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公开(公告)号：CN100480752C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410073862.3
申请日：2004-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通过紫外写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅或二氧化硅衬底上依次生长二氧化硅下包层、波导层和上包层形成基片；(2)对上述基片进行载氢；(3)对整个基片用紫外激光进行均匀曝光，使整个波导层的折射率均匀升高；(4)制作掩膜，即将掩膜的非波导区域镂空；(5)掩膜将欲形成波导区域遮挡，用紫外激光对基片进行第二次曝光，使掩膜未遮挡区域的波导层折射率较未曝光时还低；(6)退火，稳定折射率变化，则形成了高折射率差的二氧化硅波导。
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公开(公告)号：CN1664632A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410007340.3
申请日：2004-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13
Abstract: 一种用于实现光波导材料制备的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅衬底上用阳极氧化方法生成一层多孔硅，腐蚀液中加入适量磷酸；2)对材料进行高温氧化或高温掺杂氧化，使多孔硅层氧化为高折射率的二氧化硅层；3)通过掩膜光刻和干法刻蚀等工艺，在高折射率二氧化硅表面形成设计需要的波导芯区结构；4)对材料进行长时间高温热氧化，制备出具有一定厚度的二氧化硅下包层；5)根据需要生长上包层结构，整个波导制备完毕。
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公开(公告)号：CN1570685A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03147258.3
申请日：2003-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于实现光波导材料制备的方法，包括如下保证：(1)在硅衬底上用阳极氧化方法生成一层多孔硅；(2)在多孔硅层上用火焰水解法生成一层高掺杂的二氧化硅粉末；(3)对材料进行高温退火，退火后得到折射率渐变的平面波导材料；(4)根据器件设计，刻蚀出所需的波导结构；(5)根据需要生长上包层结构，整个波导制备完毕。
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公开(公告)号：CN1746705A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200410073862.3
申请日：2004-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通过紫外写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅或二氧化硅衬底上依次生长二氧化硅下包层、波导层和上包层形成基片；(2)对上述基片进行载氢；(3)对整个基片用紫外激光进行均匀曝光，使整个波导层的折射率均匀升高；(4)制作掩膜，即将掩膜的非波导区域镂空；(5)掩膜将欲形成波导区域遮挡，用紫外激光对基片进行第二次曝光，使掩膜未遮挡区域的波导层折射率较未曝光时还低；(6)退火，稳定折射率变化，则形成了高折射率差的二氧化硅波导。
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公开(公告)号：CN1284987C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200410007340.3
申请日：2004-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13
Abstract: 一种用于实现光波导材料制备的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅衬底上用阳极氧化方法生成一层多孔硅，腐蚀液中加入适量磷酸；2)对材料进行高温氧化或高温掺杂氧化，使多孔硅层氧化为高折射率的二氧化硅层；3)通过掩膜光刻和干法刻蚀等工艺，在高折射率二氧化硅表面形成设计需要的波导芯区结构；4)对材料进行长时间高温热氧化，制备出具有一定厚度的二氧化硅下包层；5)根据需要生长上包层结构，整个波导制备完毕。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1226644C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03147558.2
申请日：2003-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13
Abstract: 一种用于实现具有对称结构的硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上用热氧化法、火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法形成二氧化硅下包层；(2)用等离子增强化学气相沉积法生长可调整波导双折射系数的高折射率SiON补偿层；(3)在波导中心用反应离子刻蚀法对称刻蚀掉其中一半；(4)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长芯层；(5)进行抛光处理；(6)用反应离子刻蚀法刻蚀芯层，形成条状对称结构的光波导层；(7)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长上包层，整个对称结构的硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。
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公开(公告)号：CN1670550A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200410031518.8
申请日：2004-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底先进行反应离子刻蚀，刻蚀出波导芯区空间；(2)高温热氧化形成约15μm厚的下包层和侧向包层；(3)在波导芯区空间用等离子增强化学气相沉积法或火焰水解法生长芯区；(4)等离子增强化学气相沉积法或火焰水解法生长15μm上包层；(5)抛光去掉生长在氧化包层上的芯层、上包层材料，整个硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。
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公开(公告)号：CN1570686A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03147558.2
申请日：2003-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13
Abstract: 一种用于实现具有对称结构的硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上用热氧化法、火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法形成二氧化硅下包层；(2)用等离子增强化学气相沉积法生长可调整波导双折射系数的高折射率SiON补偿层；(3)在波导中心用反应离子刻蚀法对称刻蚀掉其中一半；(4)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长芯层；(5)进行抛光处理；(6)用反应离子刻蚀法刻蚀芯层，形成条状对称结构的光波导层；(7)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长上包层，整个对称结构的硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。
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公开(公告)号：CN1293399C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200410031518.8
申请日：2004-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底先进行反应离子刻蚀，刻蚀出波导芯区空间；(2)高温热氧化形成约15μm厚的下包层和侧向包层；(3)在波导芯区空间用等离子增强化学气相沉积法或火焰水解法生长芯区；(4)等离子增强化学气相沉积法或火焰水解法生长15μm上包层；(5)抛光去掉生长在氧化包层上的芯层、上包层材料，整个硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。
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