Invention Grant
CN100363764C 紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法
- Patent Title (English): Method for preparing Bragg grating by ultraviolet writing on SiO2 waveguide
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Application No.: CN200410074149.0Application Date: 2004-09-03
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Publication No.: CN100363764CPublication Date: 2008-01-23
- Inventor: 夏君磊 , 吴远大 , 安俊明 , 郜定山 , 李健 , 龚春娟 , 胡雄伟
- Applicant: 中国科学院半导体研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区清华东路甲35号
- Assignee: 中国科学院半导体研究所
- Current Assignee: 中国科学院半导体研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华东路甲35号
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 汤保平
- Main IPC: G02B6/02
- IPC: G02B6/02 ; G02B5/18
Abstract:
一种在紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)对紫外写入二氧化硅波导进行载氢；(2)采用紫外激光对波导进行曝光，在波导上形成布拉格光栅；(3)退火，稳定光栅性能。
Public/Granted literature
- CN1743878A 紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法 Public/Granted day:2006-03-08
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