-
公开(公告)号：CN112987173B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110439580.4
申请日：2021-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提出一种多层耦合结构，包括：衬底层、包层，包层中依次层叠设有多个波导层。其中，各波导层中均设有传输波导结构和耦合波导结构，其中耦合波导结构包括两段不同的渐变型波导结构。光信号经第一波导层输入，通过倏逝波耦合的方式，通过中间各个波导层不断向上耦合，最终在第N波导层输出，从而能够实现输入光向任意波导层的传输。本公开中的多层耦合结构尺寸小、耦合效率高，使得整个多层耦合芯片满足小型化、高性能的要求。
-
公开(公告)号：CN114002772A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111329800.4
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本公开提供一种光接收集成芯片，包括阵列波导光栅以及探测器阵列；阵列波导光栅包括多个输出波导；探测器阵列包括对应多个输出波导设置的多个探测器端口以及设于探测器端口与输出波导之间的多个第一波导结构；其中，第一波导结构包括呈相邻设置的锥形部以及延伸部，沿远离延伸部的方向，锥形部的截面宽度呈逐渐增加设置，锥形部的端部形成输入端，延伸部的端部形成输出端，输入端光路连接至输出波导上，输出端光路连接至探测器端口上。第一波导结构形成一锥形结构，避免因折射率突变而引起模式失配，造成较大的传输损耗，防止阵列波导光栅输出的高阶模式部分的功率丢失而影响带宽性能。
-
公开(公告)号：CN112987173A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110439580.4
申请日：2021-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提出一种多层耦合结构，包括：衬底层、包层，包层中依次层叠设有多个波导层。其中，各波导层中均设有传输波导结构和耦合波导结构，其中耦合波导结构包括两段不同的渐变型波导结构。光信号经第一波导层输入，通过倏逝波耦合的方式，通过中间各个波导层不断向上耦合，最终在第N波导层输出，从而能够实现输入光向任意波导层的传输。本公开中的多层耦合结构尺寸小、耦合效率高，使得整个多层耦合芯片满足小型化、高性能的要求。
-
公开(公告)号：CN110266393B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910693026.1
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于确定AMZI偏振无关温控条件的装置及方法，包括激光器(1)、光斩波器(2)、扰偏器(3)、可调光衰减器(4)、待测AMZI(5)、偏振分束器(6)、门控式单光子探测器(7)、信号发生器(8)、温度控制器(9)、计算机(10)以及光功率计(11)。利用该方法可以分别确定在偏振分束器(6)的TE模分量和TM模分量下温度与单光子探测计数的关系曲线，比较两个关系曲线相位相同点对应的温度区域即得AMZI单光子干涉偏振无关的温控条件。
-
公开(公告)号：CN110082906A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201810077578.5
申请日：2018-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本公开提供了一种基于不完整非对称AWG的光学相控阵，包括：可调谐激光器，用于输出可调谐波长的光束；光分束器，与可调谐激光器耦合相连，用于把输入光束分成N束的等功率光束；光开关阵列，置于光分束器之后，包括独立的N个光开关，每一光开关对应一等功率光束，用于控制该等功率光束的通断；以及AWG阵列，置于光开关阵列之后，包括独立的N个不完整非对称AWG，每一个不完整非对称AWG对应一等功率光束，用于将相应光开关控制输入的由可调谐激光器发出的不同波长的光束引入不同相位差，在输出端不同方向上出现干涉亮斑并聚焦成像，完成多角度，高精度的光束扫描。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107329209A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710717276.5
申请日：2017-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G02B6/3546 , G02B6/125
Abstract: 本公开提供了一种M×N多播传送光开关，包括：光分路器阵列，用于将输入的光信号均匀分光；光开关阵列，用于控制光信号的输出；以及衬底；其中，光分路器阵列和光开关阵列集成在衬底上，二者采用不同的波导材料制作而成，且光分路器阵列的波导芯层与波导包层之间的相对折射率差小于光开关阵列的波导芯层与波导包层之间的相对折射率差；M、N均为正整数。本公开通过低折射率差的光分路器阵列与高折射率差的光开关阵列的集成，降低了器件损耗，得到功耗低、响应速度快，尺寸紧凑的M×N多播传送光开关。
-
公开(公告)号：CN102253450A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110155033.X
申请日：2011-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法，包括：取一SOI基片；在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶，利用光刻的技术在光刻胶上形成图形；利用感应耦合等离子体刻蚀工艺，在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构，去掉脊形光波导结构上的光刻胶；利用等离子体增强化学气相沉淀技术，在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层；再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层，利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形；利用湿法刻蚀工艺，在二氧化硅层上得到敏感窗口，形成基片；对基片进行划片、抛光处理，得到芯片单元；利用旋涂法，将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面；对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理；在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。
-
公开(公告)号：CN102053318A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237098.1
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种在硅平台上实现二氧化硅阵列波导光栅与激光器倒装集成的方法，包括如下步骤：步骤1：在硅片上制作对准标记和水平定位；步骤2：在硅片上制作出高度定位、凹槽和电极槽；步骤3：在电极槽中依次制作二氧化硅薄膜和Cr-Ni-Au电极；步骤4：在硅片上制作出AWG的倒装对准标记；步骤5：在倒装焊平台上将AWG倒装粘在硅平台上；步骤6：将LD根据定位标记倒装焊在硅平台上。利用本发明提供的这种在硅平台上实现AWG与LD倒装集成的方法，实现了LD和AWG的无源对准耦合，并且本发明具有制作工艺简单，可规模化生产、成本低等特点。
-
公开(公告)号：CN100480752C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410073862.3
申请日：2004-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通过紫外写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅或二氧化硅衬底上依次生长二氧化硅下包层、波导层和上包层形成基片；(2)对上述基片进行载氢；(3)对整个基片用紫外激光进行均匀曝光，使整个波导层的折射率均匀升高；(4)制作掩膜，即将掩膜的非波导区域镂空；(5)掩膜将欲形成波导区域遮挡，用紫外激光对基片进行第二次曝光，使掩膜未遮挡区域的波导层折射率较未曝光时还低；(6)退火，稳定折射率变化，则形成了高折射率差的二氧化硅波导。
-
公开(公告)号：CN1664632A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410007340.3
申请日：2004-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13
Abstract: 一种用于实现光波导材料制备的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅衬底上用阳极氧化方法生成一层多孔硅，腐蚀液中加入适量磷酸；2)对材料进行高温氧化或高温掺杂氧化，使多孔硅层氧化为高折射率的二氧化硅层；3)通过掩膜光刻和干法刻蚀等工艺，在高折射率二氧化硅表面形成设计需要的波导芯区结构；4)对材料进行长时间高温热氧化，制备出具有一定厚度的二氧化硅下包层；5)根据需要生长上包层结构，整个波导制备完毕。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
96
records
(took 0.04 seconds)
