节的优化。
CN115762674A
本发明公开了一种纳米隔热复合材料传热反问题的快速求解方法。本发明基于深度神经网络算法建立了纳米隔热复合材料温度响应与其热物性间的映射关系,进而通过粒子群算法对深度神经网络的超参数进行优化,提升了神经网络对该映射关系的拟合精度,从而实现了对纳米隔热复合材料传热反问题的快速求解。本发明兼具理论意义和实际应用价值,在受使用条件限制,复合材料热物性无法通过实验测得的情况下,基于本发明发展的纳米隔热复合材料传热反问题求解方法,可以通过材料温度的实时测量数据快速回归得到材料热物性的准确结果,为判定使用条件下隔热结构的安全性及稳定性提供理论指导。
CN115762669A
本发明公开了一种基于改进灰色关联分析算法和粒子群优化多分类支持向量机的河流水质评估方法,包括:获取水质数据,并进行归一化处理;利用改进的灰色关联分析算法得到水质指标与水质类别之间的相关系数,并进行特征选择;通过粒子群算法优化多分类支持向量机,建立河流水质评估模型;将归一化处理后的水质数据输入至河流水质评估模型中,所述河流水质评估模型输出河流水质类别。本发明充分考虑了水质指标的主观、客观权重,有效的利用了水质指标之间相关性,并且通过粒子群算法优化多分类支持向量机,极大地提高了河流水质评估模型的准确度。
CN115762668A
本发明涉及水环境治理和生物多样性保护技术的技术领域,具体涉及一种基于水生动物多样性的水体水质改善目标的确定方法,包括以下步骤:步骤1、构建水生动物多样性指标体系:步骤2、匹配水质数据和水生动物多样性数据:其中水质数据为自变量数据集,水生动物种类数、种群数量和生物量调查数据为因变量数据集;步骤3、利用统计分析软件建立各因变量和自变量的关系曲线,利用方程求出当鱼类、底栖动物、滤食性浮游动物的种类数、种群数量和生物量最大时的水质数据;步骤4、确定水体水质改善目标。本发明的方法通过面向水生动物多样性确定水体水质改善目标,使目标的确定更科学、更合理、更节省成本,也能最大程度地保护水生态系统结构和功能。
CN115762664A
本发明公开一种多组分有机废物高温气化过程产气组分的预测方法,包括对原始数据进行预处理;构建BP神经网络模型,BP神经网络模型包括第一输入层、第一隐含层、第二输入层、第二隐含层、输出层,先训练第一输入层和第一隐含层得到第一阈值和第一权值;再采用遗传算法训练第二输入层、第二隐含层、输出层得到第二阈值和第二权值得到初始BP神经网络模型;通过产气组分预测数据与产气组分目标数据集构建第二损失函数,通过第二损失函数训练初始BP神经网络模型得到产气组分网络模型。该方法能够高效,准确预测产气组分。
CN115762662A
本发明实施例公开了一种基于图神经网络的特定靶标药物生成方法、装置和MaxFlow平台,所述方法包括:获取靶蛋白数据和预成药物分子数,确定目标区域的盒子信息,所述盒子信息包括靶蛋白的位置和大小;将所述靶蛋白数据、预成药物分子数和盒子信息输入到预先训练的受体分子生成模型,以得到候选药物的三维结构;将所述候选药物的三维结构与所述靶蛋白数据进行合并,以得到靶蛋白‑药物符合的程序数据库文件的数据结构;其中,所述受体分子生成模型是基于图神经网络利用靶蛋白样本和药物结构样本进行训练得到的。解决了现有技术中特定靶标药物设计困难,药物模型的准确性较差的技术问题。
CN115762656A
本发明公开了一种基于已知反应智能预测未知化学反应的方法,包括:a)建立已知反应数据库;b)预测未知化学反应。本发明所述方法可预测多个已知化合物之间能否发生反应,且能预测能反应时的可能产物的结构,整个预测过程对人的依赖度低,智能化程度高,可实现低人工成本、高效和高准确性的基于已知反应智能预测未知化学反应,并且,本发明所述反应数据库的建立具有通用性,可适用于未来新发现的化学反应,易于后期维护更新;因此,本发明相对于现有技术,具有显著性进步和更高应用价值。
CN115762649A
本发明公开了一种基于土壤物理、化学性质的肥料淋失量计算方法,涉及肥料淋失量计算技术领域。该基于土壤物理、化学性质的肥料淋失量计算方法,包括根据不同的肥料种类,计算肥料在特定土壤pH下的肥料可溶性值;依据化学性质,土壤物理,以及气象数据,量化施肥间隔期的肥料淋失潜力;确立主要肥料离子形态的淋失系数,计算得出肥料淋失量。本发明基于气象数据、土壤物理、化学性质等数据,计算肥料淋失量,算法能够与作物发育节点结合,补充生育期进行多次施肥下的淋失量,能够接收气象数据、土壤颗粒机械组成成分信息、施肥数据及农事方案数据,生成土壤养分淋失速率、肥料氮、磷、钾淋失量。
CN115762645A
本发明属于生物信息领域,公开了一种基于miRNA‑mRNA调控关系的合成致死基因组合的特征构建方法,包括以下步骤:获取isomiR序列,利用信息熵量化miRNA对应isomiR序列的不确定性,作为miRNA的特征;获取miRNA‑mRNA调控关系,找到对合成致死相关基因具有调控关系的miRNA,用表达相关系数作为权重对miRNA特征计算加权平均值;合成致死基因组合的特征即为2个相关基因上述计算结果的均值。本发明从isomiR角度出发,融入miRNA的调控作用以描述多分子关联,构建出具有系统生物学意义的合成致死基因组合特征,在构建合成致死基因组合预测模型时,提高了模型生物学方面的可解释性。
CN115762630A
本发明涉及一种利用单核苷酸多态性辅助判断拷贝数变异的方法和一种可以实施所述方法的数据处理系统。所述利用单核苷酸多态性辅助判断拷贝数变异的方法包括:根据检测样本和参比样本的第三数据,计算基因CNV得分,根据所述CNV得分筛选可能有拷贝数变异的基因,选入第二基因组;根据所述参比样本的所述第三数据进行snp分析,从所述第二基因组的位点中筛选出突变频率稳定的第一位点组;根据所述检测样本的所述第三数据进行snp分析,获得所述检测样本在所述第一位点组的snp碱基信息,作为第五数据;根据第五数据,判断所述检测样本的基因拷贝数变异情况。
CN115762629A
本发明公开了一种增强子‑启动子相互作用的识别方法,包括:S1、基于GM12878、HeLa‑S3、HUVEC、IMR90、K562和NHEK六个细胞系的序列及注释信息构建增强子‑启动子相互作用数据集;S2、利用希尔伯特曲线算法对数据进行编码,将一维序列转换成三维图像信息;S3、构建ResNet34残差网络,通过多尺度方法提取网络中四个Stage阶段的输出并进行合并,获取序列的局部和全局特征;S4、使用匹配策略,计算增强子和启动子对应特征表示的匹配关系,捕获二者间的交互信息;S5、利用数据集对残差网络训练评估,然后基于残差网络对待检测增强子‑启动子相互作用进行识别。本发明通过将序列编码成图像信息,学习增强子和启动子的特征和相互作用关系,实现对增强子‑启动子相互作用的有效识别。
CN115762624A
一种劣化检测设备,包括:存储器,包括第一电流路径和第二电流路径,并且被配置为使得电流被施加到第一电流路径和第二电流路径;存储器输入控制单元,被配置为在第一操作模式下将存储器件的内部操作条件与目标条件进行比较,并基于比较的结果来选择存储器的第一电流路径和第二电流路径之一;以及输出单元,被配置为在第二操作模式下输出指示在第一电流路径和第二电流路径之一中累积的劣化的输出信号。
CN115762621A
一种系统可以通过基于存储器架构识别可校正错误模式来预测存储器设备故障。因此,故障预测可以考虑存储器的电路级别,而不仅仅是可校正错误的数量或频率。失败预测引擎将存储器设备的硬件配置与在存储器设备的数据中检测到的可校正错误(CE)相关联,以基于该关联来预测不可校正的错误(UE)。
CN115762616A
本文描述嵌入式存储器寿命测试。实例系统包含:存储器装置,其配置成存储用于执行测试以确定所述存储器装置的剩余寿命的指令;和控制器,其耦合到所述存储器装置。所述控制器可配置成响应于从主机接收到命令而从所述存储器装置接收用于执行所述测试的所述指令,及执行所述指令以执行所述测试以确定所述存储器装置的所述剩余寿命。
CN115762615A
本公开提供一种半导体存储器的检测方法及装置,所述方法包括:确定半导体存储器中的至少一个存储单元;向所述至少一个存储单元中写入第一位信息;在经过预设时间后,读取所述至少一个存储单元中的位信息,将其中第一位信息变为第二位信息的存储单元确定为不良存储单元,所述不良存储单元中存储电容与相邻位线之间存在电位影响。本公开可以检测出存储单元与位线之间的微小不良,相对于现有技术可以提高不良检测水平并减少检测费用。
CN115762603A
本发明涉及一种半导体存储装置及抹除验证方法。实施方式的半导体存储装置具备:存储块,具有连接在第1选择栅极晶体管、多个存储单元晶体管及第2选择栅极晶体管各自的栅极的第1至第3控制信号线;电阻测定电路,测定所述第1至第3控制信号线中的至少1根控制信号线的电阻;以及控制电路,对所述存储块中包含的所述多个存储单元晶体管进行数据的抹除、编程及读取;所述控制电路基于所述电阻测定电路的电阻测定的测定结果,确定是否令对所述抹除进行验证的抹除校验的结果为未通过状态。
CN115762596A
本发明公开了一种MCU的存取记忆体数字电路架构,其包括有单口SRAM和仲裁器,所述仲裁器包括有Slave接口1和Slave接口2,所述Slave接口1和Slave接口2均允许访问相同的SRAM地址空间,所述Slave接口1仅用于接收单笔传输数据,所述Slave接口2仅用于接收突发式传送数据,当所述Slave接口2接收来自某装置的突发式传送访问时,允许所述Slave接口1接收来自另一装置的单笔传输访问。相比现有技术而言,本发明利用目前市面上的BUSmatrix架构加上记忆体装置架构的改良而产生独特的MCU数字电路架构,从而解决通道被占用而影响系统性能问题。
CN115762593A
本申请公开了一种存储计算阵列,包括阵列排布的存储单元,存储单元包括多个存储节点,存储节点包括开关器件和磁性存储器件,磁性存储器件包括多个磁隧道结位元,磁隧道结位元至少具有三种阻态,磁隧道结位元包括由下至上依次层叠的第一参考层、第一势垒层、自由层、第二势垒层、第二参考层。本申请中每个磁性存储器件包括多个磁隧道结位元,每个磁隧道结位元至少有三种阻态,开关器件可以使得磁隧道结位元处于不同的阻态,磁隧道结位元阻态种类增多,可以存储的信息量增多,所以可以减少磁隧道结位元的数量,因此开关器件的数量也减少,从而使得存储计算阵列的面积缩小,功耗降低。本申请还提供一种存储设备。
CN115762589A
非易失性存储器(NVM)器件包括数据引脚、控制引脚、片内终结(ODT)引脚以及共同连接到所述数据引脚和所述控制引脚的多个NVM存储器芯片。所述NVM芯片中的第一NVM芯片包括ODT电路。所述第一NVM芯片基于通过所述控制引脚接收的控制信号和通过所述ODT引脚接收的ODT信号来确定ODT写入模式和ODT读取模式中的一个,在所述ODT写入模式期间使用ODT电路在数据引脚上执行ODT,并在所述ODT读取模式期间使用ODT电路在控制引脚上执行ODT。
CN115762588A
非易失性存储器(NVM)器件包括数据引脚、控制引脚、片内终结(ODT)引脚以及共同连接到所述数据引脚和所述控制引脚的多个NVM存储器芯片。所述NVM芯片中的第一NVM芯片包括ODT电路。所述第一NVM芯片基于通过所述控制引脚接收的控制信号和通过所述ODT引脚接收的ODT信号来确定ODT写入模式和ODT读取模式中的一个,在所述ODT写入模式期间使用ODT电路在数据引脚上执行ODT,并在所述ODT读取模式期间使用ODT电路在控制引脚上执行ODT。
CN115762586A
本公开涉及命令和地址在存储器装置中的集中化放置。存储器装置、存储器系统和系统包含具有接合垫区的存储器装置,所述接合垫区包含用于可操作地耦合到外部信号和两个或更多个命令和地址(CA)输入信号的两个或更多个接合垫。所述存储器装置还包含用于将信息存储在多个存储器单元中的存储器单元区。集中化CA接口区包含可操作地耦合到所述两个或更多个CA输入信号的两个或更多个CA输入电路。所述集中化CA接口区以布局布置定位在所述接合垫区与所述存储器单元区之间,其中所述两个或更多个CA输入电路在紧凑区中彼此相邻,使得到所述两个或更多个CA输入电路的时钟路由大体上减少。
CN115762575A
本申请实施例提供一种终端语音质量评测系统及方法,该系统包括:测试模块、基站模拟器、虚拟终端和MOS设备,其中,测试脚本在测试模块上运行,测试脚本用于指示所述基站模拟器、虚拟终端、MOS设备以及待测终端执行终端语音质量测试流程;基站模拟器用于在接收到测试脚本发送的控制指令的情况下模拟基站功能;MOS设备用于在虚拟终端和待测终端间传输语音文件;虚拟终端用于基于测试脚本发送的控制指令通过基站模拟器和MOS设备对待测终端的语音质量进行测试,并基于语音文件生成语音质量测试结果。本申请实施例可便捷地完成终端语音质量测试,降低语音测试的要求和成本,支持丰富的语音业务场景测试。
CN115762573A
本发明公开了一种基于标准化考场管理系统,包括考场语音采集端端口、语音处理服务器端口、考试评分端口和噪声处理端口,所述考场语音采集端端口包括至少一个语音采集终端,所述语音采集终端用于采集考场内考生的语音信息,所述语音处理服务器端口用于对语音信息进行噪声提取、噪声去除和语音数据对齐对比,语音对齐对比模块用于对除噪后的考生的语音信息的特征序列与本次考试模板的标准发音的特征序列的对比,特征序列对比导入语段分数综合策略公式计算结果作为学生的分数,能够快速得到学生的口语成绩的同时,避免噪音对口语成绩的干扰,同时引入噪音影响值,对噪声产生的影响进行判断,并将影响值与影响阈值进行对比。
CN115762571A
本发明公开一种声源定位方法、电子设备和存储介质,其中方法包括:对获取的第一音频进行降噪处理得到第二音频,并实时计算所述第二音频方位谱信息;判断所述第二音频是否与预设唤醒词匹配;若与所述预设唤醒词匹配,则进入命令模式,使用VAD获取第二音频中语段的起始时间内的语音角度谱,则根据激光雷达点云信息判断所述第一音频是否存在强反射面;若存在,则获取所述第二音频中语段的起止时间内的语音角度谱;基于存在强反射面,将所述语音角度谱与所述激光雷达点云信息的判断进行融合,输出最终的声源方位。本发明实施例通过对存在强反射面的音频降噪处理,并获取降噪处理后的音频的语音角度谱来与激光雷达点云信息的判断进行融合,实现了声源方位的确定,同时还能够提高声源方向定位的精度。
CN115762567A
一种基于人工耳蜗CIS算法和一维卷积神经网络的异音检测方法,当需要对某种设备进行检测分类时,首先获取正常和不同故障设备的音频信号,构建音频数据集;将音频信号进行人工耳蜗CIS算法输出电脉冲信号,将电脉冲信号展为一维数据作为一维卷积神经网络的输入,构建神经网络模型并训练优化模型,得到最终网络模型,将待检测的设备音频信号输入最终网络模型内,得到异音诊断分类结果;本发明能够识别设备异音故障并识别类型,可有效替代传统人工听音检测识别方法。
CN115762559A
本公开提供了一种音频召回方法、模型训练方法、装置及电子设备,涉及云计算技术领域,尤其涉及深度学习、智能搜索和语音技术领域,音频召回方法,包括:获取第一音频;对所述第一音频进行分割,得到N个音频片段,N个所述音频片段中任意相邻两个音频片段部分内容重合,N为大于1的整数;从样本池中召回与N个所述音频片段中每个所述音频片段对应的第二音频。
CN115762556A
本申请公开了一种音频数据处理方法及系统,通过在获得输入数据后,将输入数据按照频率大小分成多段待处理数据,并进行增益处理后,截止频率与每一段待处理数据的截止频率匹配的第一低通滤波器对每一段分段数据进行滤波处理,能够保证衰减分段输出数据中大于其对应的截止频率的失真和噪声,从而缓解分频处理过程中导致的谐波噪声的问题,提高用户体验。
CN115762551A
本发明公开了一种鼾声检测方法、装置、计算机设备及存储介质,获取初始鼾声信号数据,采用变分模态分解法对所述初始鼾声信号数据进行降噪处理,生成重构鼾声信号数据;采用语音端点检测法对所述重构鼾声信号数据进行分割处理,生成鼾声信号分段序列;对所述鼾声信号分段序列进行特征提取,生成鼾声信号特征;将所述鼾声信号特征输入至预设的神经网络模型中,输出目标信号特征;构建全连接层对所述目标信号特征进行分类,输出鼾声检测结果;从而实现提高了对鼾声信号进行检测时所输出的检测结果的准确性。
CN115762540A
本发明涉及语音降噪技术领域,公开了一种多维度的RNN的语音降噪,其通过获取指定预置占存阈值的原始语音数据,去除原始语音数据中存在有杂音的段落,得到去杂语音数据,基于预置降噪算法,将去杂语音数据进行降噪处理,得到降噪数据,基于预置RNN算法,循环训练基于预置降噪算法,将去杂语音数据进行降噪处理的步骤,得到趋真降噪数据,在后续进行同类语音数据进行降噪时,可减少大量处理步骤,大大提高了整体降噪过程的效率与效果,提升方法应用效果。
CN115762537A
本发明提供一种多音符多基频估计方法及装置,方法包括:基于十二平均律构建音色滤波器组;基于音色滤波器组构建滤波能量谱元胞矩阵;基于音色滤波器组构建滤波能量谱元胞向量;根据滤波能量谱元胞矩阵和滤波能量谱元胞向量得到权系数向量;基于权系数向量得到多基频估计结果。由此,基于十二平均律构建音色滤波器组,以基于音色滤波器组实现多音符多基频估计,能很好地应对谐波偏差,无需使用采集的单音符数据,克服了基于单音符数据对音色滤波器组的构建影响,而且,基于音色滤波器组得到滤波能量谱元胞矩阵和滤波能量谱元胞向量,可以考虑多维分布特征,从而提高了多音符多基频估计精度,且适用于不同的音乐片段,应用范围广泛。
CN115762534A
本发明公开了一种基于一维卷积神经网络的海洋哺乳动物发声识别方法,首先对海洋哺乳动物的发声样本进行了预处理,其次设计了可用于海洋哺乳动物发声识别的一维卷积神经网络,直接对声信号进行识别,避免了将声信号转化为图像的步骤对识别结果带来的干扰,相较于原有的二维卷积神经网络,本发明设计的一维卷积神经网络拥有更高的识别效率和更良好的识别性能。
CN115762533A
本发明公开了一种鸟鸣声分类识别方法及装置,包括:获取鸟鸣声音频数据;对鸟鸣声音频数据进行预处理,得到预处理后的音频数据;对预处理后的音频数据进行傅里叶变换,得到鸟鸣声的语谱图;基于梅尔频率倒谱系数和差分运算得到预处理后的音频数据的MFCC混合特征向量;利用CNN网络处理语谱图,训练后得到局部细粒度频谱特征;利用Transformer编码器网络处理MFCC混合特征向量,训练后得到兼顾上下文的全局序列特征;将局部细粒度频谱特征与全局序列特征拼接融合后通过Softmax分类器得到鸟鸣声的识别分类结果。本发明能够提高鸟声分类识别准确率。
CN115762530A
本申请涉及一种声纹模型训练方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括:将训练集中的训练语音特征输入初始声纹模型,得到训练声纹特征和声纹质量分数;基于声纹质量分数构建夹角调节值;基于夹角调节值对训练声纹特征和目标类别之间的特征夹角进行调整得到第一夹角,计算训练声纹特征和其他候选类别之间的特征夹角,得到各个第二夹角;基于各个第一夹角、第二夹角和声纹质量分数得到目标损失;基于目标损失调整初始声纹模型的模型参数得到中间声纹模型,将中间声纹模型作为初始声纹模型,返回获取训练集的步骤执行直至满足收敛条件,得到目标声纹模型。采用本方法能够提高声纹识别的准确性。
CN115762528A
提供了一种用于语音识别的方法、装置、设备、车辆和存储介质。上述用于语音识别的方法应用于终端设备,终端设备包括端对端语音识别神经网络模型的编码器,该方法包括:获取语音音频流;从语音音频流中提取声学特征,得到声学特征序列;利用编码器对声学特征序列进行编码,得到编码器输出的编码特征序列,其中,编码特征序列包括至少一个编码特征向量;将编码特征序列传输至云端设备,以供云端设备处理,其中,云端设备包括端对端语音识别神经网络模型的解码器;以及接收来自云端设备的语音识别结果,其中,语音识别结果由解码器对编码特征序列进行处理得到。
CN115762494A
本发明公开语音识别系统训练方法、电子设备和存储介质,其中,一种语音识别系统训练方法,包括:针对所述语音合成模型要合成的语音场景,使用与所述语音场景同源的真实语音‑文本数据对训练所述音素分类模型;将真实语音数据输入至训练好的音素分类模型得到所述语音合成模型的训练数据,利用所述训练数据对所述语音合成模型进行训练;至少将文本数据输入至训练好的语音合成模型中得到合成语音,将所述文本数据和所述合成语音组成合成语音‑文本数据对;至少将所述合成语音‑文本数据对用于所述语音识别模型的训练。通过训练音素语音识别分类器对语音识别数据进行标注,从而可以实现减小合成语音数据与真实语音数据之间的差异。
CN115762493A
本发明新型公开了一种针对语音数据的语音表征对比学习方法,包括获取原始语音数据样本并预处理得到语音数据样本的waveform特征;采用Mixup操作处理waveform特征并构建混合语音数据waveform特征数据集;采用Transformer‑Encoder模型提取混合语音数据样本waveform特征的全局特征信息;采用三层projection head层非线性传递获取全局特征信息;采用互信息机制进行表征对比学习,同时优化模型参数。本发明提供的语音表征对比学习方法,增加了语音数据样本的样本量,解决模型低扩展性、低泛化性的问题,重点关注于语音数据的主要特征部分进而减少模型的计算量。
CN115762484A
本发明涉及语音识别技术领域,具体公开了一种用于语音识别的多模态数据融合方法、装置、设备及介质,其中,方法包括步骤:利用多门控混合专家网络根据多模态数据获取不同模态数据的嵌入表示;根据多门控混合专家网络的专家网络及门控网络结合嵌入表示获取不同模态数据在不同门控阶段的融合权值;在每个门控阶段根据融合权值加权融合对应门控阶段输入的多模态数据生成初步融合数据,并将初步融合数据拼接单模态数据作为下一门控阶段输入的多模态数据;该方法根据多门控混合专家网络获取多模态数据不同模态在不同门控阶段中的融合权值,并根据融合权值对多模态数据进行多阶段融合,能有效提高语音识别的鲁棒性、准确率。
CN115762480A
本申请公开了一种语音唤醒方法、语音唤醒装置以及存储介质,该语音唤醒方法包括:获取声学特征流;基于第一建模单位提取声学特征流的第一状态序列;响应于第一级解码图对第一状态序列的解码结果为预设唤醒词,获取解码出预设唤醒词的解码声学特征;基于第二建模单位提取解码声学特征的第二状态序列;响应于第二级解码图对第二状态序列的解码结果为预设唤醒词,对预设唤醒词关联的语音设备进行唤醒操作。本申请的语音唤醒方法通过构建多种尺度的声学状态序列组合,能够对唤醒词进行二次解码确认,减少误唤醒的发生。
CN115762479A
本发明涉及说话人识别技术领域,具体地说,涉及一种训练方法、系统、介质及跨信道及方言的声纹识别模型。该声纹识别模型具有依次连接的第一输入层、第一卷积层、声纹特征提取网络层、前馈网络层和第一输出层,对该声纹识别模型进行训练时,包括如下步骤:步骤S1、构建文本特征提取网络、第二输出层及第三输出层;步骤S2、构建训练集X;步骤S3、初始化声纹识别模型的参数;步骤S4、训练声纹识别模型并构建损失函数L;步骤S5、更新声纹识别模型的参数;步骤S6、重复步骤S4及S5,直至损失函数最优,完成声纹识别模型的训练。本发明能够较佳地提升所训练模型的泛化性和鲁棒性。
CN115762476A
本发明公开了一种语音评测方法、装置、设备及存储介质。该方法包括:获取待评测语音信息和目标单词;根据所述待评测语音信息确定所述目标单词对应的目标时间段;基于基频提取算法,提取所述目标时间段内的基频数据;根据所述基频数据进行语音评测,得到语音测评结果,通过本发明的技术方案,能够对音调进行测评。
CN115762471A
本发明提供一种语音合成方法、装置、设备及存储介质,所述方法包括:接收目标文本;将所述目标文本转换为拼音序列;基于选定的目标语言标签,利用声学模型将所述拼音序列转换为声学特征,所述声学特征为所述目标语言标签对应的特征;其中,所述声学模型中包括语言标签结构;采用神经声码器将所述声学特征合成音频数据,所述音频数据为所述目标语言标签对应的语言;所述声学模型和所述神经声码器基于多种语言的语音样本训练获得。本发明能够实现了多种不同语言的语音合成,从而实现只会说一种话的人也可以合成不同语言的音频数据,进一步实现了不同地区的人们之间顺畅沟通交流,方便了人们的交流,提升了语音合成的准确性和效率。
CN115762468A
本申请公开了一种语音合成方法、装置、设备及存储介质,本申请预先配置有声学信息生成模块,该声学信息生成模块能够基于从待合成文本中提取的音素,以生成能够用于预测待合成文本所属的情感类型的声学信息为方向,生成与所述音素匹配的声学信息,进而基于生成的声学信息,得到合成语音。由此可见,本申请规定了声学信息的生成方向,使得生成的声学信息能够作为依据预测待合成文本所属的情感类型,从而保证了生成的声学信息中包含了待合成文本所表达的情感信息,进一步基于该包含待合成文本所表达的情感信息的声学信息进行语音合成时,能够使得合成语音符合待合成文本所要表达的情感,提升了合成语音的情感表达能力。
CN115762466A
本发明提供了一种合成不同情感音频的方法和装置,包括了训练阶段和推理阶段,在训练阶段包括以下步骤:S11、采集训练语料,包括不同说话人的音频及对应的文本,以及情感标签并提取对应语音的频谱特征;S12、根据的语音频谱特征以及对应的情感标签,训练情感语音特征提取模型;S13、提取训练语料的情感特征向量和对应训练语料的文本编码向量;S14、将文本编码向量结合语音的情感特征向量,通过对应语音的声学特征训练语音合成模型;S15、语音的情感特征向量和文本编码向量作为输入,训练情感特征预测模型;S16、通过语音的声学特征与对应语音训练声码器;本发明解决了传统语音合成语气平淡,情感不清晰的问题。
CN115762464A
本发明公开语音合成模型的训练方法、电子设备和存储介质,其中,一种语音合成模型的训练方法,包括:训练一个无情感输入的声学模型,在所述声学模型的训练过程中用到了一种扩散过程,所述声学模型的训练目标为对于所述扩散过程中的任何中间时刻,估计数据分布的对数梯度;训练一个情感分类器,其中,所述情感分类器的输入至少包括所述扩散过程中的某一中间时刻对应的对数梯度;使用软标签指导技术进行情感可控的语音合成采样,其中,所述扩散过程对应于所述语音合成采样的反向去噪过程,所述反向去噪过程的梯度项为语音合成模型估计的目标,软标签指导项在数学上等同于交叉熵,其一边为所述情感分类器的输出,另一边为目标情感强度所对应的分布。
CN115762463A
本发明涉及汽车技术领域,尤其涉及一种应用于车内路噪分区主动控制的系统及其控制方法。主要是通过汽车底盘车载传感器采集噪声数据作为参考信号,利用车内传感器对控制区域进行识别,获取控制区域;基于目标控制区域降噪量最大化,利用最大加权多重相干分析法,筛选出与目标控制区域相干性最好的最优参考信号组合,并利用低计算复杂度、低延迟的多通道主动路噪控制算法产生与待抵消噪声信号(车内初级噪声)幅值相同,相位相反的次级噪声实现控制区内噪声的干涉相消。
CN115762459A
本发明提供了一种消声器以及控制方法,包括:本体部,本体部具有消声入口、消声出口以及与消声入口和消声出口均连通的消声腔;消声结构,设置在消声腔内,消声结构包括相互连接的薄膜消声单元和背腔消声单元;附加重量结构,附加重量结构与薄膜消声单元远离背腔消声单元的一侧固定连接,附加重量结构的重量可调节地设置,以调整薄膜消声单元和附加重量结构的整体共振频率。通过本发明提供的技术方案,能够解决现有技术中的对于变频声源的消声效果较差的技术问题。
CN115762456A
本发明公开了一种用于二胡可调节的拾音器,夹持组件、第一连接件、第二连接件、拾音器组件、琴码组件以及锁定组件等,有益效果是:保持活动部位于基座与支撑部之间,并且解锁锁定组件,此时琴弦振动将会传递给蒙皮再至二胡音筒,从而形成原声演奏;锁紧锁定组件,并拨动活动部使其离开支撑部与基座之间,琴弦的振动会主要传递给拾音器组件,锁定组件保持了支撑部的位置,从而保持了琴弦的张力与振动,此时琴弦的振动并没有直接传递给蒙皮与音筒,良好地减小了二胡的音量,从而实现了既能使用原声来演奏二胡,且能够在使用拾音器练习与录音时减小二胡原声音量从而避免扰民的有益效果。
CN115762436A
本发明公开了一种车辆中显示设备的显示控制方法、装置、车辆及介质。该方法包括:通过系统级芯片接收待调整显示设备的控制需求,并将控制需求转发至待调整显示设备中的微控制芯片;通过微控制芯片,根据控制需求及预先设定的蓝光占比数据库,确定与控制需求对应的目标数据组及关联数据组;根据关联数据组及目标数据组,对待调整显示设备进行控制。通过显示设备中的微控制芯片确定与目标数据组对应的关联数据组,从而逐步对显示设备的蓝光占比进行调整。在不增加硬件成本的前提下,为使用者增加了多种蓝光占比选择,可以根据需求逐步调整显示设备中蓝光占比,降低了显示设备蓝光对使用者眼睛的损伤,提升了视觉舒适性,提高驾驶过程的安全指数。
CN115762433A
本发明涉及监视器技术领域,特别是涉及一种适用于宽温度的屏幕色彩校准方法,包括如下步骤:步骤S1:将屏幕置于位于屏幕使用极限温度内的环境中;步骤S2:通过温度传感器对屏幕的温度进行检测;步骤S3:每间隔5摄氏度对屏幕色彩进行校准;步骤S4:获取各个温度下校准完成的校准数据;步骤S5:将校准数据存储至存储器内;步骤S6:根据屏幕温度及校准数据对处于不同温度下的屏幕色彩进行校准。通过本方法,实现了在屏幕使用极限极限温度范围内对屏幕色彩的校准,使得屏幕色彩较小受温度变化的影响,有利于确保拍摄效果,增进了现场拍摄色彩的准确程度。
CN115762428A
本申请实施例公开了一种基于电子墨水屏的显示装置及系统。本申请实施例提供的技术方案通过视频命令接收模块将视频信号转换成设定视频格式的视频数据以及将控制信号转换成控制命令,以及通过数据加工模块将视频数据转换为中间序列帧,并根据控制命令将中间序列帧提前转换为驱动波形数据,再由屏幕驱动模块基于驱动波形数据输出屏幕驱动信号。本申请通过先将视频数据转换为中间序列帧,根据控制命令将中间序列帧转换成对应的驱动波形数据,由屏幕驱动模块基于驱动波形数据输出屏幕驱动信号,不需要后续需要驱动墨水屏时再实时生成驱动波形数据,可有效降低墨水屏的刷新延迟,提高对电子墨水屏进行控制的灵活性,丰富电子墨水屏的显示效果。
CN115762421A
本发明涉及一种GOA电路及显示面板。该GOA电路负责输出第n级水平扫描信号的第n级GOA单元包括:上拉控制单元(10)、上拉单元(20)、下拉维持单元(30)、反相器单元(40)及下拉单元(50);下拉维持单元(30)包括第一薄膜晶体管(T43),第二薄膜晶体管(T44);下拉单元(50)包括第三薄膜晶体管(T32),第四薄膜晶体管(T33);工作时,根据第一直流低电压(VGL1)的波形以及第二薄膜晶体管(T44)和第四薄膜晶体管(T33)的阈值电压,设置控制信号输入端(TP)输入的控制信号(TP)的波形,以在需要时维持第一节点(Q)的电位。本发明的GOA电路及相应的显示面板利于减少GOA电路中Q点的漏电,进而利于GOA电路在触控阶段维持其功能性。
CN115762420A
公开了一种根据实施方式的栅极驱动电路以及包括该栅极驱动电路的显示装置。根据实施方式的栅极驱动电路包括:经由进位线级联连接的多个信号发射器,进位信号从前一信号发射器施加至进位线;以及连接至多个信号发射器的修复线,其中,第n(其中,n为正整数)信号发射器包括:电路部分,该电路部分被配置成接收来自前一信号发射器的进位信号,并且对第一控制节点和第二控制节点进行充电或放电;输出部分,该输出部分被配置成基于第一控制节点的电位和第二控制节点的电位输出栅极信号和进位信号;以及修复块,该修复块连接至修复线并且被配置成在从修复线施加逻辑信号时输出替换栅极信号的修复栅极信号和替换进位信号的修复进位信号。
CN115762418A
在实施方式中公开了一种像素电路、用于驱动像素电路的方法和包括像素电路的显示装置。根据实施方式的像素电路包括:驱动元件,其包括连接至被施加像素驱动电压的第一电力线的第一电极、连接至第一节点的栅电极、以及连接至第二节点的第二电极;第一开关元件,其包括连接至被施加数据电压的第二电力线的第一电极、被施加第一扫描脉冲的栅电极、以及连接至第一节点的第二电极;第二开关元件,其包括连接至第二电力线的第一电极;被施加第二扫描脉冲的栅电极、以及连接至第一节点的第二电极;发光元件,其包括连接至第二节点的阳极电极、以及连接至被施加低电位电力电压的第三电力线的阴极电极;以及电容器,其被连接在第一节点与第二节点之间。
CN115762415A
公开了一种像素电路和包括该像素电路的显示装置。像素电路包括:驱动元件,包括第一电极、栅极和第二电极,所述第一电极连接到施加了第一恒定电压的第一节点,所述栅极连接到第二节点,并且所述第二电极连接到第三节点;发光元件,包括阳极和阴极,所述阳极连接到第四节点,并且所述阴极施加有低于第一恒定电压的第二恒定电压;第一开关元件,被配置为响应于第一栅极脉冲向所述第二节点提供数据电压;第二开关元件,被配置为响应于第二栅极脉冲向第二节点施加低于第一恒定电压的第三恒定电压;第三开关元件,被配置为响应于第三栅极脉冲向第四节点提供低于第三恒定电压并且高于第二恒定电压的第四恒定电压;第四开关元件,被配置为响应于第四栅极脉冲向第一节点施加第一恒定电压;第五开关元件,被配置为响应于第五栅极脉冲将第三节点电连接到第四节点;第一电容器,连接在第二节点和第三节点之间;以及第二电容器,连接在第三节点和恒定电压节点之间。
CN115762411A
本发明公开了一种栅极驱动电路和显示面板。其中,栅极驱动电路包括输出控制模块、第一晶体管、第二晶体管和电压调节模块;输出控制模块用于控制第一晶体管和第二晶体管交替导通,以将第一输出信号和第二输出信号交替传输至栅极驱动电路的输出端;第一晶体管和第二晶体管中的至少一者为双栅晶体管,双栅晶体管的第一栅极连接输出控制模块;电压调节模块连接双栅晶体管的第二栅极,用于调节双栅晶体管的第二栅极电压。本发明的技术方案,有助于改善栅极驱动信号的波形失真问题,从而提升显示面板的显示效果。
CN115762403A
本申请涉及一种亮度补偿方法、亮度补偿设备以及显示装置,其中亮度补偿方法,包括:在显示区域至少一侧设置非显示区域,非显示区域中包含至少三种颜色的子像素,且非显示区域中的子像素随显示区域中子像素的驱动而驱动;获取非显示区域中每个子像素的亮度值;根据非显示区域中不同颜色子像素的亮度值,确定显示区域中每个子像素补偿系数;根据补偿系数对相应的显示区域中的子像素进行亮度补偿通过获取非显示区域的子像素的亮度来生成显示区域的子像素的亮度补偿系数,根据该补偿系数对显示区域内子像素的亮度进行补偿,能够使显示面板的整体显示亮度克服衰减率的影响,即整体显示亮度更加均匀,提升显示面板的亮度均一性以及用户体验。
CN115762398A
一种像素电路和包括该像素电路的显示装置。本公开的所述像素电路包括:驱动元件,包括连接到施加有像素驱动电压的第一节点的第一电极、连接到第二节点的栅极和连接到第三节点的第二电极,并且被配置为向发光元件提供电流;第一开关元件,被配置为响应于扫描脉冲向第四节点提供像素数据的数据电压;第二开关元件,被配置为响应于第一初始化脉冲向第二节点提供初始化电压;第三开关元件,被配置为响应于感测脉冲向第三节点提供低于初始化电压的参考电压;第四开关元件,被配置为响应于第二初始化脉冲向第四节点提供参考电压;第五开关元件,被配置为响应于发光控制脉冲将第三节点连接到发光元件的阳极;第一电容器;第二电容器;和第三电容器。
CN115762396A
本发明涉及一种拼接式LED显示屏的显示控制方法与装置,控制方法包括:提供拼接式LED显示屏;当系统侦测到列向主传输路径为完整连通,以直向的列向主传输路径同列方向输送视频数据;当系统侦测到有不完整连通的列断路信号,修改列向主传输路径为曲折状;当系统侦测到有不完整连通的列断路信号且断路前显示箱体的相邻旁通传输路径皆为行断路信号,缩短所述列向主传输路径,同时相邻列的列向主传输路径还包括分支传输路径,由断路发生显示箱体的相邻旁通传输路径串接至所述断路发生显示箱体以及所述断路发生显示箱体后接的列向显示箱体。本发明用于解决现有技术中串联式传输拼接式LED显示屏无视频信号送达产生显示黑区以及固定分区显示方式在异常时停止显示以人工排除替换硬件的问题。
CN115762394A
本发明公开了一种LED显示屏多区域显示独立更新方法、系统、设备及介质,涉及显示屏技术领域,方法包括:获取分区更新数据包,并根据分区更新数据包提取分区更新信息,根据分区更新信息解析区域更新内容,根据区域更新内容进行区域更新,其中,分区更新信息用于记录整屏的目标分区状态;在LED显示屏已进行区域划分的情况下,获取区域更新数据包,并根据区域更新数据包提取区域更新信息,根据区域更新信息解析区域更新内容,根据区域更新内容进行区域更新,其中,区域更新信息用于记录各分区的目标显示状态。采用本发明可实现显示屏部分区域的独立更新,避免闪屏现象,视觉效果好,显示耗时短。
CN115762392A
本发明提供了一种基于视觉的MiniLED色彩校正方法,包括:S1:确定出MiniLED显示屏中每个MiniLED发光单元的不同基色的基色显示衰减曲线;S2:基于基色显示衰减曲线确定出校正周期内的基色校正曲线;S3:基于基色校正曲线对MiniLED显示屏进行区域划分,获得每个基色对应的区域划分结果;S4:基于基色区域划分结果对对应基色的基色校正曲线进行关联校正,获得对应基色的最终基色校正曲线;S5:基于每个基色的最终基色校正曲线对对应MiniLED发光单元进行色彩校正,获得色彩校正结果;用以实现在MiniLED显示屏使用过程中基于每个MiniLED发光单元的衰减情况对对应MiniLED显示屏进行分基色的色彩校正,并考虑到MiniLED发光单元之间的视觉影响,使得色彩校正结果更加良。
CN115762391A
本发明公开了一种智能光感调节的无屏闪显示器,涉及显示器技术领域,包括智能控制模块,用于控制模块工作;工作控制模块,用于控制驱动电路启动;背光驱动模块,用于进行功率调节并驱动显示模块工作;反馈模块,用于提供反馈电压;开关控制模块,用于将反馈电压传输给背光驱动模块并控制无屏闪控制模块进行无屏闪功率调节;光感控制模块,用于通过光感控制显示模块的亮度。本发明智能光感调节的无屏闪显示器由背光驱动模块控制显示模块的显示工作,并由智能控制模块控制无屏闪控制模块实现对显示模块的自主功率调节,避免电压跳变导致的屏闪现象,需要光感控制时,智能控制模块锁定无屏闪工作功率,再通过光感控制显示装置的显示亮度。
CN115762386A
本发明公开了一种具有电压调整功能的显示系统,包括显示面板和显示控制电路板;显示控制电路板包括电源单元;主控制模块,包括用于控制电源单元的电压输出的控制单元;还包括外部环境检测模块;显示控制电路板还包括控制板温度检测单元;还包括存储单元,内部存储有包括初始REF电压值的电压输出偏移表;控制单元根据初始REF电压值控制电源单元为显示面板供电,还根据检测到的外部环境信息和显示控制电路板的温度信息从电压输出偏移表中查询出对应的电压输出值,并根据查询出的电压输出值控制电源单元的电压输出。本发明能够保持预热期间显示效果的一致性,从而提高用户的观看体验。本发明还公开了具有电压调整功能的显示系统的显示方法及其应用。
CN115762385A
本公开是关于一种显示屏的显示效果控制方法、装置、终端设备及介质,应用于具有显示屏的终端设备,显示屏的显示效果控制方法包括:获取显示屏的当前色温信息;获取显示屏的当前显示亮度信息;若当前显示亮度信息与当前色温信息不匹配,基于当前色温信息,获得与当前色温信息匹配的目标显示亮度信息;基于目标显示亮度信息,调节显示屏的显示亮度。采用本公开的技术方案,在终端设备的显示亮度与色温信息不匹配时,利用当前色温信息,调节显示屏的显示亮度,以使显示屏的显示亮度与显示屏的色温显示效果适配,避免不同色温显示效果造成显示亮度减弱,影响用户视觉体验,提高了显示屏显示亮度的准确性,提升了用户的视觉使用舒适度。
CN115762382A
本发明公开了一种显示面板及显示装置,显示面板包括透光区、显示区和非显示区;显示区包括多条驱动信号线;驱动信号线中包括第一类驱动信号线和第二类驱动信号线;沿第一方向,第一类驱动信号线与透光区交叠,第二类驱动信号线与透光区不交叠;非显示区包括第一非显示区;第一非显示区包括第一扇出区和第二扇出区;第一扇出区包括与第一类驱动信号线电连接的第一类扇出走线;第二扇出区包括与第二类驱动信号线电连接的第二类扇出走线;其中,第一类扇出走线的负载量大于第二类扇出走线的负载量。采用上述技术方案,可以补偿第一类驱动信号线和第二类驱动信号线之间的负载量的不同,有利于提高显示面板的显示均一性,提高显示面板的显示效果。
CN115762378A
本公开涉及显示装置,该显示装置包括:显示面板,包括在显示区域中的像素;扫描线,设置在显示区域中并电连接到像素;栅极驱动电路,设置在显示区域中并电连接到扫描线;以及时钟线,设置在显示区域中并电连接到栅极驱动电路。栅极驱动电路包括彼此相邻并响应于通过时钟线中的相应时钟线提供的时钟信号而输出扫描信号的级块,并且从级块中的一级块输出的扫描信号被提供给级块中的另一级块的扫描线。
CN115762375A
本申请提供了一种电路板、电路板制备方法及显示面板,涉及显示技术领域。该电路板包括驱动电路,驱动电路包括晶振模块、信号输入端、信号输出端、电源线、接地线和开关模块;晶振模块包括第一引脚、接地引脚、第三引脚和第四引脚;第一引脚与信号输入端电连接,接地引脚与接地线电连接,第三引脚与信号输出端电连接,第四引脚与开关模块的第一端电连接;晶振模块包括有源晶振和无源晶振的其中一种;这样,可以实现同一电路板兼容有源晶振和无源晶振的驱动电路,降低了选择有源晶振和无源晶振的驱动电路板的成本。
CN115762373A
本申请公开了一种信号切换设备,用于提高显示屏自动化检测的效率。本申请包括:LVDS信号发射模块、EDP信号发射模块、信号输出装置、上位机、信号切换模块、显示屏转换治具和PCB板;LVDS信号发射模块、EDP信号发射模块、信号输出装置、信号切换模块和显示屏转换治具均设置于PCB板上;LVDS信号发射模块与信号输出装置连接,LVDS信号发射模块用于传输LVDS信号;EDP信号发射模块与信号输出装置连接,EDP信号发射模块用于传输EDP信号;信号输出装置与信号切换模块连接;上位机与信号切换模块连接,上位机用于配置当前与显示屏转换治具连接的显示屏的信号类型;信号输出装置与显示屏转换治具连接,显示屏转换治具上设置有压接不同类型显示屏的装置。